fdsoi，多少年了终于明白了FinFET与FDSOI制程

本文目录一览

1，多少年了终于明白了FinFET与FDSOI制程
2，如何理解fd soi的全耗尽
3，CPU好坏看二级缓存核心数量生产工艺主频哪一个
4，SOI是什么
5，so i是什么意思
6，英文翻译成中文

1，多少年了终于明白了FinFET与FDSOI制程

业界普遍表明：台积电的16nm好于三星14nm（RX580使用第三代FinFET 14nm，频率提升了）并且NVIDIA采用Pascal（帕斯卡）架构，而AMD是Polaris（北极星）两家技术都不同。位宽跟显存是有关系的。（1070 8G就是256-bit）

多少年了终于明白了FinFET与FDSOI制程

2，如何理解fd soi的全耗尽

指示灯亮说明通电正常。你没说明按键按下有没有反应？最简单就是小按键接触不良，这个很常见。其他会问题出在内部电脑板的控制电路上，如内部插线排5线的接触不良；电阻R1开路（4.7K）；三极管VT1不良（S9013）；继电器K1不良；EH加热器插头接触不良，CPU不良等。

什么意思

如何理解fd soi的全耗尽

3，CPU好坏看二级缓存核心数量生产工艺主频哪一个

都要看。關鍵是性價比。

都要看的，你还要看三级缓存，还有倍频

看CPU架构、核心研发代号、三级缓存、制程工艺等,CPU架构决定主频效率,在先进架构的支持下即使主频很低性能也很强,今年4.8 Intel即将发布的Ivy Bridge架构CPU就很好,而且使用最先进的22nm制程和Tri-gate、三闸立体finFet型晶体管,功耗很低且核心显卡性能较去年Sandy Bridge产品提升70%,大型网游都能运行,再等几天买吧.以后Intel还将加入soitec、全耗尽技术、FD-ETSOI等最先进技术

都很重要... 个人感觉还是制作工艺跟微架构最重要个人见解仅供参考

主频

cpu从来都是看价格，其他参数只是理论。只是相对来说相同价格AMD比inter性价比高点而已。

CPU好坏看二级缓存核心数量生产工艺主频哪一个

4，SOI是什么

　　SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。　　通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD（Fully Depleted）结构和厚膜部分耗尽PD（Partially Depleted）结构。由于SOI的介质隔离，制作在厚膜SOI结构上的器件正、背界面的耗尽层之间不互相影响，在它们中间存在一中性体区，这一中性体区的存在使得硅体处于电学浮空状态，产生了两个明显的寄生效应，一个是"翘曲效应"即Kink 效应，另一个是器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。如果将这一中性区经过一体接触接地，则厚膜器件工作特性便和体硅器件特性几乎完全相同。而基于薄膜SOI结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除"翘曲效应"，且这类器件具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜全耗尽FDSOI应该是非常有前景的SOI结构。　　目前比较广泛使用且比较有发展前途的SOI的材料主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和将键合与注入相结合的Smart Cut SOI材料。在这三种材料中，SIMOX适合于制作薄膜全耗尽超大规模集成电路，BESOI材料适合于制作部分耗尽集成电路，而Smart Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料，它很有可能成为今后SOI材料的主流。

5，so i是什么意思

一首歌

SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD（Fully Depleted）结构和厚膜部分耗尽PD（Partially Depleted）结构。由于SOI的介质隔离，制作在厚膜SOI结构上的器件正、背界面的耗尽层之间不互相影响，在它们中间存在一中性体区，这一中性体区的存在使得硅体处于电学浮空状态，产生了两个明显的寄生效应，一个是"翘曲效应"即Kink 效应，另一个是器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。如果将这一中性区经过一体接触接地，则厚膜器件工作特性便和体硅器件特性几乎完全相同。而基于薄膜SOI结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除"翘曲效应"，且这类器件具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜全耗尽FDSOI应该是非常有前景的SOI结构。目前比较广泛使用且比较有发展前途的SOI的材料主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和将键合与注入相结合的Smart Cut SOI材料。在这三种材料中，SIMOX适合于制作薄膜全耗尽超大规模集成电路，BESOI材料适合于制作部分耗尽集成电路，而Smart Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料，它很有可能成为今后SOI材料的主流。

super junior 唱的一首歌

6，英文翻译成中文

阈下的输出特性1.2μm SOICMOS FD)和电学晶体管电路在不同温度下进行了仿真和分析的基础上,着重建立模型的温度影响泄漏电流。从图2,我们可以得出结论:随着环境的温度升高,漏电流的n型晶体管相应增加。同时,阈SOInMOS梯度下降的变化,逐渐是很明显的。的泄漏电流的n型晶体管×10 - 12一3.021μmIt增加到5.281×/ 10——9A /μm当温度上升到500 K,但它仍然可以被使用。不断增加的泄漏电流将温度进一步增加。大功率MOSFET不能关掉正常泄漏电流的刺激电流Ileak途径,从而导致失败的电路。的泄漏电流的n型晶体管随温度的升高,由于以下原因:内在的载体迅速上升时浓度镍温度的升高,minority-carrier迁移的影响,降低短通道和DIBC drain-induced-barrier-lowering)强化(。你可以去使用有到桌面词典或者灵格斯翻译家！！！这个挺好用的，对翻译用处很大！！！

一条1.2μm FD SOICMOS电路的次于最低限度的输出特性与n类型和p类型晶体管在各种各样的温度被模仿并且被分析基于设置模型，重点在对漏出潮流的温度影响。从。 2我们认为，当环境温度增加， n类型晶体管的漏出潮流相应地增加。一致地， SOInMOS的次于最低限度的梯度逐渐减少，并且变动是非常显然的。 n类型晶体管的漏出潮流是3.021 ×10-12 A/μmIt增量对5.281 ×10-9A/μm，当温度上升到500 K时，但可能仍然使用它。漏出潮流连续地将增加当温度进一步增加。 MOSFET不可能通常关闭，当漏出当前Ileak接近打开的潮流时，导致电路的失败。 n类型晶体管的漏出潮流增加，当温度增加，由于以下原因：集中ni迅速地增加的本征载流子，当温度增加，少数载体的流动性减少，并且短的渠道和DIBC (排泄导致障碍降下)的作用增强。

在亚阈值输出特性的1.2μm消化不良SOICMOS电路的n型和p型晶体管在不同温度下的模拟和分析的基础上设定模型，并把重点放在温度影响的漏电流。从图。 2 ，我们得出这样的结论：在环境温度升高，泄漏目前的N型晶体管相应会提高。同时，阈梯度SOInMOS逐渐减小，变化非常明显。那个泄漏电流的N型晶体管为3.021 × 10月12日的A / μmIt增加至5.281 × 10-9A/μm当温度上升到500钾，但它仍然可以使用。漏电流会不断增加的温度进一步增加。该MOSFET不能正常关闭时，泄漏电流Ileak办法的导通电流，从而导致温度升高，由于下列原因：倪征载流子浓度的提高而迅速增加时，温度升高，流动性的少数载流子下降，短期的影响，渠道和DIBC （漏诱导势垒降低）加紧。请采纳，我是学英语专科的！