磁控溅射原理，磁控溅射制备石墨烯是化学方法吗

本文目录一览

1，磁控溅射制备石墨烯是化学方法吗
2，磁控溅射的原理
3，什么是射频磁控溅射法
4，什么叫中频磁控溅射
5，磁控溅射中的二次电子
6，溅射靶材的主要应用

1，磁控溅射制备石墨烯是化学方法吗

是利用氩原子电离后的氩离子轰击石墨靶材表面溅射成膜的物理方法。但是生成条件很苛刻，一般直接溅射生成类金刚石结构，不会生成石墨烯。

也许是的。

低真空下，氩原子在电场作用下被电离，产生的正电荷氩离子轰击作为阴极的靶材，将靶材表面的原子打击下来，这就是溅射。磁控是在阴极靶材周围布局的一圈永磁磁钢来实现的，目的就是利用洛伦兹力原理让被电离的氩离子尽多的打击在靶上，同时氩离子速度也能被加速，动能增大，溅射速度加快。

磁控溅射制备石墨烯是化学方法吗

2，磁控溅射的原理

电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面做圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断撞击电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次的碰撞后电子的能量逐渐降低，拜托磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。

磁控溅射的原理

3，什么是射频磁控溅射法

一种电真空镀膜法。

1 直流和射频是对加在靶上的电源所说的。本质区别自然就在直流是持续不间断加在上面，射频是具有一定的频率（13.56MHz）间隔加在靶上的。详细解释只能去看书，还不让粘贴，没人会找本书来给你慢慢敲在这里2 这个说法不对。直流磁控溅射只能用导电的靶材（靶材表面在空气中或者溅射过程中不会形成绝缘层的靶材），并不局限于金属。譬如，对于铝靶，它的表面极易形成不导电的氧化膜层，造成靶表面电荷积累（靶中毒），严重时直流溅射无法进行。这时候，就需要射频电源，简单的说，用射频电源的时候，有一小部分时间是在冲抵靶上积累的电荷，不会发生靶中毒。去找本书，《薄膜科学与技术》，里面解释的还行。或者半导体设备的书里面也会有涉及

什么是射频磁控溅射法

4，什么叫中频磁控溅射

经公司技术人员多年专注研发，通过特有的阴极电弧离子和非平衡磁控系统，并开发出整套propower系列计算机自动控制系统，使镀膜膜层附着力致密度、从复度一致性好等特点，解决了人工手动操作复杂性、膜层颜色不一致等问题。广泛适用于手表、手机壳、五金、洁具、餐具及要求耐磨起硬的刀具、模具等。镀制tin、ticn、crn、tialn、ticrn、zrn、tinc及各类金属石膜（dlc）。卧式镀膜机　　1、磁控溅射的原理是基于阴极辉光放电理论，把阴极表面磁场扩展到接近工件表面，提高了溅射原子离化率。既保留磁控溅射的细腻又增强了表面光泽度。真空离子清洗机　　2、电弧等离子体蒸发源性能可靠，在优化阴极及磁场结构镀膜时可在30a电流下工作，镀膜膜层和基底界面产生原子扩散，又具有离子束辅助沉积的特点。汽车镀膜设备

5，磁控溅射中的二次电子

磁控溅射中撞击Ar原子的是被电场加速的电子，公认的是碰撞理论，入射离子与固体表面原子发生弹性碰撞后，将其中一部分能量给了原子，该原子的动能超过它与其他原子形成的势垒（对金属约5--10ev)时，原子就会从晶格点阵碰出，形成离位原子，又与其他附近原子发生反复碰撞--联级碰撞。当原子动能超过结合能（1--6ev)时，原子离开表面进入真空室沉积在设置的基体上，形成薄膜。入射正离子轰击固体表面后除产生原子外，还有其他现象产生，主要是原子和电子。原子沉积在基体上形成薄膜，电子用来维持辉光放电的继续。二次电子主要是氩原子被撞击后产生的，Ar+离子最后撞击靶材（靶材是阴极带负电），失去能量，得到电子，还原为氩原子，所以在溅射纯金属时，氩流量确定以后，无论提高还是降低溅射功率，真空度基本不变，而在反应溅射时，反应气体过量时，提高溅射功率可以减轻真空度降低。如此回答可否满意，如有疑问，继续探讨。可找1019180351@qq.com

6，溅射靶材的主要应用

溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等；亦可应用于玻璃镀膜领域；还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。分类根据形状可分为长靶，方靶，圆靶，异型靶根据成份可分为金属靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材根据应用不同又分为半导体关联陶瓷靶材、记录介质陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、超导陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材等根据应用领域分为微电子靶材、磁记录靶材、光碟靶材、贵金属靶材、薄膜电阻靶材、导电膜靶材、表面改性靶材、光罩层靶材、装饰层靶材、电极靶材、封装靶材、其他靶材磁控溅射原理：在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气)，永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种：支流溅射和射频溅射，其中支流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。磁控溅射镀膜靶材：金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材，氮化物陶瓷溅射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，硫化物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化铟靶材(InP)，砷化铅靶材(PbAs)，砷化铟靶材(InAs)。高纯高密度溅射靶材有：溅射靶材（纯度：99.9%-99.999%）1. 金属靶材：镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等金属溅射靶材。2. 陶瓷靶材ITO靶、AZO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材。3.合金靶材镍铬合金靶、镍钒合金靶、铝硅合金靶、镍铜合金靶、钛铝合金、镍钒合金靶、硼铁合金靶、硅铁合金靶等高纯度合金溅射靶材。