四探针，四探针测量方块电阻是利用以下哪一条原理进行测量

来源：整理时间：2023-08-25 19:08:19 编辑：智能门户手机版

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1，四探针测量方块电阻是利用以下哪一条原理进行测量
2，四探针法电阻率测试四探针有什么特点
3，当样品电阻率19999时称为高阻利用四探针测试仪怎么测量搜
4，四探针法测电阻率
5，高温四探针测量系统是四探针法测电阻率吗
6，用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源
7，四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻的问题
8，四探针法选择样品不同位置对测试结果的影响
9，什么是高温四探针电阻率测量系统
10，fourpoint是什么意思

1，四探针测量方块电阻是利用以下哪一条原理进行测量

四探针电阻率测试仪也有很多种，例如高温的或者常温的，不同的四探针电阻率测试仪针对不同的材料测量的参数也是不同的。举例，高温四探针电阻率测试仪可以测量硅、锗单晶电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻，主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能。HRMS-800高温四探针电阻率测试仪就是，主要测量的参数就是半导体材料的电阻、电阻率、方块电阻等。

四探针测量方块电阻是利用以下哪一条原理进行测量

2，四探针法电阻率测试四探针有什么特点

三琦高温四探针夹具是依据电性能测量四探针方法、并针对高温环境进行设计。由四个独立的探针调节装置、高温高频探针、调节支撑架、样品平台、隔热层、接线盒组成。探针调节装置具有三维精确调节功能，精确定位探针的位置；探针调节装置具有粗调功能，有效增大探针的调节范围；探针调节装置带探针压力调节功能，确保探针与样品的良好接触，又不损伤样品；探针采用带同轴屏蔽层设计，减少电磁对测量的干扰；探针电极选用铂铱合金，有效减少接触电阻，并具有良好的高温抗氧化能力；

四探针法电阻率测试四探针有什么特点

3，当样品电阻率19999时称为高阻利用四探针测试仪怎么测量搜

原因是: 1．接触电阻的影响严重。探针与半导体接触产生一定厚度的耗尽层，耗尽层是高阻的, 另外探针和半导体之间不像与金属之间一样很好的接触, 还会产生一个额外的电阻, 称为扩展电阻，两者都是接触电阻，通常都很大. 半导体的实际电阻相对于它们越小, 测量结果就越不准确. 2．存在少子电注入. 专用方法：四探针法, 两根探针输入测量电流, 另外两根探针测量电压分布. 要是懂电流计, 电压计和电阻计的原理, 就能更明白了.晶格电子是这个方面的行家

当样品电阻率19999时称为高阻利用四探针测试仪怎么测量搜

4，四探针法测电阻率

四探针测试技术，简称为四探针法，是测量半导体电阻率最常用的一种方法。四探针测试技术，是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。特别，对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片，得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作单位。

5，高温四探针测量系统是四探针法测电阻率吗

1. 高温四探针测量系统就是采用四探针法测电阻率的。2. 三琦高温四探针测量系统是为了满足材料在高温环境下的阻抗特性测量需求而设计的。3. 它由硬件设备和测量软件组成，包括高温测试平台、高温四探针夹具、电阻率测试仪和高温电阻率测量系统软件四个组成部分。

1. 四探针法测电阻率可以用三琦高温四探针测量系统测试。2. 四探针法测电阻率其实从专业角度来说，就是使用三琦高温四探针测量系统来测量。该系统包括高温测试平台、高温四探针夹具、阻率测试仪和高温电阻率测量软件。

6，用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源

四探针方块电阻（又叫薄膜电阻）测试仪是半导体制造中常用的检测仪器之一，用以测量半导体材料的电阻率和薄膜的方块电阻，同时达到测量半导体薄层材料的掺杂浓度和薄膜厚度、控制器件和集成电路性能的目的。在此基础上发展起来的交流四探针方法，能够消除电接触区的热电势，但它对交流电流源和检测信号的交流放大器稳定性的要求极为严格，且仍存在接触稳定性问题。这些因素造成四探针法对于电阻值的微小变化不敏感，阻碍了仔细分析材料组织结构的微弱变化过程。四探针测试技术是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。特别，对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片，得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作单位。以上内容参考：百度百科-四探针测试技术

7，四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻的问题

意思就是要用欧姆表去直接测量. 欧姆表就是自身产生一个弱电流, 去测量探针两端的电压, 然后和自身的体电阻比较, 最后给出电阻值. 但是这对于半导体是不准确的, 半导体电阻无法用两根探针测量的主要原因是: 1．接触电阻的影响严重。探针与半导体接触产生一定厚度的耗尽层，耗尽层是高阻的, 另外探针和半导体之间不像与金属之间一样很好的接触, 还会产生一个额外的电阻, 称为扩展电阻，两者都是接触电阻，通常都很大. 半导体的实际电阻相对于它们越小, 测量结果就越不准确. 2．存在少子电注入. 专用方法：四探针法, 两根探针输入测量电流, 另外两根探针测量电压分布. 要是懂电流计, 电压计和电阻计的原理, 就能更明白了.

你好！四探针主要是为了让接触更好，形成开尔文测试，那样误差小。打字不易，采纳哦！

8，四探针法选择样品不同位置对测试结果的影响

四探针法测方块电阻的原理四探针法是一种简便的测量电阻率的方法。对于一般的线性材料，我们常常用电阻来表征某一段传输电流的能力，其满足以下关系式：(式3-1)其中ρ、l和s分别表示材料本身的电阻率、长度和横截面积。对于某种材料ρ满足关系式：(式3-2)ne、nh、un、uh和q分别为电子浓度、空穴浓度、电子迁移率、空穴迁移率和基本电荷量。对于具有一定导电性能的薄膜材料，其沿着平面方向的电荷传输性能一般用方块电阻来表示，对于边长为l、厚度为xj方形薄膜，其方块电阻可表示为：??(式3-3)即方块电阻与电阻率ρ成正比，与膜层厚度?成反比，而与正方形边长?无关。方块电阻一般采用双电测电四探针来测量，测量装置如图3-4所示。四根由钨丝制成的探针等间距地排成直线，彼此相距为?(一般为几个mm)。测量时将针尖压在薄膜样品的表面上，外面两根探针通电流I(一般选取0.5~2)，里面的两探针用来测量电压，通常利用电位差计测量。图3-4 双电测电四探针测量薄膜方块电阻结构简图当被测样品的长度和宽度远远大于探针间距，薄膜方块电阻具体表达式为： (式3-4)即薄膜的方块电阻和外侧探针通电流后在内探针处产生的电位差大小有关。如果样品的线度相对探针间距大不多时，上式中的系数c必须加以适当的修正，修正值与被测样品的形状和大小有关。实验原理：在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论公式计算出样品的电阻率［1］式中，C为四探针的修正系数，单位为厘米，C的大小取决于四探针的排列方法和针距，探针的位置和间距确定以后，探针系数C就是一个常数；V23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I为通过样品的电流，单位为安培。半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。⑴ 半无限大样品情形图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图1（b）所示的半无穷大样品，电流I是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为ρ，半径为r，间距为dr的两个半球等位面间的电阻为，它们之间的电位差为。考虑样品为半无限大，在r→∞处的电位为0，所以图1（a）中流经探针1的电流I在r点形成的电位为。流经探针1的电流在2、3两探针间形成的电位差为；流经探针4的电流与流经探针1的电流方向相反，所以流经探针4的电流I在探针2、3之间引起的电位差为。于是流经探针1、4之间的电流在探针2、3之间形成的电位差为。由此可得样品的电阻率为上式就是四探针法测半无限大样品电阻率的普遍公式。在采用四探针测量电阻率时通常使用图1（c）的正方形结构（简称方形结构）和图1（d）的等间距直线形结构，假设方形四探针和直线四探针的探针间距均为S，则对于直线四探针有　对于方形四探针有　⑵　无限薄层样品情形当样品的横向尺寸无限大，而其厚度t又比探针间距S小得多的时候，我们称这种样品为无限薄层样品。图2给出了用四探针测量无限薄层样品电阻率的示意图。图中被测样品为在p型半导体衬底上扩散有n型薄层的无限大硅单晶薄片，1、2、3、4为四个探针在硅片表面的接触点，探针间距为S，n型扩散薄层的厚度为t，并且t<<S，I+表示电流从探针1流入硅片，I-表示电流从探针4流出硅片。与半无限大样品不同的是，这里探针电流在n型薄层内近似为平面放射状，其等位面可近似为圆柱面。类似前面的分析，对于任意排列的四探针，探针1的电流I在样品中r处形成的电位为式中ρ为n型薄层的平均电阻率。于是探针1的电流I在2、3探针间所引起的电位差为同理，探针4的电流I在2、3探针间所引起的电位差为?所以探针1和探针4的电流I在2、3探针之间所引起的电位差是?于是得到四探针法测无限薄层样品电阻率的普遍公式为对于直线四探针，利用可得对于方形四探针，利用可得在对半导体扩散薄层的实际测量中常常采用与扩散层杂质总量有关的方块电阻RS，它与扩散薄层电阻率有如下关系：这里Xj为扩散所形成的pn结的结深。这样对于无限薄层样品，方块电阻可以表示如下：直线四探针：方形四探针：在实际测量中，被测试的样品往往不满足上述的无限大条件，样品的形状也不一定相同，因此常常要引入不同的修正系数。￥5.9百度文库VIP限时优惠现在开通,立享6亿+VIP内容立即获取四探针实验原理四探针法测方块电阻的原理四探针法是一种简便的测量电阻率的方法。对于一般的线性材料，我们常常用电阻来表征某一段传输电流的能力，其满足以下关系式：?(式3-1)其中ρ、l和s分别表示材料本身的电阻率、长度和横截面积。对于某种材料ρ满足关系式：(式3-2)ne、nh、un、uh和q分别为电子浓度、空穴浓度、电子迁移率、空穴迁移率和基本电荷量。第 1 页对于具有一定导电性能的薄膜材料，其沿着平面方向的电荷传输性能一般用方块电阻来表示，对于边长为l、厚度为xj方形薄膜，其方块电阻可表示为：(式3-3)即方块电阻与电阻率ρ成正比，与膜层厚度成反比，而与正方形边长无关。方块电阻一般采用双电测电四探针来测量，测量装置如图3-4所示。四根由钨丝制成的探针等间距地排成直线，彼此相距为(一般为几个mm)。测量时将针尖压在薄膜样品的表面上，外面两根探针通电流I(一般选取0.5~2，里面的两探针用来测量电压，通常利用电位差计测量。

9，什么是高温四探针电阻率测量系统

1. 四探针法测电阻率其实从专业角度来说，就是使用专业的高温四探针测量系统来测量。该系统包括高温测试平台、高温四探针夹具、高温电阻率测量软件。2. 三琦高温四探针测量系统是为了满足材料在高温环境下的阻抗特性测量需求而设计的。它由硬件设备和测量软件组成，包括高温测试平台、高温四探针夹具、电阻率测试仪和高温电阻率测量系统软件四个组成部分。3. 高温测试平台是为样品提供一个高温环境；高温四探针夹具提供待测试样品的测试平台；电阻率测试仪则负责测试参数数据。最后，再通过测量软件将这些硬件设备的功能整合在一起，形成一套由实验方案设计到温度控制、参数测量、图形数据显示与数据分析于一体的高温电阻率测量系统。

10，fourpoint是什么意思

four-point是四探针的意思。　　四探针法通常用来测量半导体的电阻率。四探针法测量电阻率有个非常大的优点，它不需要校准；有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法校准。　　　　与四探针法相比，传统的二探针法更方便些，因为它只需要操作两个探针，但是处理二探针法得到的数据却很复杂。如下图左，电阻两端有两个探针接触，每个接触点既测量电阻两端的电流值，也测量了电阻两端的电压值。我们希望确定所测量的电阻器的电阻值，总电阻值：　　RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT；　　其中RW是导线电阻，RC是接触电阻，RDUT是所要测量的电阻器的电阻，显然用这种方法不能确定RDUT的值。矫正的办法就是使用四点接触法，即四探针法。如下图右，电流的路径与图一中相同，但是测量电压使用的是另外两个接触点。尽管电压计测量的电压也包含了导线电压和接触电压，但由于电压计的内阻很大，通过电压计的电流非常小，因此，导线电压与接触电压可以忽略不计，测量的电压值基本上等于电阻器两端的电压值。　　通过采用四探针法取代二探针法，尽管电流所走的路径是一样的，但由于消除掉了寄生压降，使得测量变得精确了。四探针法在Lord Kelvin使用之后，变得十分普及，命名为四探针法。

95分获以上是4.0 85分是3.0 75分是2.0 65分是1.0 100分中的每一分就对应四分制的0.1分

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5，高温四探针测量系统是四探针法测电阻率吗

6，用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源

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