s21参数，请帮帮忙查一下2sc4111的参数是多少谢谢

本文目录一览

1，请帮帮忙查一下2sc4111的参数是多少谢谢
2，自动网络分析仪换算出的网络参数有哪些
3，S参数的S参数例子
4，网络分析具体都分析网络中的哪些参数
5，S21是什么高速
6，请简介行波式放大器即分布式放大器

1，请帮帮忙查一下2sc4111的参数是多少谢谢

因不知道其电流量,资料上Ic是10A的,何来的20几A.谢谢楼上的两位朋友.现在有点明白了.

请帮帮忙查一下2sc4111的参数是多少谢谢

2，自动网络分析仪换算出的网络参数有哪些

参数（散射参数）用于评估 DUT 反射信号和传送信号的性能。参数由两个复数之比定义，它包含有关信号的幅度和相位的信息。参数通常表示为：输出输入输出：输出信号的 DUT 端口号输入：输入信号的 DUT 端口号例如，参数 S21 是 DUT 上端口 2 的输出信号与 DUT 上端口 1 的输入信号之比，输出信号和输入信号都用复数表示。当启动平衡 - 不平衡转换功能时，可以选择混合模 S 参数。

自动网络分析仪换算出的网络参数有哪些

3，S参数的S参数例子

Ur1 = S11 Ui1 + S12 Ui2Ur2 = S21 Ui1 + S22 Ui2Ui1，Ui2，Ur1，Ur2：分别是端口1和端口2的归一化入射电压和反射电压S11：端口2匹配时，端口1的反射系数；S22：端口1匹配时，端口2的反射系数；S12：端口1匹配时，端口2到端口1的反向传输系数；S21：端口2匹配时，端口1到端口2的正向传输系数；S 参数（散射参数）用于评估 DUT 反射信号和传送信号的性能。S 参数由两个复数之比定义，它包含有关信号的幅度和相位的信息。S 参数通常表示为：S输出输入例如，S 参数 S21 是 DUT 上端口 2 的输出信号与 DUT 上端口 1 的输入信号之比，输出信号和输入信号都用复数表示。当启动平衡 - 不平衡转换功能时，可以选择混合模 S 参数。

S参数的S参数例子

4，网络分析具体都分析网络中的哪些参数

网络分析是通过对网络中传输的数据包进行实时的采集、检测和分析，来进行网络性能评估、网络故障诊断、网络流量检测等等功能。分析参数当然会有很多，主要有网络总流量、广播、组播流量、数据包大小、TCP传输各项参数、发送数据包、接收数据包、网络连接等等。你可以去CSNA网络分析论坛交流，这是一个比较专业的网络分析技术讨论的论坛。

s 参数（散射参数）用于评估 dut 反射信号和传送信号的性能。s 参数由两个复数之比定义，它包含有关信号的幅度和相位的信息。s 参数通常表示为：s输出输入输出：输出信号的 dut 端口号输入：输入信号的 dut 端口号例如，s 参数 s21 是 dut 上端口 2 的输出信号与 dut 上端口 1 的输入信号之比，输出信号和输入信号都用复数表示。当启动平衡 - 不平衡转换功能时，可以选择混合模 s 参数。

5，S21是什么高速

S21为中国境内省级高速公路百。根据路网地位，中国高速公路分为国家高速公路和省级高速公路。国家高速公路简称度国家高速，标志以红底白字为上横幅；省级高速公路简称省高速（标识牌上以省级行政区简称表示），标志以黄底黑字为上横幅。地方（省级行政区）高速公知路网的命名和编号方式原则上与国家高速公路网的保持一致，其编号字母标识符采用汉语拼音"S"表示，省会放射线采用编号1位数。扩展资料：省级高速公路和市级高速公路可以道各做各的规划，但建设审批版权限一般都在省交通厅、省发改委，市级政府一般没有建设审批权。其规划性质肯定是不一样的，市政府高速公路规划属于地市级规划，省政府高速公路规划属于省级规划。省政府规划的高速公路属于省交通厅自已上报的项目，在同级省财政厅的资金支持下，可以直接进行工程建设安排。而地市政府高速公路规划出来后，要努力向上争取审批，进权入省级高速公路规划路网中。参考资料来源：搜狗百科-中国高速公路

看你开多快了。正常的话比以前少走20公里的路，不到2个小时肯定到了。

S21为中国境内省级高知速公路，起始地点均在独立的省内，一般不跨越省外。不同的省份，道有不同的起始段，如辽宁S21是阜营高速，是阜新到营口的高速公路。省级高速公路一回般是采用双向四车道答设计，一般限速为100公里/小时，而国家级高速公路一般限速是120公里/小时。

6，请简介行波式放大器即分布式放大器

宽带放大器的设计方法以及仿真和实测时间：2010-05-11 01:05:17 来源：维库作者：分布式放大器能提供很宽的频率范围和较高的增益。有一段时间，其设计通常采用传输线作为输入和输出匹配电路。随着砷化镓(GaAs)微波单片集成电路的发展成熟，为了提高效率、输出功率、减小噪声系数，人们提出了很多种放大器电路类型，但是分布式放大器仍然是宽带电路(如光通信电路)的主流设计。理解砷化镓微波单片集成电路GaAs MMIC分布式放大器的设计，对很多宽带电路的应用都会有很大的帮助。约翰·霍普金斯大学从198?年开始就开设了MMIC设计课程，并在让学生在TriQuint公司的产线上流片。一款由Craig Moore(从198?年到2003年，他一直担任该课程的助教)设计的分布式放大器作为该课程一个经典的设计例子。该设计甚至经历了低温环境实验，在液氮的低温下表现出更低的噪声系数。该放大器采用TriQuint公司的0.5μm GaAs MESFET工艺，其增益比基于0.5μm GaAs伪高电子迁移率晶体管PHEMT的新电路略低，2006年的新课程中则采用了新版本的0.5μm GaAs PHEMT分布放大器和一些其他电路作为例子。本文将介绍宽带放大器的设计方法以及仿真和实测的结果。图1：采用微带传输线的分布式放大器电路结构图。分布式放大器使用宽带传输线给一组有源器件注入输入信号(如图1)，同时另一条并行的传输线用于收集各个有源器件的输出信号，并将其叠加。每一级提供相当的增益，但是增益分布在一个很宽的频率范围内。和级联设计相比，总增益是各级增益之和，而不是各级增益的乘积。但使用集总参数元件来近似分布式传输线时(如图2)，集总参数传输线的到地并联电容，被晶体管的寄生电容代替。集总参数元件的等效传输线作为一个低通滤波器使用，其截止频率和晶体管的寄生电容成反比。因此晶体管的尺寸直接决定了电路的工作频率上限。设计总要综合考虑的各种参数包括：放大器的级数、有源器件的尺寸、器件的工艺类型(如果有多种类型)以及每一级的直流偏置。更多的级数意味着更大的增益-带宽积，但是也会引入更大的功耗。一旦晶体管的尺寸确定，就可以使用仿真软件来优化增益、反射系数、输出功率和噪声系数等各项参数。图2：采用集总参数元件的分布式放大器电路结构图(其中CGS和CDS分别表示栅电容和漏极电容)。由于分布式放大器的应用场合很多，对各项性能指标的要求很灵活，宽带增益是其中最重要的一项指标。在Craig Moore这个设计例子中，采用了增强型PHEMT器件，因为增强型器件只需要一组正电压供电。为了能提供和198?年TriQuint半导体公司采用的0.5μm GaAs MESFET工艺的电路相同的性能，该设计采用了0.5μm GaAs PHEMT工艺，并且使用3级晶体管放大拓扑。为了适应电池供电的应用，选用3.3V电压。当然为了满足不同的客户需求，工作电压和电流可以方便的在较大范围内调节。在1.5V和14mA的供电下，仿真结果显示：仅损失了2dB增益，并且栅电压在1.5V到5.0V，漏极电流在14~35mA之间变化时，性能的变化也很小。为达到最佳增益、匹配性能，采用安捷伦?司的计算机辅助工程软件ADS进行线性仿真，确定合适的电感值、PHEMT尺寸。图3：PHEMT分布式放大器的匹配、增益、噪声系数和稳定因子的仿真结果。通过理想的仿真计算，该设计选用了6×30μm的增强型PHEMT器件，Craig Moore的198?年的设计中在MESFET管的漏极增加了一些额外的匹配元件，以保证有效输出电容和栅极输入容抗相同。此时输入和输出的集总参数传输线将是对称的，其相位延迟也相同。文章还比较了这种输入输出传输线对称的匹配方案和另一种漏级电容独立优化的方案(漏极电感和栅极不对称)。对于这个简单的3级PHEMT设计，栅极和漏极输入线的相移差别很小，这里就采用较简单的非对称方案。如果输入输出传输线的相位差较大，这种方案的就不能有效的合并各级的增益。下一步使用TriQuint公司提供的电感、电阻、电容以及互连线模型取代理想元件，进行更真实的仿真。图3显示了期望的最终放大电路的增益、匹配度、稳定因子和噪声系数。仿真中采用了30mA和3.3V的直流偏置设计，以限制其功耗在100mW以内，并实现了输出功率和三阶互调截止点的折中。图4是该电路的版图，同时还包含了两个有探针接入端的测试模型管：一个是设计中采用的6×30μm增强型PHEMT，另一个是普通的6×50μm耗尽型PHEMT。图4：3级分布式放大器的版图(包括180μm栅宽的增强型测试建模管和一个300μm栅宽的耗尽型测试建模管)。一个典型的分布式放大其中有一半的功率被输出传输线的50欧负载所吸收，为了提高输出效率，人们通常采用一些技巧，如渐缩型传输线方法。本设计采用了50欧姆输入输出线，为了减少DC功率的消耗，该传输线的一端的50欧姆终结负载和一个较大的电容(25pF)串联后，再通过通孔接地，这样既能保证射频信号接地，又能实现隔直流的效果。漏极较大的直流供电电流只流经低阻抗的电感元件，而不是50欧的终结负载(如图5)，这样可以有效的减小50欧终结电阻上的功耗。这里漏极电感的大小也是一个重要的设计参数，该电感直接影响电路在1GHz附近的低频滚降速度，如果增大电容将会减小滚降速度，但是同时会增加串联电阻，从而提高直流功耗，而且较大的电感也会增大版图面积。在提交产线流片之前，各设计还必须经过严格的设计规则检查DRC(design-rule check)，自198?年第一次MMIC设计课程开始，约翰·霍普金斯大学就采用ICED(ICEDitor)软件，并采用TriQuint提供的DRC规则进行设计规则检查。另外还使用了“版图转电路图”LVS(Layout Versus Schematic)工具进一步比较从ADS中提取出来的网表是否符合ICED软件中的实际电气连接。有时设计虽然能通过DRC检查，但是仍然会有一些致命的错误，只有LVS工具才能发现这些问题。新版本的ADS已经具备内置的连接性检查功能，可以排除一些连接性错误，但是外部的LVS检测仍然是很有必要的。图5：分布式放大器电路的直流等效电路，可以看出流经电感L35的电流只引起很小的压降。图6：实测的输出功率和效率结果。表1：PHEMT分布式放大器在3.3V电压和25mA电流偏置下的各项指标实测结果。图6和表1是整个电路的实际测试结果。可以看到在3.3V的24mA直流供电下，该电路达到了10%的功率附加增益PAE(Power Added Effeciency)以及+10dBm的输出功率。噪声系数的实测值和仿真值也很接近(图7)，在5到6GHz频段，噪声系数仅为2dB，这在具备1~10GHz的10倍频程(decade)带宽的电路中算是很出色的表现了。54平方密尔(mil-square)的芯片上还放置了很多其它器件，包括一个设计中采用的6×30μm增强型PHEMT测试建模管。在3V和3.3 V电压下，8~9mA电流时，分别测试了这个模型管，并将其S参数用于电路进行二次仿真。图8为该PHEMT模型管的版图。图9和图10则是针对测试管的实测和仿真数据的比较。由于测试的参考面不同，测试模型管的寄生参数和实际电路中使用的晶体管有微小的区别，正是这些巨别导致了测试值和再仿真结果(使用ADS和Sonnet软件)在高频段有一些差别。对以单独的6×30μm模型管而言，其实测值和使用TOM模型的ADS仿真值非常接近。图7：使用噪声分析仪测试的增益和噪声系数，和ADS仿真的结果对比。图8：6×30μm栅宽的增强型PHEMT测试建模管的版图。图9：实测的(蓝色)增强型PHEMT测试建模管的前向传输参数S21和仿真结果(红色)的对比。 MMIC建模非常复杂，例如，在仿真时是否可以忽略互连线的影响。忽略互连线可以极大的简化设计，而且在2.4GHz以下，互联的影响很小。通常这些互联微带线的模型都是在其长度超过几倍衬底厚度的情况下建模的，而实际MMIC设计中很少会发生这种情况。典型的微带线模型一般都会高估其长度(即电感)效应。另外，还要考虑是否需要一个电磁仿真，以确保原始设计中忽略的寄生参数不会有太大的影响。除非设计者确实想压缩版图面积，否则采用3到5倍的线宽(而不是3到5倍的衬底厚度)做为元件间隔，一般都不会有问题。尽管单独的6*30μm PHEMT模型管的实测值和仿真结果很吻合，但是把晶体管的实测数据带入电路进行二次仿真，确实得出了更接近实测值的高端滚降特性。设计者再次使用了Sonnet公司的电磁仿真软件，以5平方微米的分辨率以及100μm的衬底厚度对整个设计进行电磁仿真。对于Sonnet软件，这个电路面积相对较大，以至于必须分割成两个子块来分析。使用Sonnet电磁仿真结果加上实测的晶体管参数，得出的整个电路的各项指标和实际测试值吻合。Sonnet软件的仿真结果和ADS的二次仿真结果也很吻合(图12、13、14)，注意：增益和匹配在高频段(10GHz左右)形状相似，但是仍然略有差别。尽管这些差别很小，但是仍然有必要寻找这些差异的解释。约翰·霍普金斯大学MMIC学科的学生反而能从这些差别中学到更多东西。寻找这些差别的来源，更有利于增长他们的设计经验。使用TriQuint公司的产线为其流片，并让学生参与成品的测试，使该项课程更具实际意义，因而得到了大家的一致好*。约翰·霍普金斯大学也对TriQuint、Agilent(原EEsof)和Applied Wave Research等公司的有力支持表示衷心的感谢。图10:实测的(蓝色)6×30μm栅宽增强型PHEMT测试建模管的S21和S22和仿真结果(红色)的对比。图11：采用Sonnet软件竞相电磁仿真时采用的版图，电路被分成两块，分析每块采用的分辨率为2.5μm。图12：实测的晶体管数据和ADS软件方针结果(淡蓝色)、Sonnet仿真结果(红色)的对比。采用PHEMT器件的分布式MMIC放大器在1~10GHz的频率范围内显示出平坦的宽带增益，并且其噪声系数比以前的MESFET方案更小。如设计所预期，0.5μm栅长的PHEMT器件在3~3.3V，28~32mA的供电条件下，取得了理想的增益和噪声性能，功耗仅为100mW，且偏置范围有一定的调节空间(可以在20到175mW之间调节)。使用模型管参数带入ADS和Sonnet软件再仿真的结果也和实测结果吻合。实测的输出功率、DC偏置和噪声系数等指标也和仿真结果吻合。分布式放大器中，在输入输出馈线端使用集总元件或分布式传输线，以吸收晶体管的电容的方法，可以广泛的应用于其他的MMIC工艺和设计之中。图13：输入反射系数S11的实测值，ADS仿真值(红色)和Sonnet的仿真值(品红色)的对比。图14：输出反射系数S22的实测值(红色)，ADS仿真值(蓝色)和Sonnet的仿真值(品红色)的对比。

消防广播及电话主机(柜)安装广播功率放大器。有这个定额