混合集成电路，混合集成电路混合集成电路是什么意思

本文目录一览

1，混合集成电路混合集成电路是什么意思
2，数模混合集成电路有什么用
3，模拟混合信号集成电路学什么
4，混合集成电路的基本工艺
5，混合微波集成电路是什么
6，混合集成电路

1，混合集成电路混合集成电路是什么意思

就是模拟集成电路和数字集成电路、控制电路和功率电路做在一起的集成电路。

混合集成电路混合集成电路是什么意思

2，数模混合集成电路有什么用

既能处理数字逻辑电路，又能解决模拟问题。比如单片机，一般都是数字电路，但是片内ADC就属于模拟部分。

联系：都是集成电路设计，特别是soc一般是数字逻辑设计，而模数混合包括数集的设计。且在现代集成电路设计中，都有大量ip核可以参考。区别：soc偏向于一个整体，面向的是系统，一般用硬件语言描述即可，且一般不涉及模拟部分。而模数混合更加偏向底层，需要详细做电路的设计，而且不仅是用硬件描述语言做描述，仿真方法与soc也不尽相同。

数模混合集成电路有什么用

3，模拟混合信号集成电路学什么

信号学科：信号与系统，离散信号处理，通信原理数字电路部分：数字电路基础，VLSI，VERILOG或者VHDL语言模拟电路部分：电路分析，模拟电路基础，模拟CMOS集成电路设计，模拟版图的艺术工艺部分：半导体物理，微电子器件，半导体工艺与制造软件部分：MODELSIM, HSPICE,CADENCE, MATLAB, etc PS:兴趣是最好的老师。祝成功

混合信号电路最典型的代表是DAC和ADC，即集成电路内同时有数字电路和模拟电路。

模拟混合信号集成电路学什么

4，混合集成电路的基本工艺

为便于自动化生产和在电子设备中紧密组装，混合集成电路的制造采用标准化的绝缘基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可将一个或几个功能电路制作在一块基片上。制作过程是先在基片上制造膜式无源元件和互连线，形成无源网络，然后安装上半导体器件或半导体集成电路芯片。膜式无源网络用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工艺顺序，制造出具有各种不同形状和宽度的导体、半导体和介质膜。把这些膜层相互组合，构成各种电子元件和互连线。在基片上制作好整个电路以后，焊上引出导线,需要时,再在电路上涂覆保护层，最后用外壳密封即成为一个混合集成电路。

前端主要工艺步骤：扩散、离子注入、热处理、光刻、淀积、金属化、化学机械抛光(cmp)、溅射等后端步骤（按顺序）：来料检查、清洗、贴膜、磨片、卸膜、贴片、划片、划片检测、装片、键合、键合检验、塑封、后烘、电镀、打标、切筋打弯、切筋检验、包装、品质检验、产品出货掺杂是为了改变材料局域的电阻率，用于形成有源区、源漏、p阱和n阱，以及掺杂多晶硅栅极。 mos器件用(100)面，bipolar用(111)面。不过大功率器件一般用原子最密排的(111)面，

5，混合微波集成电路是什么

混合微波集成电路(HMIC)是MACOM开发的一项复杂技术，该技术可将两种不同的材料（玻璃和硅）组合成单一的单片结构。这项技术能够融合每种材料的最佳性质，从而有助于实现具有尺寸和成本优势的单片电路解决方案。HMIC应视为GaAs和硅MMIC技术的辅助技术。HMIC侧重于使用自动批处理制造和测试技术为高性能微波集成电路生产具有小尺寸和低损耗特点的电阻、电抗和集总元件。这项技术适用于晶圆级制造，既能有效突破尺寸、成本和性能限制，还可以显著提高传统二极管、有源、无源、混合及芯片细线微波电路的可靠性和可重复性。1、高性价比2、提高了可靠性和可重复性3、可实现宽带性能4、使制造更灵活5、同时利用玻璃和硅的优良性质：玻璃 - 低介电常数和高频损耗正切；硅 - 高导热性和低电阻主要应用：CATV和有线宽带、无线回程、工业、科学和医疗、测试和测量、芯片细线高频微波应用

集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。混合微波集成电路(hmic)是macom开发的一项复杂技术，该技术可将两种不同的材料（玻璃和硅）组合成单一的单片结构。这项技术能够融合每种材料的最佳性质，从而有助于实现具有尺寸和成本优势的单片电路解决方案。hmic应视为gaas和硅mmic技术的辅助技术。hmic侧重于使用自动批处理制造和测试技术为高性能微波集成电路生产具有小尺寸和低损耗特点的电阻、电抗和集总元件。这项技术适用于晶圆级制造，既能有效突破尺寸、成本和性能限制，还可以显著提高传统二极管、有源、无源、混合及芯片细线微波电路的可靠性和可重复性。

6，混合集成电路

混合集成电路:混合集成电路是由半导体集成工艺与薄（厚）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。与分立元件电路相比，混合集成电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好等特点。相对于单片集成电路，它设计灵活，工艺方便，便于多品种小批量生产；并且元件参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压和较大功率。电路特点:混合集成电路是将一个电路中所有元件的功能部分集中在一个基片上，能基本上消除电子元件中的辅助部分和各元件间的装配空隙和焊点，因而能提高电子设备的装配密度和可靠性。由于这个结构特点，混合集成电路可当作分布参数网络，具有分立元件网路难以达到的电性能。混合集成电路的另一个特点，是改变导体、半导体和介质三种膜的序列、厚度、面积、形状和性质以及它们的引出位置得到具有不同性能的无源网路。电路种类:制造混合集成电路常用的成膜技术有两种：网印烧结和真空制膜。用前一种技术制造的膜称为厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一种技术制造的膜称为薄膜，厚度从几百到几千埃。若混合集成电路的无源网路是厚膜网路，即称为厚膜混合集成电路；若是薄膜网路，则称为薄膜混合集成电路。为了满足微波电路小型化、集成化的要求，又有微波混合集成电路。这种电路按元件参数的集中和分布情况，又分为集中参数和分布参数微波混合集成电路。集中参数电路在结构上与一般的厚薄膜混合集成电路相同，只是在元件尺寸精度上要求较高。而分布参数电路则不同，它的无源网路不是由外观上可分辨的电子元件构成，而是全部由微带线构成。对微带线的尺寸精度要求较高，所以主要用薄膜技术制造分布参数微波混合集成电路。基本工艺:为便于自动化生产和在电子设备中紧密组装，混合集成电路的制造采用标准化的绝缘基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可将一个或几个功能电路制作在一块基片上。制作过程是先在基片上制造膜式无源元件和互连线，形成无源网络，然后安装上半导体器件或半导体集成电路芯片。膜式无源网络用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工艺顺序，制造出具有各种不同形状和宽度的导体、半导体和介质膜。把这些膜层相互组合，构成各种电子元件和互连线。在基片上制作好整个电路以后，焊上引出导线,需要时,再在电路上涂覆保护层，最后用外壳密封即成为一个混合集成电路。