退耦电容，什么是退偶电容

本文目录一览

1，什么是退偶电容
2，什么是电源退耦什么是退藕电容
3，什么是退耦电容
4，退耦瓷片电容的特点是什么
5，退耦电容的工作原理是什么呢
6，什么是退偶电容

1，什么是退偶电容

退耦电容是为器件提供更干净的电源，从而稳定其正常工作，提高抗干扰能力，防止电源的瞬时波动而影响工作点等，更重要的是在EMC等的作用上不可小视！

什么是退偶电容

2，什么是电源退耦什么是退藕电容

去藕就是使其没有耦合，也就是没有关联。电源去耦一般是用于抗干扰的，用于去耦的电容就是去耦电容，一般不大，要求也不严格，0.01U到几十U都行

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什么是电源退耦什么是退藕电容

3，什么是退耦电容

去耦：电路系统中变化的电流对系统供电电源里的电源内阻起作用，从而导致电源向电路输出实际电压产生抖动。如果从电源引出一个较小的电阻，该电阻串联一个电容到地，该阻容节点就可以为需要退耦的电子元器件供电了。虽然该阻容节点上的电位有所下降，但在该节点上的电压却会趋于稳定。这是RC积分网络的典型应用实例。该电容就是退耦电容。有时我们从电路上看不到这个从电源引出的小电阻，那是因为有电路板铜箔在当作小电阻使用。因为除了到绝对0温度时，世界上不存在真正0欧姆的电阻。这就是去耦。由此可见，去耦是为了尽可能的获得稳定的供电电压的。主要是针对电源内阻而设置的，如果电源内阻为0，并且电路板铜箔电阻为0，那就真的不需要设置退耦回路了

什么是退耦电容

4，退耦瓷片电容的特点是什么

瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。退耦早用于多级电路中，为保证前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的而采取的措施。在电源中退耦表示，当芯片内部进行开关动作或输出发生变化时，需要瞬时从电源线上抽取较大电流，该瞬时的大电流可能导致电源线上电压的降低，从而引起对自身和其它器件的干扰。为了减少这种干扰，需要在芯片附近设置一个储电的瓷片电容以提供这种瞬时的大电流能力。在电源电路中，退耦是为了减少电源噪声。退耦是为了减少器件产生的噪声对电源的干扰退耦电路就一个作用就是稳定电源的电压，使电源电压不发生动摇，如果电源电压都动摇了，那么整个电路的静态都在摇，势必使得输出的信号不理想。使用退耦瓷片电容减退耦合，使得电源与后级，后级的级与级之间没有交流信号的串扰，如此而已，而之所以用两个瓷片电容只是为了达到优势互补，达到较好的隔交流的作用。

瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器。瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高，2kv、3kv电压很常见。常用于高压场合。陶瓷有i类瓷，ii类瓷，iii类瓷之分，i类瓷，np0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；ii类瓷，x7r次之，温度特性和电压特性较好；iii类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。

5，退耦电容的工作原理是什么呢

1. 退耦电容的工作原理是利用电容通高频、阻低频的特性滤除电路中的交流成分，使电源中的直流成分更加稳定，从而使电路工作更加稳定。从本质上说其实还是电容的充放电原理。2. 退耦电容：用在退耦电路中的电容称为退耦电容，退耦电容并接于电路正负极之间，可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。所谓退耦，即防止前后电路电流大小变化时，在供电电路中所形成的电流冲动对电路的正常工作产生影响，换言之，退耦电路能够有效地消除电路之间的寄生耦合。

用在退耦电路中的电容称为退耦电容，退耦电容并接于电路正负极之间，可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。所谓退耦，即防止前后电路电流大小变化时，在供电电路中所形成的电流冲动对电路的正常工作产生影响，换言之，退耦电路能够有效地消除电路之间的寄生耦合。

利用了电容通高频、阻低频的特性滤除电路中的交流成分，使电源中的直流成分更加稳定，从而使电路工作更加稳定。从本质上说其实还是电容的充放电原理。

电容信号传输是依靠电容的充放电来完成的，对于交变信号，我们可以简单的运用电容2端的电压不能突变来理解即可。也就是我们常说隔直通交。为什么说是隔直通交，可以根据下面的式子来说明。我们用一个10uf的电容在频率0时（直流），1khz频率，100khz频率下的计算出的容抗就明白了。 xc=1/2πfc 式中，xc表示电容器的容抗，单位为ω；f表示交流电的频率，单位为hz；c表示电容器的电容，单位为f。所以这个关系式就可叙述为：电容器的容抗大小与电容成反比，与交流电频率成反比。

6，什么是退偶电容

滤波电容是针对电源本身的波动而加入的，目的是减少或削减波动；退藕电容是因为放大电路电力消耗而使电源波动才加入的，主要作用是放置电路的自激；原理虽然相近，但作用是不同的，滤波电容通常是大容量的电容，退藕电容通常不需要太大容量，特别是高频电路更是如此。

电容选择上都采用的MLCC的电容进行退耦，常见的MLCC的电容因为介质的不同可以进行不同的分类，可以分成NPO的第一类介质，X7R和Z5V等的第二、三类介质。EIA对第二、三类介质使用三个字母，按照电容值和温度之间关系详细分类为：第一个数字表示下限类别温度：X：－55度；Y：－30度；Z：＋10度第二个数字表示上限温度：4：＋65度；5：＋85度；6：105度；7：125度；8：150度；第三个数字表示25度容量误差：P：＋10％/-10％；R：＋15％/-15％；S：＋22％/-22％；T：＋22％/-33％；U：＋22％/-56％；V：＋22％/-82％例如我们常见的Z5V，表示工作温度是10度～85度，标称容量偏差＋22％/-82％，为了做成纯文档的格式，尽量采用文字说明，不不采用图片，这样给理解带来一定的困难，看官们见笑了。设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为：Lv和Lg。两个互补的MOS管（接地的NMOS和接电源的PMOS）简单作为开关使用。假设初始时刻传输线上各点的电压和电流均为零，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。该扰动在电源中被称之为同步开关噪声（SSN，Simultaneous Switching Noise；SSO，Simultaneous Switching Output Noise）或Delta I噪声。在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互连线都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时，以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片内部。就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源线上的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。如果电容是理想的电容，选用越大的电容当然越好了，因为越大电容越大，瞬时提供电量的能力越强，由此引起的电源轨道塌陷的值越低，电压值越稳定。但是，实际的电容并不是理想器件，因为材料、封装等方面的影响，具备有电感、电阻等附加特性；尤其是在高频环境中更表现的更像电感的电气特性。我们都知道实际电容的模型简单的以电容、电阻和电感建立。除电容的容量C以外，还包括以下寄生参数： 1、等效串联电阻ESR（Resr）：电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过电容器，Resr使电容器消耗能量(从而产生损耗)，由此电容中常用用损耗因子表示该参数。 2、等效串联电感ESL（Lesl）：电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。 3、等效并联电阻EPR Rp ：就是我们通常所说的电容器泄漏电阻，在交流耦合应用、存储应用(例如模拟积分器和采样保持器)以及当电容器用于高阻抗电路时，Rp是一项重要参数，理想电容器中www.longdu.cc

退耦电容是为器件提供更干净的电源，从而稳定其正常工作，提高抗干扰能力，防止电源的瞬时波动而影响工作点等