齐纳击穿，为什么齐纳击穿电压随温度增高而减小

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1，为什么齐纳击穿电压随温度增高而减小
2，温度升高对雪崩击穿齐纳击穿的影响
3，二极管是不是有反向有两个击穿当电压高于某个值则是齐纳击穿
4，齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数
5，二极管雪崩击穿与齐纳击穿哪个电压大
6，齐纳击穿求解释

1，为什么齐纳击穿电压随温度增高而减小

温度增高电子活跃程度增加，所以更容易击穿。

你好！如果齐纳管受温度影响明显，则其稳压性能就会下降。也就是带载能了下降，所以电压自然减小了。如果对你有帮助，望采纳。

为什么齐纳击穿电压随温度增高而减小

2，温度升高对雪崩击穿齐纳击穿的影响

首先说一下，你的问题本身就是错误的，温度升高使雪崩击穿电压升高，齐纳击穿电压下降。你可以查书，推荐高等教育出版社出版的低频电子线路主编是傅丰林然后我们所了解的是击穿电压与电子所获得的能量与外加电压共同作用的结果才导致的击穿现象。电子能量+外加电压=电子挣脱束缚齐纳击穿我觉得是因为温度升高导致电子能量增多，更容易挣脱共价键的束缚，只要提高一点外加电压即可使电子脱离共价键，所以齐纳击穿电压降低至于雪崩击穿我还没明白不好意思。希望鄙人的想法能对你有所帮助

温度升高对雪崩击穿齐纳击穿的影响

3，二极管是不是有反向有两个击穿当电压高于某个值则是齐纳击穿

不是的，两种击穿都发生不同的PN结上的，齐纳是发生在高掺杂的PN结上的，是可以恢复的，雪崩击穿是不可恢复。

雪崩击穿大！雪崩击穿是pn结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，pn结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的pn结才做得到。（杂质大电荷密度就大） pn结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6v时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6v时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6v的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6v的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

二极管是不是有反向有两个击穿当电压高于某个值则是齐纳击穿

4，齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数

我来试一试??（为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数）分一下几个过程：1、温度升高，晶格的热振动加剧，使载流子运动的平均自由程缩短；（也可以从迁移率下降来理解）2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了，而如果加速度（外加电压）不变的话，就达不到碰撞电离的速度（雪崩击穿）；3、那如果要达到碰撞电离的速度，我们就需要提高外界电压（即提高加速度），也就是雪崩击穿电压变大了；4、综上，温度升高导致雪崩击穿电压升高，即具有正温度系数。

齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

齐纳击穿发生在高掺杂浓度的pn结中，当pn结的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞电离。但是，在这种阻挡层内，只要加上不大的反向电压，就能建立很强的电场，足以把阻挡层内的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，产生自由电子-空穴对。

5，二极管雪崩击穿与齐纳击穿哪个电压大

雪崩击穿大！　　雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）　　PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于　　5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。　　两者的区别对于稳压管来说，主要是：　　电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。　　电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。回答者：中华才俊网 - 大魔法师八级二极管的击穿原理见楼上，齐纳击穿和雪崩击穿区别在于：齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。回答者：南燕老师 - 高级魔法师六级 1-8 15:17

6，齐纳击穿求解释

ZENER BREAKDOWN　　在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。　　齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。隧道击穿　是半导体物理的概念。隧道击穿(齐纳击穿)：隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿。当p-n结加反向偏压时，势垒区能带发生倾斜；反向偏压越大，势垒越高，势垒区的内建电场也越强，势垒区能带也越加倾斜，甚至可以使n区的导带底比p区的价带顶还低。内建电场E使p区的价带电子得到附加势能q|E|x；当内建电场|E|大到某值以后，价带中的部分电子所得到的附加势能q|E|x可以大于禁带宽度；如果p区价带中的A点和n区导带中的B点有相同的能量，则在A点的电子可以过渡到B点。实际上，这只是说明在由A点和B点的一段距离中，电场给予电子的能量等于禁带宽度。因为A和B之间隔着水平距离为的禁带,所以电子从A到B的过渡一般不会发生。随着反向偏压的增大,势垒区的电场增强，能带更加倾斜，将变得更短。当反向偏压达到一定数值，短到一定程度时，量子力学证明，p区价带中的电子将通过隧道效应穿过禁带而到达n区导带中。

半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散,形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。pn结制作成元器件使用就是二极管。pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。正向偏置时，p区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。从尺寸看，集电区最大，基区最小。如果条件不能满足，晶体管将无法工作。