电子迁移率，的一端流进去从对侧的另一端流出来球中各点的电子迁移速率是

来源：整理时间：2024-12-27 17:54:05 编辑：智能门户手机版

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1，的一端流进去从对侧的另一端流出来球中各点的电子迁移速率是
2，si的电子迁移率是多少
3，电子的转移量受到什么因素影响
4，方块电阻电子迁移率
5，如何计算化学反应方程式中的电子转移总数有系数怎么计算没有系数
6，n型硅的电子迁移率
7，什么是载流子的迁移率
8，载流子迁移率的介绍
9，霍尔元件的主要技术参数
10，COMS门电路和TTL集成门电路外部结构的区别

1，的一端流进去从对侧的另一端流出来球中各点的电子迁移速率是

相同

的一端流进去从对侧的另一端流出来球中各点的电子迁移速率是

2，si的电子迁移率是多少

Si的电子迁移率一般在1000cm2/Vs左右，具体数值还需要考虑杂质浓度、温度等因素的影响。电子迁移率是材料导电性能的一个重要参数，其数值越大则说明材料导电性能越好，因此，Si作为一种常用的半导体材料，其电子迁移率尤为重要，在半导体器件制造等领域得到了广泛应用。

si的电子迁移率是多少

3，电子的转移量受到什么因素影响

楼上正解，会分布均匀

是6mol

电子的转移量受到什么因素影响

4，方块电阻电子迁移率

方块电阻电子迁移率测量范围：100-20000（cm2/v.sec)。迁移率测量范围：100-20000（cm2/v.sec)。方块电阻测量范围：100-3000（ohm/sq)。载流子面密度测量范围：1E11-1E14（cm-2）。电磁铁磁场强度：1.0T，探头线圈直径：15mm。

5，如何计算化学反应方程式中的电子转移总数有系数怎么计算没有系数

先来最简单的置换反应Mg+2HCl=Mgcl2+H2 镁从0价变+2价就是Mg 失2mol电子变成镁离子电子转移总数就是2mol 再来看 2H2O2==2H2O+O2 过氧化氢的氧既失电子又得电子,,但总的转移电子数还是4mol...楼主只要标清楚元素化合价的变化..看清楚计量数就行了...但有些反应的元素是部分参与氧化还原反应的..不参加反应的部分是不算有电子转移..这个得小心

6，n型硅的电子迁移率

n型硅的电子迁移率为1350cm^2/(VS)。根据查询相关资料迁移率是指载流子（电子和空宏）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迂移率越大。运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，An是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低拉小硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/(VS)，而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。

7，什么是载流子的迁移率

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构. 二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关形影速度。

8，载流子迁移率的介绍

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构.二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关形影速度。

9，霍尔元件的主要技术参数

霍尔系数（又称霍尔常数）RH灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）额定激励电流最大允许激励电流输入电阻输出电阻温度系数不等位电势（又称霍尔偏移零点）输出电压电压输出比率寄生直流电势不等位电势电势温度系数仅从实际使用出发主要关心的是 1、2、3、9。

1. 霍尔系数（又称霍尔常数）rh2. 灵敏度kh（又称霍尔乘积灵敏度）3. 额定激励电流4. 最大允许激励电流5. 输入电阻6. 输出电阻7. 温度系数8. 不等位电势（又称霍尔偏移零点）9. 输出电压10. 电压输出比率11. 寄生直流电势12. 不等位电势13. 电势温度系数仅从实际使用出发主要关心的是 1、2、3、9。

霍尔元件的输出特性曲线　　①输入阻抗RIN:在规定的条件下，霍尔元件控制电流端子之间的阻抗。　　②输出阻抗RouT:在规定的条件下，霍尔元件霍尔电压产生端子之间的阻抗。　　③控制电流IC:流过霍尔元件控制电流端的电流，它与磁场相互作用产生霍尔电压。　　④不等位电势VO:霍尔元件在额定控制电流的作用下，若不给元件加外磁场，输出的霍尔电压的理想值应为零，但由于存在着电极的不对称以及材料电阻率不均衡等因素，霍尔元件会输出电压，该电压称为不等位电势。其值与输人电压和电流成正比。VO电压很小，一般不超过lmV。　　⑤灵敏度KH:在某一规定控制电流条件下，霍尔电压与磁感应强度的比值。　　⑥霍尔电压VH:由霍尔效应引起霍尔元件产生的电压。图所示是霍尔元件在恒流源和恒压源下的霍尔电压与磁通密度之间的典型曲线，即输出特性曲线。　　⑦霍尔电压的温度特性:当温度升高时，霍尔电压减少，呈现负温度特性

1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH 在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。 2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔最大允许激励电流以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。 6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输入电阻。 7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。 8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。 9、霍尔输出电压在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。 10、霍尔电压输出比率霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率 11、霍尔寄生直流电势在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。 12、霍尔不等位电势在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。 13、霍尔电势温度系数在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。14、热阻Rth霍尔元件工作时功耗每增加1W，霍尔元件升高的温度值称为它的热阻，它反映了元件散热的难易程度，单位为：摄氏度/whttp://baike.baidu.com/view/282539.htm

10，COMS门电路和TTL集成门电路外部结构的区别

集成电路的产生与晶体管和硅平面工艺的发明是分不开的。集成电路起源于半导体物理学和固态电子器件的研究。集成电路的发展，如高速电路、低功耗电路、高可靠、高集成度和高集成密度等电路方面的研究与半导体物理、固态电子器件的研究有着不可分的密切关系。与材料科学和晶体生长技术的关系固态器件和集成电路的发明、发展与材料科学、晶体生长技术有渊源关系。40年代，晶体管现象的发现是由于当时锗、硅单元素半导体材料的研究达到了相当高的水平。制备集成电路芯片要求高质量、大直径硅单晶。对硅单晶的纯度、位错、均匀性、含氧量、微缺陷等的研究，以及砷化镓材料和其他新材料的研究，都依赖于材料科学和晶体生长技术发展。与超纯化学的关系在集成电路制备过程中，如引入微量不需要的杂质，就会引起电路失效。在几十道制备工序中所用的超纯试剂、超纯气体、超纯水和感光胶等，无不有赖于超纯化学的研究成果。与光学、精密机械和电子、电工学的关系集成电路专用设备和专用仪器仪表，是研究和生产集成电路必不可少的手段，制备工艺采用微米、亚微米量级的微细加工技术，高精度、高真空、高气压下操作实验和程序控制、自动化等都须借助于设备、仪器仪表的研究和制造。与环境净化科学的关系集成电路需要在洁净的环境下进行研制和生产。例如，掩模制作技术、光刻技术等要求在100级、局部0级的超净环境下操作。集成电路进一步向超集成密度发展，制备的环境条件离不开环境净化科学。科学研究内容集成电路的研究和发展包括 6个方面的内容。设计和结构分析早期，中、小规模集成电路设计和掩模版制作多靠人工完成,进入大规模集成阶段后,人工设计必须借助集成电路计算机辅助设计，通过人机交互自动实现。①逻辑设计：对数字逻辑电路来说包括初步逻辑设计、逻辑综合、绘制出逻辑图、划分并列出接线表、产生自动测试图案和进行逻辑模拟，由计算机模拟输出。②电路设计：在逻辑设计之后进行，包括初步电路设计、单元布局、电路分析、建立电路元件数学模型和通过计算机进行电路模拟计算。③器件设计：根据器件中的杂质分布计算器件的电特性。④工艺设计：模拟工艺过程，根据工艺参数对器件、电路的电性能参数的影响,选择最佳工艺条件,必要时也可对电路设计、器件设计提出修改。⑤版图设计：根据电路分析模拟完成电路设计图，进行电路几何图形和版图设计，并由计算机辅助制版系统实现自动制版。⑥编制计算机辅助测试程序。为了完成上述各种模拟设计，需要建立标准单元库和模型参数库。计算机辅助设计新方法和手段的研究研究如何用好计算机进行辅助设计，建立新方法和新手段是设计和结构分析中的新课题。为集成电路设计提供的常用软件有：①逻辑设计方面的如逻辑检查程序、逻辑综合程序、自动设计 PLA程序和测试码自动产生程序等。它们用于研究逻辑简化、布尔代数关系检查、测试码的自动产生和逻辑电路自动设计；②电路设计方面的如电路模拟程序、时序模拟程序、混合模拟程序和器件模型参数的优化提取程序；③器件设计方面的如一维、二维和三维的器件模拟程序；④工艺设计方面的如工艺模拟程序；⑤统计分析和优化设计方面的有工艺统计模拟程序和电路容差分析程序；⑥版图设计方面的如交互式版图编辑程序、自动布局、布线程序和设计规则检查程序等。制备工艺和工艺物理集成电路制备工艺是在硅平面工艺基础上逐步发展起来的。每当工艺技术有了新的突破，集成电路性能就向新的水平推进一步。因此，新的制备工艺和工艺物理研究是一项重要的内容。现有的制备工艺包括单晶大圆片的切、磨、抛、清洗、合金化、扩散掺杂、离子注入掺杂、氧化、表面钝化、光刻曝光和微细刻蚀、蒸发、溅射、压焊、化学汽相淀积工艺、外延生长、隔离技术、自对准技术、金属互连工艺、亚微米微细加工工艺技术等。在制备工艺的不断发展过程中，在传统的高温工艺基础上提出了低温工艺，在化学腐蚀工艺方面提出了干法工艺、全离子工艺，从机械对准发展为自对准技术等。测试方法研究和测试手段随着集成电路进入超大规模集成和系统集成阶段，大规模集成电路测试已成为一个重要方面。超集成元件数量增加和功能齐全，测试项目和测试速度已非人工所能胜任，计算机辅助测试已成为必要手段，而计算机辅助测试中新方法的研究、新图形的产生都属于这方面的研究内容。集成电路从设计开始就必须同时进行测试方法的设计。可靠性和失效分析集成电路把传统的电子电路的焊接点减少到几十个焊点,使电路的可靠性大大提高。可靠性高是集成电路的特点之一。可靠性的研究包括：①集成电路产品按宏观统计量抽样进行例行试验。例行试验的每一项目是模仿使用集成电路产品时的客观现场环境、恶劣条件进行的。模拟项目有振动、谐振、机械冲击、例行加速、高低温循环、高温存储、盐雾、高压水汽、动态加电老化、氦质谱检漏、辐照、静电感应、寄生参量效应等试验。这些项目按集成电路类别和使用要求选择进行。②建立失效分析模型,对不合格的集成电路产品进行失效分析。从集成电路的设计、制备工艺、原材料、封装、测试和使用条件各个环节寻找失效原因，进行综合性研究。新集成电路的研制硅集成电路的研究已开拓了广阔领域，而全部采用硅制作集成电路的局面正在发生变化。①砷化镓的电子迁移率比硅的高4～5倍，寄生电容又可以做得小，电路的速度更高，如数字逻辑集成电路的速度可达10吉赫，而电路功耗仅为硅集成电路类同样产品的1/25～1/40。砷化镓与其他Ⅲ－Ⅴ族化合物材料结合，可望获得更高的电子迁移率，并可以和光电器件集成在同一衬底上,它比硅器件更耐高温和辐射。在77K低温下工作优于4K的约瑟夫逊结器件。这是未来超高速超大规模集成电路的研究方向之一。②高电子迁移率晶体管由砷化镓和镓、铝、砷结合而成，速度甚高，室温单门延迟已达10～20皮秒。③光集成电路和光存储器能利用光子片借助光传递信息。这种芯片对光、电信号都能处理，预计芯片面积更小，速度快，发热量小。光存储器组成光盘具有存储14兆字节以上的容量。④超晶格器件是利用分子束外延把近似100埃的InAs、AlSb、GeSb三层结构分别以原子层一层一层地外延生长制成的，能达到高集成度和高速度。⑤三维集成电路使硅集成电路从传统的平面结构，走向立体多层结构。可利用现有集成电路工艺制作多层、层间用绝缘层隔离，并立体互连的结构。人们已提出叠层高密度结构和叠层多功能结构两种电路模式，这两种模式正向智能集成电路方向发展。

故障

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