mosfet，mofset管是什么

本文目录一览

1，mofset管是什么
2，BJTJFETMOSFET全名是什么
3，MOSFET在开关电源中起什么作用
4，大家好请问在电焊机中提到的MOSFET和IGBT是什么意思那种好
5，MOSFET和IGBT是什么意思
6，MOS晶体管的概念和特性分别是什么

1，mofset管是什么

是MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

mofset管是什么

2，BJTJFETMOSFET全名是什么

BJT：双极型结型晶体管JFET：单极型结型场效应晶体管MOSFET：单极型绝缘栅型场效应晶体管

bjt：双极结型晶体管jfet：单极结型场效应晶体管mosfet：单极绝缘栅型场效应晶体管

BJTJFETMOSFET全名是什么

3，MOSFET在开关电源中起什么作用

开关电源的原理就是将工频交流变成直流，再将直流变换成高频交流，通过开关变压器，反馈稳压等过程变成你所需要的电压的后，通过整流，滤波，再变换成直流的过程，而MOSFET在整个过程中通过其不断的开与关，使高压直流变换成高频交流电的过程。

MOSFET在开关电源中起什么作用

4，大家好请问在电焊机中提到的MOSFET和IGBT是什么意思那种好

IGBT是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）,它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。因此，IGBT的新技术、新工艺不断有新的突破；应用频率硬开关5KHz～40KHz，软开关40KHz～150KHz；功率从五千瓦到几百千瓦！ IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。IGBT行业信息网http://www.igbt168.cn专业为开关电源、逆变电源、变频电源、通信电源、车载电源、电焊机、变频器、马达控制器等提供全方位的服务，并在消防行业、仪器仪表、通信业、船舶工业、自动化控制、军用科研等高科技市场有良好的商业信誉。

5，MOSFET和IGBT是什么意思

MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

6，MOS晶体管的概念和特性分别是什么

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置。 2.功率MOSFET 的结构和工作原理功率MOSFET 的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。

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