单结，什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢

本文目录一览

1，什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢
2，单结晶体管有什么作用是怎样工作的
3，什么是单结晶体管为什么他可以用于单向晶闸管的触发电路
4，单结晶体管有哪些特点
5，什么叫单结晶体管又称基极二极管
6，什么是单结晶体管有什么特性详解41 42

1，什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢

单结晶体管现在用的很少了，20年前可是个好东西，主要用于：可控硅触发，和产生震荡信号。

什么是单结晶体管它有什么特殊性能呢

2，单结晶体管有什么作用是怎样工作的

二极管就是最常用的单结型晶体管，没有二极管，你想吧，首先，交流电无法变成直流电，需要单向导电的地方都实现不了。不能提供稳定的电压基准，不能检波。。。。。。

单结晶体管有什么作用是怎样工作的

3，什么是单结晶体管为什么他可以用于单向晶闸管的触发电路

单结晶体管也叫做双基极二极管，两个基极一个连接电源一个接地通过电阻具有一定分压比当电容充电到一定程度通过发射结放电形成触发可控硅的电压。

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什么是单结晶体管为什么他可以用于单向晶闸管的触发电路

4，单结晶体管有哪些特点

1、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就恢复截止。　　2、单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比有关。而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。对于分压比不同的管子，或者外加电压UBB的数值不同时，峰值电压UP也就不同。　　3、不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。在触发电路中，常选用稍大一些、UV低一些和IV大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。立创商城提供

单结晶体管记得叫做双基极晶体管，两个基极间具有一定阻值，当发射结电压高到预设分压比就会向第一基极放电作为输出脉冲。这个晶体管通常作为可控硅的触发脉冲的产生电路。具体使用方法需要查阅比较早期的晶体管手册。用它所连接的振荡器可以作为各种尖脉冲发生器。

5，什么叫单结晶体管又称基极二极管

它只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极。当基极B1和B2之间加上电压时，电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。

单结晶体管又叫双基极二极管，他的主要特点就是具有负阻特性，所以我认为应该是正确的。

6，什么是单结晶体管有什么特性详解41 42

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图所示。单结晶体管的特性：从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为： VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb 式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2（1）当Ve＜η Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。（2）当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb （3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。

单结晶体管有一个负阻特性区，由它组成的触发电路具有脉冲前沿陡，可以移相等特性。