本征半导体，什么是本征半导体和杂质半导体

本文目录一览

1，什么是本征半导体和杂质半导体
2，本征半导体到底能不能导电
3，什么是本征半导体什么是杂质半导体N型P型
4，本征半导体导电与P型半导体导电有何不同若都是电子连续不断填
5，什么叫做本征半导体
6，什么是本征半导体

1，什么是本征半导体和杂质半导体

纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。

什么是本征半导体和杂质半导体

2，本征半导体到底能不能导电

本征半导体，就是半导体，也就是导电能力介于导体和绝缘体之间。那么电压不是很大的时候不导电。本征半导体对应掺杂半导体（n型p型），掺杂了就导电，跟导体能力差不多。

本征半导体到底能不能导电

3，什么是本征半导体什么是杂质半导体N型P型

本征半导体是非常纯净不含杂质的半导体晶体，而在单晶半导体内，原子按晶体结构排列得非常整齐。杂质半导体就是掺入微量元素的本征半导体，例：N型掺入五价元素磷，P型掺入三价元素硼。

什么是本征半导体什么是杂质半导体N型P型

4，本征半导体导电与P型半导体导电有何不同若都是电子连续不断填

本征半导体几乎是不导电的，而参杂后的P型半导体是导电的。因此，从导电性的角度看，他们有着本质的不同。本征半导体因为原子核对周边电子有很强的引力，并且院子间相互共价的引力也很大，因此几乎不导电。而掺杂后的P型半导体，会因为空穴增多，使得其导电能力大大增加。且空穴扩散流动和漂移电子复合同时进行，所以，其间差别很大。

P型半导体，是空穴导电本征半导体，是电子和空穴导电再看看别人怎么说的。

5，什么叫做本征半导体

顾名思义：导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。半导体的分类，按照其制造技术可以分为：分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 [编辑本段]半导体定义电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成...

本征半导体[1]（intrinsic semiconductor)）完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

6，什么是本征半导体

本征半导体（intrinsic semiconductor)）完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

当半导体的温度降低（例如室温300oK）或遭到光照等内界因素的影响，某些共价键中的价电子取得了足够的能量，足以摆脱共价键的约束，跃迁到导带，成为自在电子，同时在共价键中留下雷同数量的空穴，如图（http://www.tftcn.com/a/bandaoti/2010/0918/114.html）所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的电荷量雷同。把热激起发生的这种跃迁历程称为本征激起。显然，本征激起所发生的自在电子和空穴数目是雷同的。因为空穴的存在，邻近共价键中的价电子很轻易跳过来弥补这个空穴，从而使空穴转移到邻近的共价键中去，然后，新的空穴又被其相邻的价电子弥补，这一历程连续上来，就相称于空穴在静止。带负电荷的价电子顺次弥补空穴的静止与带正电荷的粒子作反方向静止的后果雷同，因此咱们把空穴视为带正电荷的粒子。可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷＋q的空穴和带电荷–q的自在电子。

完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300oK）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴，如图2—3（a）所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。由于空穴的存在，临近共价键中的价电子很容易跳过去填补这个空穴，从而使空穴转移到临近的共价键中去，而后，新的空穴又被其相邻的价电子填补，这一过程持续下去，就相当于空穴在运动。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动与带正电荷的粒子作反方向运动的效果相同，因此我们把空穴视为带正电荷的粒子。可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。在没有外加电场作用时，载流子的运动是无规则的，没有定向运动，所以形不成电流。在外加电场作用下，自由电子将产生逆电场方向的运动，形成电子电流，同时价电子也将逆电场方向依次填补空穴，其导电作用就像空穴沿电场运动一样，形成空穴电流。虽然在同样的电场作用下，电子和空穴的运动方向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成电子和空穴两种漂移电流。

没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或i型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。　　在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conduction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子－空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。　　本征半导体特点：电子浓度＝空穴浓度　　缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

什么叫本征半导体？所谓半导体，顾名思义，就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。用得最多的半导体是锗和硅，都是四价元素。将锗或硅材料提纯后形成的完全纯净、具有晶体结构的半导体就是本征半导体。半导体的导电能力在不同条件下有很大差别。一般来说，本征半导体相邻原子间存在稳固的共价键，导电能力并不强。但有些半导体在温度增高、受光照等条件下，导电能力会大大增强，利用这种特性可制造热敏电阻、光敏电阻等器件。更重要的是，在本征半导体中掺入微量杂质后，其导电能力就可增加几十万乃至几百万倍，利用这种特性就可制造二极管、三极管等半导体器件。半导体的这种与导体和绝缘体截然不同的导电特性是由它的内部结构和导电机理决定的。在半导体共价键结构中，价电子（原子的最外层电子）不像在绝缘体（8价元素）中那样被束缚得很紧，在获得一定能量（温度增高、受光照等）后，即可摆脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子，同时共价键中留下的空位称为空穴。在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由电子）递补空穴形成的空穴电流。也就是说，在半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合，在一定温度下达到动态平衡，载流子便维持一定数目。温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能的影响很大。