iNand，安卓主板中inand是什么意思

本文目录一览

1，安卓主板中inand是什么意思
2，inand与emmc有什么区别
3，inand flash和 nand flash的区别
4，SSD固态硬盘和iNAND到底有什么区别呀
5，inand是什么意思
6，NandiNAND和NOR flash有什么区别

1，安卓主板中inand是什么意思

根据内容自动拉伸再看看别人怎么说的。

会坏掉的信不信由你

安卓主板中inand是什么意思

2，inand与emmc有什么区别

楼上完全抄的inand的百度百科内容，答非所问。简单来说，inand是sandisk公司做的一款符合emmc标准的一个emmc存储器，其与emmc硬件封装兼容，软件代码兼容，可以当作emmc来用。

inand与emmc有什么区别

3，inand flash和 nand flash的区别

iNAND类似 SD卡,其不但是一个存储芯片,同时也含有SDIO.兼容性很强.而NandFlash就是一种单纯Flash以上应该为两者的最大差异

一个版本高，一个低

inand flash和 nand flash的区别

4，SSD固态硬盘和iNAND到底有什么区别呀

SSD指的固态硬盘，固态硬盘上存储信息的方式是采用Flash芯片，Flash芯片主要分为NAND Flash和Nor Flash。简单来说，SSD硬盘是一个由若干个NAND Flash或者Nor Flash颗粒组成的存储矩阵。从质量上和性能上说，Nand Flash都优于Nor Flash。SSD硬盘一般平板电脑不会使用传统的机械硬盘，而采用Falsh来存储信息。其实装在盒子里的Flash矩阵就是SSD硬盘，而直接将Flash IC焊接在板子上的就是平板电脑的做法，道理是一样的

inand是一种带有控制芯片的nand flash，详询sandisk FAE

存储介质的区别，固态硬盘利用的是闪存，普通硬盘是磁盘~

5，inand是什么意思

你好!inand难以

inand是sandisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成sd卡或mmc卡芯片化。用户完全可以默认他是sd卡或者mmc卡。相对mlc，inand有以下优点： 1、提高性能 1）减少soc的工作量，节约soc资源。如果使用mlc做存储，soc要参与flash的坏块管理、ecc校正等管理，会牺牲部分soc性能，而使用inand的话，flash的管理工作都有inand完成，soc只在需要时对inand进行读写，其他时候完全可以不需要理会inand。 2）读写速度快（1）inand内置cache模块，如果要存储小于4k的小容量文件时，cache能够帮助用户将速度提高至mlc的10倍左右，并且cache模块不需要用户控制，只要存储小容量文件，cache自动启动，非常方便。（2）inand可以将内置的mlc flash模拟成为为slc，是inand具有slc的读写速度及其他性能，从而提高读写速度。 3）产品更可靠稳定inand内置掉电保护、wear leveling等sandisk专利技术，可以帮助客户提高flash的读写寿命，以及防止系统忽然掉电损坏系统文件，降低产品返修率。 2、降低系统成本首先因为inandz中选用的flash一般都是市场上最新、最先进制程的flash，所以inand具有一定的价格优势。其次，inand不同容量的封装一致，... inand是sandisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成sd卡或mmc卡芯片化。用户完全可以默认他是sd卡或者mmc卡。相对mlc，inand有以下优点： 1、提高性能 1）减少soc的工作量，节约soc资源。如果使用mlc做存储，soc要参与flash的坏块管理、ecc校正等管理，会牺牲部分soc性能，而使用inand的话，flash的管理工作都有inand完成，soc只在需要时对inand进行读写，其他时候完全可以不需要理会inand。 2）读写速度快（1）inand内置cache模块，如果要存储小于4k的小容量文件时，cache能够帮助用户将速度提高至mlc的10倍左右，并且cache模块不需要用户控制，只要存储小容量文件，cache自动启动，非常方便。（2）inand可以将内置的mlc flash模拟成为为slc，是inand具有slc的读写速度及其他性能，从而提高读写速度。 3）产品更可靠稳定inand内置掉电保护、wear leveling等sandisk专利技术，可以帮助客户提高flash的读写寿命，以及防止系统忽然掉电损坏系统文件，降低产品返修率。 2、降低系统成本首先因为inandz中选用的flash一般都是市场上最新、最先进制程的flash，所以inand具有一定的价格优势。其次，inand不同容量的封装一致，客户如果某款机型有不同容量的几个型号，那么它pcb只需要做一套即可，可以帮助客户简化工作、提高效率，比如苹果iphone有8g、16g等容量产品，他的pcb只需要一套，生产时候贴上对用的inand即可。 3、方便采购采购inand时候只需要注意使用的容量，不需要管制程、架构。而很多cpu对普通nand flash不是完全兼容，假如某款cpu最多支持51nm制程的flash，如果flash厂家产品升级，该客户就可能遇到采购困难等问题，而且市场上也有三星、现代、美光等公司的产品，他们都是完全遵照jedec委员会的标准，产品完全兼容。 4、使用简单，加快贵司产品研发进度 1）对软件工程师而言，flash制程改变，其对应驱动也需要随之变化，其程序移植、代码升级都要重新调试，而inand的产品驱动完全一样，一次调试成功就无后顾之忧； 2）对应硬件工程师也可能会因为新flash要重新布板，增加工作强度，而inand不管多大容量，封装都一样，如果贵司产品容量升级，可以直接在原先的pcb上换上更高容量的inand即可。

6，NandiNAND和NOR flash有什么区别

sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。 nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；inand flash：是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。 Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。NANDFlash启动： NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nandflash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。NORflash启动：支持XIP即代码直接在NOR Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NORFlash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到NANDflash中，借助cpu内部RAM（SRAM）直接云行。 nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。 NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和nandflash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部nandflash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。总结： Arm的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在arm开电的时候，要想让arm知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。 1当引脚OM0跟OM1有一个是高电平时，这时地址0会映射到外部nGCS0片选的空间，也就是Norflash，程序就会从Norflash中启动，arm直接取Norflash中的指令运行。 2当OM0跟OM1都为低电平，则0地址内部bootbuf（一段4k的SRAM）开始。系统上电，arm会自动把NANDflash中的前4K内容考到bootbuf（也就是0地址），然后从0地址运行。这时NANDFlash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把NANDFlash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）为什么会有这两种启动方式，关键还是两种flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。NAND FLASH 总容量大，但是读写都需要复杂的时序，更适合做数据存储器。这种不同就造成了NORflash可以直接连接到arm的总线并且可以运行程序，而NANDflash必须搬移到内存（SDRAM）中运行。在实际的开发中，一般可以把bootloader烧入到Norflash，程序运行可以通过串口交互，进行一定的操作，比如下载，调试。这样就很可以很方便的调试你的一些代码。Norflash中的Bootloader还可以烧录内核到Norflash等等功能关于为什么NAND Flash不能直接运行程序的说明：Nand Flash的命令、地址、数据都通过I/O口发送，管脚复用，这样做做的好处是，可以明显减少NAND FLASH的管脚数目，将来如果设计者想将NAND FLASH更换为更高密度、更大容量的，也不必改动电路板。 NAND FLASH不能够执行程序，本人总结其原因如下：1. NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。 2. NAND FLASH是顺序存取设备，不能够被随机访问，程序就不能够分支或跳转，这样你如何去设计程序。