跨导gm公式，双极性三极管如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达

来源：整理时间：2023-08-30 02:58:25 编辑：智能门户手机版

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1，双极性三极管如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达
2，MOSFET的电压增益是如何定义的KVsat
3，可以用场效应管的跨导求它的静态工作点么做了一道题题中给了
4，电路中MOS管的跨导值是什么意思
5，急用二极管三极管各项参数计算公式为考试
6，什么叫场效应管

1，双极性三极管如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

双极性三极管如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达

2，MOSFET的电压增益是如何定义的KVsat

电压增益一般就是指跨导，就是输出电流与输入电压的比值。Kvsat就是指电压增益啊。L是沟道长度，VGS-VT是饱和电压。

可以私聊我~

MOSFET的电压增益是如何定义的KVsat

3，可以用场效应管的跨导求它的静态工作点么做了一道题题中给了

可以的，不过需要其它参数。比如，在童诗白的《模拟电子技术基础》第四版P120页中的近似计算公式2.6.1就给了N沟道增强型MOSFET的gm计算公式，反过来就可以算出IDQ了。

漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比叫互导即跨导。太阳相随是我宿舍里的同学，原来网络有时也这么小啊！呵呵...........

可以用场效应管的跨导求它的静态工作点么做了一道题题中给了

4，电路中MOS管的跨导值是什么意思

跨导的定义：漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值，叫做跨导。跨导可以用Gm表示：跨导的单位为S（西），为欧姆的倒数，即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件，如电子管（真空三极管）、场效应管等。点击图片放大看：跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。

5，急用二极管三极管各项参数计算公式为考试

二极管正向导通压降硅管：0.6~0.7V；锗管：0.2~0.3V三极管电流放大系数β=Ic/Ib三极管基极电流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb，其中Ubeq为基极导通压降，硅管约为0.7V三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb+β*Ut/Icq，其中rbb为基极电阻，约为150~200Ω，Ut常温下约为26mV，Icq为集极静态电流。三极管跨导gm=Icq/Ut，Ut约为26mV，在忽略rbb时，gm≈β/rbe。还有什么不清楚的可以继续追问我望采纳，谢谢~~

电流公式？？？？你这个问题真的好不清楚哟，二极管与三极管有个最大电流参数，意思是管子最大能承受的不损坏电流值是多少，而这个电流值有最大平均电流值与多少时间内的峰值电流值之分；这两个值都是由生产商的数据表提供的（通过实际测试）却不是由什么公式计算出来的！不知你是不是想问题这个电流的问题呢？

6，什么叫场效应管

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

1.概念:场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（100000000～1000000000ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用:场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.场效应管可以用作电子开关.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(mos)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分n沟道和p沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管,而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型;p沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :3.场效应管的主要参数 :idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压ugs=0时的漏源电流.up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gm — 跨导.是表示栅源电压ugs — 对漏极电流id的控制能力,即漏极电流id变化量与栅源电压ugs变化量的比值.gm 是衡量场效应管放大能力的重要参数.bvds — 漏源击穿电压.是指栅源电压ugs一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于bvds.pdsm — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量.idsm — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过idsm4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极g:将万用表拨至r×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为n沟道;若两次测得的阻值都很小,则为p沟道.判定源极s、漏极d:在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极.5.常效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有n沟道和p沟道两种导电沟道。1、结型场效应管（jfet）（1）结构原理它的结构及符号见图1。在n型硅棒两端引出漏极d和源极s两个电极，又在硅棒的两侧各做一个p区，形成两个pn结。在p区引出电极并连接起来，称为栅极go这样就构成了n型沟道的场效应管图1、n沟道结构型场效应管的结构及符号由于pn结中的载流子已经耗尽，故pn基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ed一定时，如果栅极电压越负，pn结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流id就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，id变大，所以用栅极电压eg可以控制漏极电流id的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。（2）特性曲线1）转移特性图2（a）给出了n沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压vgs=0时的漏源电流。用idss表示。vgs变负时，id逐渐减小。id接近于零的栅极电压称为夹断电压，用vp表示，在0≥vgs≥vp的区段内，id与vgs的关系可近似表示为：id=idss（1-|vgs/vp|）其跨导gm为：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微欧）|式中：△id------漏极电流增量（微安）------△vgs-----栅源电压增量（伏）图2、结型场效应管特性曲线2）漏极特性（输出特性）图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。①可变电阻区（图中i区）在i区里vds比较小，沟通电阻随栅压vgs而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，id随vds近似线性增大，当vgs＜vp时，漏源极间电阻很大（关断）。ip=0；当vgs=0时，漏源极间电阻很小（导通），id=idss。这一特性使场效应管具有开关作用。②恒流区（区中ii区）当漏极电压vds继续增大到vds＞|vp|时，漏极电流，ip达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的vgs漏极特性曲线近似平行线，即id与vgs成线性关系，故又称线性放大区。③击穿区（图中ⅲ区）如果vds继续增加，以至超过了pn结所能承受的电压而被击穿，漏极电流id突然增大，若不加限制措施，管子就会烧坏。2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称mos场效应管。（1）结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块p型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的n型区，作为源极s和漏极d。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极g（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。图3、n沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的n区接通，形成了导电沟道，即使在vgs=0时也有较大的漏极电流id。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流id随着栅极电压的变化而变化。场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。（2）特性曲线1）转移特性（栅压----漏流特性）图4（a）给出了n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中vp为夹断电压（栅源截止电压）；idss为饱和漏电流。图4（b）给出了n沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中vr为开启电压，当栅极电压超过vt时，漏极电流才开始显著增加。2）漏极特性（输出特性）图5（a）给出了n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。图5(b)为n沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。图4、n沟道mos场效管的转移特性曲线图5、n沟道mos场效应管的输出特性曲线此外还有n衬底p沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种，各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）二、场效应管的主要参数 1、夹断电压vp当vds为某一固定数值，使ids等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压vgs就是夹断电压vp。2、饱和漏电流idss在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于vp时的漏极电流称为idss。3、击穿电压bvds表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的vds。4、直流输入电阻rgs在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的rgs可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的rgs可超过10000000000000欧。5、低频跨导gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即gm= △id/△vgs它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μa/v）或毫安（ma/v）来表示