磁控溅射，磁控溅射

本文目录一览

1，磁控溅射
2，什么是磁控溅射
3，真空磁控溅射技术是
4，阴极溅射与磁控溅射又什么区别与联系
5，什么叫磁控溅射工艺
6，真空镀膜设备中磁控溅射的起辉条件有那些

1，磁控溅射

磁控溅射的基体可以是绝缘体.比如塑胶上直接镀EMI膜就常用于手机、兰牙、摄像头等产品。靶材可以是粉末冶金制作的。但是，也还是整体的，不会是粉末状的。蒸发镀膜可以用粉末状的材料做蒸发材料，但不能叫靶材。

磁控溅射

2，什么是磁控溅射

磁控溅射利用高频磁控管的原理，在溅射室中引入一个与电场方向正交的磁场。在此磁场的控制下，电子局限于靶极附近并沿螺旋形轨道运动，大大提高电子对氩原子的电离效率，增加轰击靶极的离子流密度j+，实现快速的大电流溅射。同时，又能避免电子直接向衬底加速，降低衬底的温升。磁控溅射有直流和高频两类。按结构又有同轴型、平面型和S枪等多种类型。

什么是磁控溅射

3，真空磁控溅射技术是

磁控溅射是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。它是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。也就是磁场控制溅射方式。

真空磁控溅射技术是

4，阴极溅射与磁控溅射又什么区别与联系

磁控溅射是阴极溅射的一种吧，是利用阴极溅射的原理进行镀膜。磁控溅射是在二极溅射的基础上，在靶材后面放置磁钢。在与靶阴极电场垂直的方向加一横向的磁场。靶面前的电子受到电磁场洛伦兹力的作用，在靶面附近做螺旋运动，增加碰撞几率。它克服了阴极溅射速率低和由于电子轰击使基片温度升高的致命弱点。因此磁控溅射技术得到了迅速的发展和广泛的应用。

阴极溅射是磁控溅射的一种再看看别人怎么说的。

阴极溅射是磁控溅射的一种

5，什么叫磁控溅射工艺

出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用（ E X B drift）使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。　　磁控溅射的基本原理是利用 Ar一02混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。　　磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。

6，真空镀膜设备中磁控溅射的起辉条件有那些

Sputter溅镀辉光放电（Glow Discharge）在真空状况发光情形低压气体中显示辉光的气体放电现象。在置有板状电极的玻璃管内充入低压（约几毫米汞柱）气体或蒸气，当两极间电压较高（约1000伏）时，稀薄气体中的残余正离子在电场中加速，有足够的动能轰击阴极，产生二次电子，经簇射过程产生更多的带电粒子，使气体导电。辉光放电的特征是电流强度较小（约几毫安），温度不高，故电管内有特殊的亮区和暗区，呈现瑰丽的发光现象。辉光放电时，在放电管两极电场的作用下，电子和正离子分别向阳极、阴极运动，并堆积在两极附近形成空间电荷区。因正离子的漂移速度远小于电子，故正离子空间电荷区的电荷密度比电子空间电荷区大得多，使得整个极间电压几乎全部集中在阴极附近的狭窄区域内。这是辉光放电的显著特征，而且在正常辉光放电时，两极间电压不随电流变化。在阴极附近，二次电子发射产生的电子在较短距离内尚未得到足够的能使气体分子电离或激发的动能，所以紧接阴极的区域不发光。而在阴极辉区，电子已获得足够的能量碰撞气体分子，使之电离或激发发光。其余暗区和辉区的形成也主要取决于电子到达该区的动能以及气体的压强（电子与气体分子的非弹性碰撞会失去动能）。辉光放电的主要应用是利用其发光效应（如霓虹灯、日光灯）以及正常辉光放电的稳压效应（如氖稳压管）。 2、电晕现象就是带电体表面在气体或液体介质中局部放电的现象，常发生在不均匀电场中电场强度很高的区域内（例如高压导线的周围，带电体的尖端附近）。其特点为：出现与日晕相似的光层，发出嗤嗤的声音，产生臭氧、氧化氮等。均匀电场中，由于各点电场强度都是一样的，当施加稳态电压（直流、工频交流），电场强度达到空气的击穿强度时，间隙就击穿了。但日常很难见到均匀电场。对于稍不均匀的电场，日常见得很多。如球-球间隙，球-板间隙等，以球-球间隙为例，当间隙距离小于1/4D时，其电场基本为均匀电场，当 D/4 ≤S≤ D/2 时，其电场为稍不均匀电场。均匀电场的放电电压也可用公式计算，公式为（单位为kV）： δ—空气相对密度； s—间隙距离cm；应用说明不均匀电场的差别就在于空气间隙内，各点的电场强度不均匀，在电力线比较集中的电极附近，电场强度最大，而电力线疏的地方，电场强度很小，如棒-棒间隙，是一对称的不均匀电场，在电极的尖端处电力线最集中，电场强度也最大。当加上高压后，会在电极附近产生空气的局部放电——电晕放电，电压再加高时，电晕放电更加强烈，致使间隙内发生刷状放电，而后就击穿了（电弧放电）。如棒-板间隙，在尖电极附近电场强度最大，加上高压后，电极附近先产生电晕放电，而板上的电力线很疏，不会产生电晕。当电压足够高时，棒极也将产生刷状、火花放电，最后导致电弧放电（击穿）。电晕多发生在导体壳的曲率半径小的地方，因为这些地方，特别是尖端，其电荷密度很大。而在紧邻带电表面处，电场E与电荷密度σ成正比，故在导体的尖端处场强很强（即σ和E都极大）。所以在空气周围的导体电势升高时，这些尖端之处能产生电晕放电。通常均将空气视为非导体，但空气中含有少数由宇宙线照射而产生的离子，带正电的导体会吸引周围空气中的负离子而自行徐徐中和。若带电导体有尖端，该处附近空气中的电场强度E可变得很高。当离子被吸向导体时将获得很大的加速度，这些离子与空气碰撞时，将会产生大量的离子，使空气变成极易导电，同时借电晕放电而加速导体放电。因空气分子在碰撞时会发光，故电晕时在导体尖端处可见亮光。应用 (1)电晕引起电能的损耗，并对通讯和广播发生干扰。例如，雷雨时尖端电晕发电，避雷针即用此法中和带电的云层而防止雷击。 (2)静电复印机的充电过程是光导体鼓在暗处并处在某一极性的电场中，使其表面均匀地充上某种极性的电荷而具有一定的表面电位的过程。这一过程实际上是鼓的敏化过程，使原来不具备感光性的鼓具有较好的感光性。它通常采用电晕放电法，即在离鼓一定距离的电极丝上加高压电，使其产生电晕放电，使光导体表面带上静电荷的过程，这个过程叫“充电”。 3、火花一般的要包括电火花电火花一般是尖端放电现象，伴随自由电荷的转移，发光发热，不同于一般的燃烧现象石头与石头磨檫，局部温度并达不到组成石头物质的燃点，只不过是快速摩擦起电，电荷又迅速中和，所以产生的是电火花 4、弧光放电是常压气体高温下放电，电压不高、电流比较大，通常用在仪器的光源部分。此外气体放电还有电势差导致的火花放电

辉光其实粒子在碰撞过程中损失的能量以光子的形式释放出来。在磁控溅射过程中，粒子是被电离后的氩离子和电子，故首先氩气的电离需要足够的电场，所以与电压和靶基距有关；再者，粒子在电场中的碰撞需要足够空间运动，损失的能量足够高才一可见光的形式出现，那么氩离子和电子要有足够的运动空间，所以与靶基距有关；还有，如果气压较小，气体分子少，光强也就很小，所以还需要适当的气压。故，在我认为，总体上跟靶基距、电压、气压，当然也就跟功率有关了