肖特基势垒，肖特基势垒高度为什么会低于PN结势垒高度

来源：整理时间：2023-08-28 07:18:35 编辑：智能门户手机版

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1，肖特基势垒高度为什么会低于PN结势垒高度
2，什么是肖脱基效应
3，什么是肖特基势垒
4，肖特基势垒的优点
5，肖特基箝位是什么
6，肖特基势垒二极管和普通二极管有什么区别

1，肖特基势垒高度为什么会低于PN结势垒高度

肖特基二极管是以金属为正极，N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒，从而具有整流特性的金属-半导体器件。因此它不是P-N结，而是金属-N结。由于金属导体内部有大量的导电电子，使得金属的费米能级低于半导体的费米能级，所以当金属与半导体接触时，形成的势垒高度低于PN结势垒高度，势垒高度低的外在表现为正向导通压降小，因而损耗小。

肖特基势垒高度为什么会低于PN结势垒高度

2，什么是肖脱基效应

肖特基效应可能指华特·肖特基的一些不同方面的贡献：热电子辐射（Thermionic emission，又称热离子辐射）中的肖特基辐射（Schottky emission）效应 .肖特基效应：电子从物质内部（被原子核束缚的状态）逃离到表面所需的能量称为脱出功。两种物质的脱出功不同，那么电子就不能从脱出功大的物质自由地跑到脱出功小的物质。所需外加能量为两个脱出功之差，也称为肖特基势垒。

什么是肖脱基效应

3，什么是肖特基势垒

金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致.

什么是肖特基势垒

4，肖特基势垒的优点

由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体结，适合用于二极管。肖特基势垒与pn结最大的区别是其典型的低结电压，减小金属的(几乎不存在)耗尽区宽度。但并不是所有的有整流特性的金属-半导体结都是肖特基势垒. 金属-半导体结没有整流特性的叫做欧姆接触.。整流属性取决于金属的功函、固有半导体的带隙，以及类型和半导体的掺杂浓度。

5，肖特基箝位是什么

肖特基箝位晶体管，Schottky-clamped transistor （SCT）：SCT是在n-p-n晶体管的基极与集电极之间加接有一个SBD（Schottky 势垒二极管）的BJT。其优点就是使得当BJT进入饱和状态时，其集电结电压Vbc被箝位在SBD的导通电压（≈0.45V）上，从而避免了BJT进入深饱和状态，减小了超量少子存储电荷，则可减短BJT开关过程中的存储时间（可缩短1个数量级），导致集成电路中的信号传输延迟时间大大减短（延迟时间可降低到2~4ns，延迟时间与功耗的乘积大约可降低一半），结果可提高集成电路的工作速度。SCT是制作高速数字集成电路的基本器件。

特基效应：电子从物质内部（被原子核束缚的状态）逃离到表面所需的能量称为脱出功。两种物质的脱出功不同，那么电子就不能从脱出功大的物质自由地跑到脱出功小的物质。所需外加能量为两个脱出功之差，也称为肖特基势垒。

6，肖特基势垒二极管和普通二极管有什么区别

　　肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）；正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管（比如开关电源次极整流二极管），续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。http://baike.soso.com/v55469.htm?pid=baike.box二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。http://baike.baidu.com/view/1016.htm