米勒平台，请教一下MOSFET的米勒电容是怎么回

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1，请教一下MOSFET的米勒电容是怎么回
2，MOSFET开通过程的米勒现象是怎么回事
3，mosfet三极管在实际应用过程中存在米勒效应吗
4，米勒电容对IGBT关断时间的影响
5，怎么样减小IGBT 的米勒电压
6，哥们米勒平台形成原因可否给解释一下谢谢了

1，请教一下MOSFET的米勒电容是怎么回

由于电容的充电效应，在充电过程中电容未充满，导致电流大部分流向电容，使g极电压无法升高到开通电压。

请教一下MOSFET的米勒电容是怎么回

2，MOSFET开通过程的米勒现象是怎么回事

MOSFET开通的过程其实就是向它的极间电容充电的过程，（1）刚开始的时候向（2）当Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平台电压之间时：Vds保持不变，Ids

MOSFET开通过程的米勒现象是怎么回事

3，mosfet三极管在实际应用过程中存在米勒效应吗

MOSFET是金属-氧化层-半导体-场效晶体管和三级管是两个东西！如果你问的是MOSFET的话是有米勒效应的。用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。原理的话，你看书吧。

mosfet三极管在实际应用过程中存在米勒效应吗

4，米勒电容对IGBT关断时间的影响

米勒电容使关断时存在米勒平台，米勒平台阶段产生开关损耗。电流还未开始降低，电压开始上升。米勒平台结束时，电压上升到接近母线电压但由于寄生电感存在电压会继续上升，而电流才刚开始下降。

这是igbt芯片本身的特性，在不改变pn节材料的情况下，改变不了这个特性

5，怎么样减小IGBT 的米勒电压

这是IGBT芯片本身的特性，在不改变PN节材料的情况下，改变不了这个特性

6，哥们米勒平台形成原因可否给解释一下谢谢了

1.弥勒效应是指MOSFET的D、G的极间电容Crss在开关动作期间引起的瞬态效应。这可以看成是一个电容负反馈，驱动前，Crss上是高电压，当驱动波形上升到门槛电压时，MOSFET导通，D极电压急剧下降，通过Crss拉低G脚驱动电压，如果驱动功率不足，将在驱动波形的上升沿门槛电压附近留下一个阶梯。或者2.在MOS导通的瞬间，会经过米勒效应区（可理解为放大区），输入电容Cgs=C1+C2,此时的C1不再是静态的电容，而是C1=Cdg(1+A),A是放大系数。当驱动电流（Ig=Cgs*dVds/dt）给Cgs充电时，由于米勒效应等效到输入端的电容会放大N倍，输入电容突然增大，所以导致了充电电压的一个平台，有时甚至会有一个下降尖峰趋势平台（如上图），而这个平台增加了MOS的导通时间，造成了我们通常所说的导通损耗。其实米勒效应描述的就是电子器件中输出和输入之间的电容反馈。

MOSFET开通的过程其实就是向它的极间电容充电的过程。（1）刚开始的时候向Ciss充电，当电压冲到Vth即开启电压前，Vds保持不变，Ids保持不变（2）当Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平台电压之间时：Vds保持不变，Ids电流开始上升，Vgs逐渐上升；（3）当Vgs达到米勒平台电压时（一般为5V左右）Ids电流已经达到开通时的大小，这时Vds开始下降，Vgs保持不变为平台电压5.5V，驱动电流几乎全部通过Cgd放电，Vds逐渐降低，最后达到导通时候的电压Ids*Rds(on)。（4）此时管子已经导通了，Vgs继续上升至驱动电压（一般是13，12V）；这时就是导通阻抗的变化了。

MOSFET开通的过程其实就是向它的极间电容充电的过程，（1）刚开始的时候向Ciss充电，当电压冲到Vth即开启电压前，Vds保持不变，Ids保持不变（2）当Vgs在Vth（一般是2V左右）和米勒平台电压之间时：Vds保持不变，Ids电流开始上升，Vgs逐渐上升；（3）当Vgs达到米勒平台电压时（一般为5V左右）Ids电流已经达到开通时的大小，这时Vds开始下降，Vgs保持不变为平台电压5.5V，驱动电流几乎全部通过Cgd放电，Vds逐渐降低，最后达到导通时候的电压Ids*Rds(on)。（4）此时管子已经导通了，Vgs继续上升至驱动电压（一般是13，12V）；这时就是导通阻抗的变化了。