igbt模块，IGBT是什么器件

本文目录一览

1，IGBT是什么器件
2，IGBT模块的原理是什么
3，IGBT IGBT模块是什么
4，IGBT具体怎么工作
5，IGBT模块是什么东西有什么用
6，IGBT模块与IGBT单管有什么不同

1，IGBT是什么器件

IGBT 我们一般称其为“电力电子模块”

IGBT是什么器件

2，IGBT模块的原理是什么

是把需要数量IGBT单元组合到一个共同的绝缘基底上边，这样有利于减小绝缘和散热系统的安装和制作。一些性能更好的还把各个IGBT的驱动系统共同制作在里边，这样驱动信号只需考虑时序，不必注意电位的配合。

IGBT模块的原理是什么

3，IGBT IGBT模块是什么

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,http://baike.baidu.com/view/115175.html?wtp=tt

igbt模块：从功能上简单说就是实现逆变，把直流电转换成可用的交流电。现在好多节能减排的产品都有用到，像变频器，逆变电源等！

三极管组成的逆变器

楼上提供的链接比较详尽。

IGBT IGBT模块是什么

4，IGBT具体怎么工作

IGBT模块控制电路工作原理 1、PCB1板（主控制板） IGBT逆变模块控制信号由脉宽调制电路（PCM+PFM）输两路脉冲波周期 50微秒脉宽调序相差180度若用万用表DVC档测量测直流电压值 2、PCB2板（驱板） IGBT逆变模块驱信号驱电路产四路（全桥）相互隔离驱信号周期、脉宽、序受PCB1控制别驱四IGBT单元导通截止用万用表DCV档测量先测负电位延再测于负电位电压值注意：能用双通道示波器同测量两路驱信号 3、IGBT模块逆变电路 IGBT模块与主变压器构逆变电路由滤波直流电经控制信号使IGBT模块内部功率场效应管交替导通工作逆变输交流电（20KHZ）主变压器降压边输高频电压（70V）交流电再经续整流电路变 70V左右直流电电路故障请重点检查IGBT性能及否击穿损坏及PCB3板铜箔线没腐蚀、烧断希望能看懂并采纳 ***** 到论坛,精华贴对你更有帮助的.车爸爸就是力量---->

5，IGBT模块是什么东西有什么用

IGBT　　什么是 IGBT 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 http://baike.baidu.com/view/115175.html

绝缘栅双极型晶体管,...平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装参考资料： http://baike.baidu.com/view/115175.htm

6，IGBT模块与IGBT单管有什么不同

IGBT单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下;mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大。以金属-氧化物-半导体（mos）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路mos管的source和drain是可以对调的，载流密度大igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度小，这个两个区是一样的。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体，但驱动电流较大