mmbt4403，横着写的14 买回来了2T1对么可以用s9012替换mmbt4403吗

来源：整理时间：2023-09-02 01:26:19 编辑：智能门户手机版

本文目录一览

1，横着写的14 买回来了2T1对么可以用s9012替换mmbt4403吗
2，MMBT4403LT1G贴片三极管用什么丝印的贴片三极管可以替代求大
3，创维液晶电视电源板上2T是什么型号的三极管
4，创维液晶电视电源板上2t贴片三极管是什么型号
5，用什么三极管可以代换MMBT4401用什么三极管可以代换MMBT
6，MMBT4401是贴片三极管改用直插式用什么管代替

1，横着写的14 买回来了2T1对么可以用s9012替换mmbt4403吗

应该不能吧。

s9012的集电极最大电流（500mA）略小于mmbt4403（600mA），其他主要指标也接近，大概可以替换。

横着写的14 买回来了2T1对么可以用s9012替换mmbt4403吗

2，MMBT4403LT1G贴片三极管用什么丝印的贴片三极管可以替代求大

ON/LRC 型号 MMBT4403LT1G 封装形式贴片型营销方式现货结构点接触型封装材料塑料封装供应商类型经销商装配方式有引线表面组装 ...

我是来看评论的

MMBT4403LT1G贴片三极管用什么丝印的贴片三极管可以替代求大

3，创维液晶电视电源板上2T是什么型号的三极管

MMBT4403LT1 PNP三极管 -40V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -750mV/-0.75V SOT-23/SC-59 marking/标记 2Thttp://www.1688eric.com/product.aspx?id=370077

收购几块坏屏的的机器就上门都有了。这种电源如果不是雷击故障率低的很

创维液晶电视电源板上2T是什么型号的三极管

4，创维液晶电视电源板上2t贴片三极管是什么型号

http://www.1688eric.com/product.aspx?id=370077MMBT4403LT1 PNP三极管 -40V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -750mV/-0.75V SOT-23/SC-59 marking/标记 2T

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5，用什么三极管可以代换MMBT4401用什么三极管可以代换MMBT

MMBT4401是SOT23封装的NPN三极管，其最大功率是350mw,最大电流600ma,耐压40V.

MMBT4401是硅PNP管，150伏0.5安培，1瓦。用BFT19,2N5415代替。MMBT4403是250伏，0.5安培，1瓦。用BF19，2N5416代替。　　名词解释　　三极管　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。　　工作原理　　理论原理　　晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，(其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

MMBT4401是硅PNP管，150伏0.5安培，1瓦。用BFT19,2N5415代替。MMBT4403是250伏，0.5安培，1瓦。用BF19，2N5416代替。

6，MMBT4401是贴片三极管改用直插式用什么管代替

可以使用 9014 , 2N3904进行代替。贴片三极管基本作用是放大，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是贴片三极管的放大作用。三极管还可以作电子开关，以及配合其它电子元件还可以构成振荡器等。在代换时，必须了解清楚原管子(或要求的管子)的性能(是通用三极管、是开关三极管等)、结构(如达林顿管、带阻贴片三极管、组合贴片三极管)或有特殊要求(如高反压、低噪声等)及-些主要参数然后从手册(或公司数据手册)找同一性能、功能、结构及参数相似的进行试验或代换，另外，要注意的是工作频率(是MF段、HF段、VHF段或UHF段等).选用的要满足工作频率的要求。

2N4401你是否在维修中遇到一些元件，上面就是几个字母和数字，查也查不到，用什么代用也没底，如果遇到这类问题，可以联系我，专业贴片元器件

mmbt4401是硅pnp管，150伏0.5安培，1瓦。用bft19,2n5415代替。mmbt4403是250伏，0.5安培，1瓦。用bf19，2n5416代替。名词解释三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。工作原理理论原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有npn和pnp两种结构形式，但使用最多的是硅npn和锗pnp两种三极管，(其中，n表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍npn硅管的电流放大原理。对于npn管，它是由2块n型半导体中间夹着一块p型半导体所组成，发射区与基区之间形成的pn结称为发射结,而集电区与基区形成的pn结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (emitter)、基极b (base)和集电极c (collector)。如右图所示当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而c点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源ec要高于基极电源eb。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源eb重新补给，从而形成了基极电流ibo.根据电流连续性原理得: ie=ib+ic 这就是说，在基极补充一个很小的ib，就可以在集电极上得到一个较大的ic，这就是所谓电流放大作用，ic与ib是维持一定的比例关系，即: β1=ic/ib 式中:β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△ic与基极电流的变化量△ib之比为: β= △ic/△ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。放大原理 1、发射区向基区发射电子电源ub经过电阻rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。