硅化物，硅化物是不是硅在右sic是硅化物还是碳化物

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1，硅化物是不是硅在右sic是硅化物还是碳化物
2，征求常见硅化物的性质
3，请简单介绍金属硅化物特性及主要用途谢谢
4，请教金属硅化物的问题
5，硅化物的集成电路中的金属硅化物2
6，si 的颜色状态气味密度毒性植被化学性质分别是什么搜

1，硅化物是不是硅在右sic是硅化物还是碳化物

硅化物一般硅在右SiC是共价型碳化物共价型碳化物：主要是硅和硼的碳化物，如碳化硅和碳化硼（见硼）。在这些碳化物中，碳原子与硅、硼原子以共价键结合，属原子晶体。它们具有高硬度、高熔点和化学性质稳定的特点。

硅化物是不是硅在右sic是硅化物还是碳化物

2，征求常见硅化物的性质

常见石英砂的主要成份就是二氧化硅。其高温也以熔化。可以用其制造玻璃。有一种玻璃就是用纯石英砂熔化而成的。所以自然界中的二氧化硅的透明的。是砂子中的所含成份。

物理性质：银白色有金属光泽导电性、延展性、导热性一般是固态汞例外化学：还原性

征求常见硅化物的性质

3，请简单介绍金属硅化物特性及主要用途谢谢

金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如硅化钛、硅化锆、硅化钽、硅化钨等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。

请简单介绍金属硅化物特性及主要用途谢谢

4，请教金属硅化物的问题

SBD就是为了阻止不让形成硅化物的地方实现mask，其实关于Ti氧化层的去除，可以参考后段Al刻蚀的菜单，一般我们采用三明治结构的AL,在Al的上下镀一层TiN （ARC)，去除表面氧化层，用的是氯气

最近一直在做这方面的试验,现在有结果了,但这个属于机密,不能泄露.

我这边没有Cl气干法刻蚀的机器，但是我在网上查过，CF4可以刻蚀TiO2，但是也会刻蚀TiSi2，有没有人尝试过呢？如果用APM好像也会刻蚀TiSi2，如果只用SPM（H2SO4 H2O2）可不可以，时间温度如何控制呢？我希望的是将上面一层TiO2能去除，又不能刻蚀到TiSi2。

APM和SPM湿法去除金属等的配比的混合液具体什么自己查吧其实在工艺里面，我们一般会在0.2um以下在poly上淀积TI或者Co，之后就是ARC和ILD1的沉积。至于一般看是否刻蚀完全，我们肯定要知道它的刻蚀速率，而且干法腐蚀一般都会多刻蚀一点(OE)一般可以测厚度开是否刻蚀干净，但是这里表面的自然氧化层肯定会刻蚀完的

谢谢楼上的！请问，Al上下镀TiN，在合金的时候下层的TiN合金时，会生成什么，生成的氮化物会对势垒高度有影响吗？ARC是什么？用氯气刻，是干法刻蚀的意思吗？谢谢

谢谢楼上的热心人！但是我这现在不具备干法刻蚀的机器。4楼的人说用APM SPM可以去除，具体我不太明白。我要去除合金后表面的TiO2，留下硅化物TiSi2。网上查，APM会去除TiSi2。那我怎样湿法去除TiO2？时间和温度如何控制呢？

5，硅化物的集成电路中的金属硅化物2

钛硅化物TiSi2：钛硅化物TiSi2因具有工艺简单、高温稳定性好等优点，被最早广泛应用于0.25微米以上MOS技术。其工艺是首先采用诸如物理溅射等方法将Ti金属沉积在晶片上，然后经过稍低温度的第一次退火（600～700℃），得到高阻的中间相C49，然后再经过温度稍高的第二次退火（800～900℃）使C49相转变成最终需要的低阻C54相。对于钛硅化物而言，最大的挑战在TiSi2的线宽效应。即TiSi2电阻会随着线宽或接触面积的减小而增加。原因是当线宽变得过窄时，从C49相到C54相的相变过程会由原先的二维模式转变成一维模式，这使得相变的温度和时间将大大增加。而过高的退火温度会使主要的扩散元素Si扩散加剧而造成漏电甚至短路的问题。因此随着MOS尺寸的不断变小，会出现TiSi2相变不充分而使接触电阻增加的现象。钴硅化物CoSi2：钴硅化物作为钛硅化物的替代品最先被应用于从0.18微米到90纳米技术节点，其主要原因在于它在该尺寸条件下没有出现线宽效应。另外，钴硅化物形成过程中的退火温度相比于钛硅化物有所降低，有利于工艺热预算的降低。同时由于桥通(bridge)造成的漏电和短路也得到改善。虽然在90纳米及其以上尺寸，从高阻的 CoSi到低阻的CoSi2的成核过程还十分迅速，在CoSi2相变过程中没有出现线宽效应。但当技术向前推进到45纳米以下时，这种相变成核过程会受到极大的限制，因此线宽效应将会出现。另外，随着有源区掺杂深度不断变浅，钴硅化物形成过程中对表面高掺杂硅的过度消耗也变得不能满足先进制程的要求。MOS进入45纳米以后，由于短沟道效应(short channel effect)的影响对硅化物过程中热预算提出了更高的要求。CoSi2的第二次退火温度通常还在700℃以上，因此必须寻找更具热预算优势的替代品。镍硅化物NiSi：对于45纳米及其以下技术节点的半导体制程，镍硅化物（NiSi）正成为接触应用上的选择材料。相对于之前的钛钴硅化物而言, 镍硅化物具有一系列独特的优势。镍硅化物仍然沿用之前硅化物类似的两步退火工艺，但是退火温度有了明显降低(<600oC), 这样就大大减少对器件已形成的超浅结的破坏。从扩散动力学的角度来说，较短的退火时间可以有效地抑制离子扩散。因此，尖峰退火（spike anneal）越来越被用于镍硅化物的第一次退火过程。该退火只有升降温过程而没有保温过程，因此能大大限制已掺杂离子在硅化物形成过程中的扩散。

6，si 的颜色状态气味密度毒性植被化学性质分别是什么搜

有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。元素分区p区密度2328.3 kg/m3常见化合价+4,硬度6.5,弹性模190GPa（有些文献中为这个值）,密度2.33g/cm3（18℃）熔点687K（1414℃）[10] 沸点3173K（2900℃）[10] 原子核外电子排布：1s2 2s22p6 3s23p2；晶胞类型：立方金刚石型；[11] 晶胞参数：20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm；颜色和外表：深灰色、带蓝色调；采用纳米压入法测得单晶硅（100）的E为140～150GPa；电导率：硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。电负性1.90（鲍林标度）[10] 热导率148 W/（m·K）[10] 2.有三种天然的稳定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。[2] 3.硅（原子质量单位： 28.0855，共有23种同位素，其中有3种同位素是稳定的。化学性质Si的热力学数据（来源于JANAF表格）[12]硅有明显的非金属特性，可以溶于碱金属氢氧化物溶液中，产生（偏）硅酸盐和氢气。[13] 硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序数为Z=14，核外有14个电子。电子在原子核外，按能级由低硅原子到高，由里到外，层层环绕，这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。正因为硅原子有如此结构，所以有其一些特殊的性质：最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构，这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合，由于共价键比较结实，硅具有较高的熔点和密度；化学性质比较稳定，常温下很难与其他物质（除氟化氢和碱液以外）发生反应；硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。[9] 加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成相应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能发生作用。[10] 分类：纯净物、单质、非金属单质。（1）与单质反应：Si + O? == SiO?，条件：加热Si + 2F? == SiF?Si + 2Cl? == SiCl?，条件：高温（2）高温真空条件下可以与某些氧化物反应：2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO?（硅热还原法炼镁）（3）与酸反应：只与氢氟酸反应：Si + 4HF == SiF?↑ + 2H?↑（4）与碱反应：Si + 2OH-+ H?O == SiO?2-+ 2H?↑（如NaOH，KOH）

有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。元素分区p区密度2328.3 kg/m3常见化合价+4硬度6.5地壳含量25.7% 弹性模190GPa（有些文献中为这个值）密度2.33g/cm3（18℃）熔点687K（1414℃）[10] 沸点3173K（2900℃）[10] 原子核外电子排布：1s2 2s22p6 3s23p2；晶胞类型：立方金刚石型；[11] 晶胞参数：20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm；颜色和外表：深灰色、带蓝色调；采用纳米压入法测得单晶硅（100）的E为140～150GPa；电导率：硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。电负性1.90（鲍林标度）[10] 热导率148 W/（m·K）[10] 2.有三种天然的稳定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。[2] 3.硅（原子质量单位： 28.0855，共有23种同位素，其中有3种同位素是稳定的。化学性质Si的热力学数据（来源于JANAF表格）[12]硅有明显的非金属特性，可以溶于碱金属氢氧化物溶液中，产生（偏）硅酸盐和氢气。[13] 硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序数为Z=14，核外有14个电子。电子在原子核外，按能级由低硅原子到高，由里到外，层层环绕，这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。正因为硅原子有如此结构，所以有其一些特殊的性质：最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构，这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合，由于共价键比较结实，硅具有较高的熔点和密度；化学性质比较稳定，常温下很难与其他物质（除氟化氢和碱液以外）发生反应；硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。[9] 加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成相应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能发生作用。[10] 分类：纯净物、单质、非金属单质。（1）与单质反应：Si + O? == SiO?，条件：加热Si + 2F? == SiF?Si + 2Cl? == SiCl?，条件：高温（2）高温真空条件下可以与某些氧化物反应：2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO?（硅热还原法炼镁）（3）与酸反应：只与氢氟酸反应：Si + 4HF == SiF?↑ + 2H?↑（4）与碱反应：Si + 2OH-+ H?O == SiO?2-+ 2H?↑（如NaOH，KOH）注意：硅、铝是既能和酸反应，又能和碱反应，放出氢气的单质。