晶体管输出，晶体管输出和继电器输出有什么区别

本文目录一览

1，晶体管输出和继电器输出有什么区别
2，晶体管的输入端和输出端输出的是什么是电子还是电流
3，晶体管输出与继电器输出的区别
4，什么是继电器输出双向晶闸管输出晶体管输出
5，PLC中晶体管输出与继电器输出有何异同
6，晶体三极管的输出特性指什么概念

1，晶体管输出和继电器输出有什么区别

你说的是晶体三极管吗，当然有区别，继电器是一个开关，小电流控制继电器的通断，晶体三极管也具备开关功能，除去速度的问题，晶体三极管还有放大的作用，就是控制晶体管的电流大小会影响晶体管输出电流的大小

晶体管输出和继电器输出有什么区别

2，晶体管的输入端和输出端输出的是什么是电子还是电流

1-晶体三极管的输入端b(基极)、e（发射极)、c(集电极）输出。2-半导体晶体三极管与玻壳电子管三极管相比它们各为：a半导体晶体三极管：电流控制元件。b玻壳电子管三极管：电压控制元件。下图是半导体晶体三极管以极小的基极I（电流）控制了较大的集电极I（电流）示意图：

你好！电子的流动形成电流。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

晶体管的输入端和输出端输出的是什么是电子还是电流

3，晶体管输出与继电器输出的区别

PLC晶体管输出响应快，可以用于高速输出，但是控制电磁阀等还是需要加中间继电器；继电器输出响应慢，但是可以省去外接继电器，接线简单。具体选用什么输出要视负载情况而定。晶体管主要用于定位控制，要用晶体的输出来发出脉冲。而继电器是不能用发出脉冲的，也就不能定位控制了。如果用继电器去控制定位伺服或是步进的话就还要加定位模块，经济上不划算。而用一个晶体管输出的就可以控制伺服等。就这么回事。虽然二者都是控制器件，但晶体管输入和输出没有电隔离，而继电器是电隔离的，在体积有限制的时候，响应时间要很短的时候，都往往采用晶体管控制，而在电压比较高，电流比较大，要注意人身安全时，往往用继电器……

晶体管输出与继电器输出的区别

4，什么是继电器输出双向晶闸管输出晶体管输出

这个是电路控制中的说法。在很多自动化设备中，电路最终都需要对一些执行部件（如电机、电磁铁）实施控制，电路对这些执行部件的控制可通过继电器、双向晶闸管、晶体管等开关器件进行，因此对于电路的输出端来说就有了与之对应的“继电器输出、双向晶闸管输出、晶体管输出”等类型。

继电器是机械隔离,耐压高,开关速度慢,能够直接驱动负载，适用于开关速度要求不高的场合.晶体管是开关速度快，寿命长，采用光电隔离，耐压比较小，驱动负载一般要加中间继电器，一般用在精确控制和开关频率高的场合。晶闸管的我没有见过，有的话应该和晶体管是一类的。

这个是电子式工业自动控制开关中的说法。

5，PLC中晶体管输出与继电器输出有何异同

PLC晶体管输出与继电器输出的异同：====================================1：输出：晶体管高速输出：如伺服／步进使用于动作频率高的输出：如温度PID控制，主要用在步进电机控制，也有伺服控制，还有电磁阀控制（阀动作频率高）。继电器是有触点输出速度慢。 2：使用寿命：继电器是机械元件所以有动作寿命，晶体管是电子元件，只有老化，没有使用次数限制。 3：电流：晶体管电流0.2A-0.3A 继电器2A。 4：电压：晶体管最大24V，继电器可以接220V 晶体管直流，继电器交流＋直流文章来源于 5：负载：用晶体管时，有时候要加其他东西来带动大负载（如继电器，固态继电器等）。继电器输出型：CPU驱动继电器线圈，令触点吸合，使外部电源通过闭合的触点驱动外部负载，其开路漏电流为零，响应时间慢（约10ms），可带较大的外部负载；晶体管输出型：CPU通过光耦合使晶体管通断，以控制外部直流负载，响应时间快（约0.2ms），可带外部负载小；可控硅输出型：CPU通过光耦合使三端双向可控硅通断，以控制外部交流负载,开路漏电流大,响应时间较快(约1ms)。

6，晶体三极管的输出特性指什么概念

三极管的输出特性是指当基极电流Ib一定时，集电极电流Ic与集-射极电压Uce之间的关系曲线。在不同的Ib下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区： (1)放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区,Ic＝Ib×β,由于在不同Ib下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使Ube>0，Ubc<0。 (2)截止区：Ib＝0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当Ube＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使Ube≤0V，此时发射结和集电结均处于反向偏置。 (3)饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时Ib的变化对Ic的影响较小，在饱和区，Uce＜Ube，发射结和集电结均处于正向偏置.

输出特性是针对输特性而言，指三极管输出极也就是UCE和IC之间的关系，一般用一组曲线表示，在线型放大区域UCE达到一定值后Ic不再随之变化，而是由IB控制。当IC达到一定值后使UCE

晶体三极管输出特性的基本概念是：当基极电流Ib固定在某一数值，改变集电极与发射极之间的电压Uce，则集电极电流Ic也作相应变化。这种在一定基极电流下，集电极与发射极之间的电压Uce与集电极电流Ic之间的对应关系称为输出特性。

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“v”或“vt”（旧文字符号为“q”、“gb”等）表示。晶体管是内部含有两个pn结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。一、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性分类按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗npn型晶体管、锗pnp晶体管、硅npn型晶体管和硅pnp型晶体管。（二）按结构及制造工艺分类晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。（三）按电流容量分类晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。（四）按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。（五）按封装结构分类晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。（六）按功能和用途分类晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。二、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率pcm，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过pcm值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率pcm小于1w的晶体管称为小功率晶体管，pcm等于或大于1w、小于5w的晶体管被称为中功率晶体管，将pcm等于或大于5w的晶体管称为大功率晶体管。（三）频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率ft和最高振荡频率fm等。 1．特征频率ft 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率ft小于或等于3mhz的晶体管称为低频管，将ft大于或等于30mhz的晶体管称为高频管，将ft大于3mhz、小于30mhz的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fm 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率ft则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。（四）集电极最大电流icm 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流ic超过icm时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。（五）最大反向电压最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用vceo或bvceo表示。 2．集电极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用vcbo或bvcbo表示。 3．发射极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用vebo或bvebo表示。（六）反向电流晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流icbo和集电极—发射极之间的反向击穿电流iceo。 1．集电极—基极之间的反向电流icbo icbo也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。icbo对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流iceo iceo是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“v”或“vt”（旧文字符号为“q”、“gb”等）表示。晶体管是内部含有两个pn结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。三极管详解半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个pn结构成的，而三极管由两个pn结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是npn型的三极管，另一种是pnp型的三极管。