短沟道效应，短沟道效应的简介

1，短沟道效应的简介

英文名称：Short-channel effects解释一：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。解释二：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。包括：

短沟道效应的简介

2，JFET短沟道效应和MOSFET的短沟道效应有什么相同和不同点

本质上是相同的，短沟道效应引起阈值电压的变化，都可以认为是由于“电荷共享”所造成的。关于JFET和MOSFET，详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

JFET短沟道效应和MOSFET的短沟道效应有什么相同和不同点

3，finfet 如何解决短沟道效应

1.覆盖一层非晶表面层(阻挡层)2.将晶圆偏离主晶向5°~10°3.以大剂量硅或锗注入，对晶圆表面预损伤可在晶圆表面产生一个随机层。

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

finfet 如何解决短沟道效应

4，半导体器件中的SCEs是什么意思

short-channel effects，SCEs. 短沟道效应。当MOS管沟道缩短到一定程度，就会出现短沟道效应，其主要表现在MOS管沟道中的载流子出现速度饱和现象。

chuck 是在半导体制造和封测过程中使用夹具治具fixtures和各种工装的统称，也是个工序;dechuck就是除去卸下排除chuck的动作工序;以上工序在国际上的半导体行业均为自动化作业;

5，MOS 晶体管的短沟道效应有哪些

短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。

漏源电压的增大有两个影响，一个是使漏源间电流增大，另一个是使导电沟道沿漏源方向逐渐消失。这两种作用相互抵消，电流既不增大也不减小。当漏源电压大到一定程度，导电沟到会完全消失，但电流是有的，仍然是刚发生夹断时的电流，理由见上述

6，短沟道效应的介绍

短沟道效应：缓变沟道的近似不再成立，这个二维电势分布会导致阈值电压随L的缩短而下降，亚阈值特征的降级以及由于遂穿穿透效应而使电流饱和失效，在沟道出现二维电势分布以及高电场，这些不同于长沟道MOS场效应晶体管特性的现象，统称为短沟道效应。

最低0.27元/天开通百度文库会员，可在文库查看完整内容>原发布者:liangyantao21MOSFET的短沟道效应3第8章MOSFET的短沟道效应MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是：（1）由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场增大；（2）内建电势既不能按比例缩小又不能忽略；（3）源漏结深不能也不容易按比例减小；（4）衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低；（5）亚阈值斜率不能按比例缩小。（A）亚阈值特性我们的目的是通过MOSFET的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。对于长沟道器件而言，亚阈值电流由下式给出也可以写成如下的形式式中的为单位面积耗尽区电容。是热电压，，在大于几个热电压时有对上式两边取对数上式也可以写成从式（8.4）中可以看出，当时，即当栅－源电压等于亚阈值电压时有亚阈值电流：为了使时，器件可以关断，我们可以令（8.4）中的，则有如果规定关断时（当）的电流比在（当）的电流小5个数量级，式(8.7)和式(8.8)的两边相除则有得到亚阈值电压的最小值为如果则亚阈值电压的最小值是。如果还想将阈值电压降低到400mV左右，那么就要减小的值，使。考虑到温度对阈值电压的影响，按比例缩小阈值电压将更加困难。阈值电压的温度系数。导致阈值电压在温度范围（0－85℃）内的变化是85mV。制造工艺引起的最小变化也在50mV之间。工艺和温度引起的变化合计为135mV左右。因此，对增强型的MOS器件其阈值电压一般都