碳化硅晶体，碳化硅晶体类型

本文目录一览

1，碳化硅晶体类型
2，碳化硅晶体是做什么的
3，碳化硅晶体对什么化学有反应
4，碳化硅的化学性质
5，碳化硅晶体是做什么的
6，碳化硅晶片的介绍

1，碳化硅晶体类型

原子晶体

碳化硅晶体类型

2，碳化硅晶体是做什么的

碳化硅分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。

碳化硅晶体是做什么的

3，碳化硅晶体对什么化学有反应

1.碳化硅化学性质温度一般不发生反应；2.当温度≥2600℃时SiC会分解，但分解出的si又会与炉料中的C生成SiC。

首先，四者都是原子晶体同一主族从碳到硅原子半径逐渐增大，形成的共价键的键能逐渐减弱。所以碳化硅应在晶体硅与金刚石之间原子晶体的空间结构相似，熔点决定于它们的键长与键能。键长越短，键能越大，晶体熔沸点越高

碳化硅晶体对什么化学有反应

4，碳化硅的化学性质

分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。工业用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供开采的矿源。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的硬度很大，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。

5，碳化硅晶体是做什么的

碳化硅晶体主要有两个方面的应用：（1）碳化硅的硬度很大（仅小于金刚石），它的粉末可用作为磨料；（2）是一种很好的高温、高压半导体材料，现在已经在高压功率半导体器件中显示出了优良的性能。

SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。

碳化硅分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。

原子晶体定义：相邻原子间以共价键结合而形成的空间网状结构晶体没有单个存在的碳化硅分子碳化硅是原子晶体，结构与金刚石一样，空间网状结构．每个碳原子与4个硅原子以共价键相连，每个硅原子也与4个碳原子以共价键相连，其中碳－硅键是单键

6，碳化硅晶片的介绍

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能，具有与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数，不仅是制作高亮度发光二极管(HB-LED)的理想衬底材料，也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。

天科合达是国内最早从事碳化硅研究和生产的企业。北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果优势。是亚太地区碳化硅晶片制造的先行者。相关专利技术已被国内和国际授权。打破了国外碳化硅行业的垄断局面。