宽禁带半导体，禁带宽度会影响到半导体发光波长吗禁宽越大那么波长越短吗搜

来源：整理时间：2023-08-19 06:11:04 编辑：智能门户手机版

本文目录一览

1，禁带宽度会影响到半导体发光波长吗禁宽越大那么波长越短吗搜
2，宽禁带半导体相对窄禁带版代替有哪些特殊性质
3，宽禁带半导体材料和器件毕业后干什么
4，MgO属于宽禁带半导体吗
5，碳化硅晶片的介绍
6，达人帮忙解释一下fermi level pinning

1，禁带宽度会影响到半导体发光波长吗禁宽越大那么波长越短吗搜

当然会，导带回满带的时候释放能量就是禁带宽度，越大频率越大，波长应该越小。

支持一下感觉挺不错的

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2，宽禁带半导体相对窄禁带版代替有哪些特殊性质

对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的自由电子，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态，即可取任何大小的能量；而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。

例如半导体si中的施主杂质原子as，它有四个价电子用于构成共价键，所多余的一个价电子仍然是受到该施主原子的束缚，这个电子的状态就是束缚状态，相应的能级即为束缚能级，是在导带底下面附近处（因为这个多余的一个价电子只要很小的能量即可激发到导带而变成载流子，故该束缚能级离导带底很近）。

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3，宽禁带半导体材料和器件毕业后干什么

碳化硅(sic)和氮化镓(gan)为代表的宽禁带半导体材料sic电力电子器件主要包括功率整流器(sbd、pin和jbs等)、单极型功率晶体管(mosfet、jfet和sit等)和双极犁载流子功率晶体管(bjt、igbt和gto等)。sic微波功率晶体管包括sic mesfet、sic bjt和sic sit等gan功率整流器主要包括sbd和pin二极管基于gan的功率开关器件主要包括a1gan／gan hemt(hfet)、gan mosfet和mis—hemt等结构。

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4，MgO属于宽禁带半导体吗

在半导体工业中,人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料,把砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料,而把氮化镓(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化锌（ZnO）为代表的半导体材料称为第三代半导体材料.由于这些材料的禁带宽度较Si、GaAs等材料更宽,因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件, 故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG)（通常指禁带宽度大于2 . 2电子伏特的半导体材料）,也称高温半导体材料。

5，碳化硅晶片的介绍

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能，具有与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数，不仅是制作高亮度发光二极管(HB-LED)的理想衬底材料，也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。

天科合达是国内最早从事碳化硅研究和生产的企业。北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果优势。是亚太地区碳化硅晶片制造的先行者。相关专利技术已被国内和国际授权。打破了国外碳化硅行业的垄断局面。

6，达人帮忙解释一下fermi level pinning

费米能级钉扎(Fermi Level Pinning) 是当前半导体科学和技术领域的一大热点。费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半导体。但是，若Fermi能级不能因为掺杂等而发生位置变化的话，那么就称这种情况为费米能级钉扎效应。在这种效应起作用的时候，往半导体中即使掺入很多的施主或者受主，但不能激活（即不能提供载流子），故也不能改变半导体的型号，也因此难于通过杂质补偿来制作出pn结。产生费米能级钉扎效应的原因，与材料的本性有关。宽禁带半导体（GaN、SiC等）就是一个典型的例子，这种半导体一般只能制备成n型或p型的半导体，掺杂不能改变其型号（即Fermi能级不能移动），故称为单极性半导体。一般，离子性较强的半导体（如Ⅱ-Ⅵ族半导体，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是单极性半导体。这主要是由于其中存在大量带电缺陷，使得费米能级被钉扎住所造成的。正因为如此，采用GaN来制作发兰光的二极管时，先前就遇到了很大的困难，后来通过特殊的退火措施才激活了掺入的施主或受主杂质，获得了pn结——制作出了发兰色光的二极管。非晶态半导体也往往存在费米能级钉扎效应。制作出的非晶态半导体多是高阻材料,Fermi能级不能因掺杂而移动，这也是由于其中有大量缺陷的关系。此外，半导体表面态密度较大时也往往造成费米能级钉扎效应。这在M-S系统和MOS系统中起着重要的作用。

不一样，杂质能级是引入的杂质构成的能级，对于p型半导体，杂质能级可能构成施主能级，介于费米能级和价带顶之间，而对于n型半导体，杂质能级为受主能级，介于费米能级和导带底之间。费米能级的物理意义是，该能级上的一个状态被电子占据的几率是1/2。