怎么看内存时序，求问大神内存时序在哪儿可以查看呀

1，求问大神内存时序在哪儿可以查看呀

用CPU-Z 看内存那部分下面就有时序了

求问大神内存时序在哪儿可以查看呀

2，关于内存时序

不会，只要频率一样就行！

频率一样就可以

关于内存时序

3，怎么查看电脑内存条生产日期

一般是去该品牌的官网，输入内存条上的SN码查询，即可知道生产出厂日期！或者下载CPU-Z 检测即可查看如果不会，也可以用鲁大师测试，也是可以检测出来的

怎么查看电脑内存条生产日期

4，内存时序问题如何选择

8-8-8-24的要快一些，超频的话来说这点点改变没有什么影响，如果选择的话选择8-8-8-24吧。

内存时序到底是什么意思？越大越好？还是越小越好呢？

首先你要了解的是这个基本问题 CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间” tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间” .tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期” 一般而言，数值越小，性能越好。过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。默认同频的内存时序相对较小的，一般来说体质较好，超频性能更强（只看参数，有极个别特殊情况除外）

5，用CPUZ看内存频率怎么有两个

1，打开CPU-z软件。2，单击内存或Memory即可看到内存条的实际运行频率。如下图：

cpu-z中检测的内存频率要x2才是你内存真实的频率。这个软件就是这样子的。

这个不是你实际的内存槽数量！是这个主板最多可以做成4个内存槽的！实际笔记本的生产商买来这个板子，不一定就要装4个插糟。这样测毫无意义！另外即使同一个品牌同一个型号，都有可能不一样。办法一就是打开看，办法二给厂家报序列号，可以查到。软件不可查。

133.3*4=533.这个内存实际就是DDR2 533内存嘛，这个133.3是533内存的真实频率，而533是一种称号，正常现象

cpuz里面显示的应该是你内存上SPD的参数，SPD是存储内存参数的，有点类似主板BIOS，你的内存可能就存储了133MHZ和142MHZ的运行频率下的各种响应时间参数。想看哪个是真的，要选择“内存”选项卡，里面的时序就是你目前内存运行的状态，其中就有频率。注：我所说的是针对CPUZ1.4汉化版而言。

6，下边有BOIS各项是什么意思呢

内存时序设置。如果你不超频，不需要更改这些。主要是在超频的时候，如果内存体质好，可以设置更高的频率和更低的时序，以达到更高的内存RAM性能如果买的是普通内存又想超频，内存跟不上外频的时候，内存时序设置，可以让内存与外频异步，达到光给CPU超频，内存频率降低的功能

你的U貌似没锁倍频，AMD的？

basic input/output system 的缩写，全称rom-bios，意思是只读存储器基本输入系统。事实上，它是一组被固化到计算机中、为计算机提供最低级最直接的硬件控制的一组程序。既然是“程序”，当然属于“软件”。但bios却又是不是一般的软件，形象地说，bios是连通软件程序和硬件设备之间的一座“桥梁”。一个“转换器”，负责解决硬件的即时要求，并按软件对硬件的操作要求具体执行。 coms，complementary metal oxide semiconductor的缩写。意思是互补金属氧化物半导体存储器。对！cmos是存储器，是目前绝大多数计算机中都使用的一种用电池供电的存储器（ram）。既为“存储器”，毫无疑问是“硬件”。那么，cmos这个“硬件”与bios这个“软件”到底有什么关系呢？首先，我们应该明确以下的三个概念： 1、在通常情况下，我们所说的bios设置其实指的是我们通过设置程序对硬件系统进行参数修改的这样一个过程。 2、rom，read-only memory 的缩写。意为只读存储器，其特点是只能读取、不能修改，且断电后仍能保持数据不丢失。启动方式是post（加电自检）。 3、ram，random access memory 的缩写。意为随机存储器，特点是可读写、可修改，加上cmos ram有机内电池供电，因此数据能长久保存。也正因如此，我们就：一、利用rom的特点，用它来放修改系统参数所需的设置程序，因为这一程序是可固定不变且不可或缺的。二、利用ram的特点，用来存放通过运行设置程序而改变的系统参数，使之随时读写，即改即用。所以，bios设置又叫做cmos参数设置。那么，bios在整个计算机系统中究竟起着一个什么样的作用呢？从功能上看，bios有以下三方面的作用： 1、自检及初始化程序； 2、硬件中断处理； 3、程序服务请求。目前，市场上主要的bios有ami bios和award bios两种。前者多见于286、386系统中，操作简便，工作可靠，但却在绿色节能系统普及时显得滞后；而后者则是586以上机型的首选，现在用得最多的是4.x版。由于产品差别，bios设置程序的进入方式也不一样：ami bios设置程序后，最好使用其本身的缺省设置，设置方法是：对ami bios，在操作界面中选择“auto configration with bios defaults（用bios缺省值自动设置）”；对于award bios则选择“load setup defaults（加载设置缺省值）”。最后简单概括一下，cmos是电脑主板上的一小块集成电路。里面储存的程序叫做bois，它是一个软件。它管理着电脑的各个硬件，比如电脑的时间就是由它决定。它是对电脑最基础的设定。现在的电脑买下一般不需要设定就能用。进入的方法是，如果是组装机都一样，在刚开机后不停的按del一会就进去了。当然这是笨办法，其实只有你看见下面最低一行有del高这显示的时候，按del就可以进去了，那里面不懂的话还是别改。

意思是内存时序模式：auto是自动，manual是手动模式。不了解的话最好选自动模式。CAS Latency（CL）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。tRCD：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围3-10。tRP：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。tRAS：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围5-20。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。tRTP：读取到预充电命令延迟，这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间延迟。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围3-15。tRFC：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围30-110。tWR：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围1-15。tRRD：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围1-7。tWTR：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围1-15。