砷化镓化学式，砷化稼的化学式怎么写

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1，砷化稼的化学式怎么写
2，导弹指制导上用的是哪种矿物
3，砷化镓广泛用于雷达电子计算机人造卫星宇宙飞船等尖端技术中
4，什么是砷化镓
5，砷化镓化学式为GaAs是一种重要的半导体材料砷化镓中砷元素显
6，砷化镓属于哪类化合物

1，砷化稼的化学式怎么写

化学式GaAs

化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。

砷化稼的化学式怎么写

2，导弹指制导上用的是哪种矿物

1、砷化镓砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。2、据专家介绍，砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。它还被广泛使用于军事领域，是激光制导导弹的重要材料，曾在海湾战争中大显神威，赢得“砷化镓打败钢铁”的美名。据悉，砷化镓单晶片的价格大约相当于同尺寸硅单晶片的20至30倍。尽管价格不菲，目前国际上砷化镓半导体的年销售额仍在10亿美元以上。

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导弹指制导上用的是哪种矿物

3，砷化镓广泛用于雷达电子计算机人造卫星宇宙飞船等尖端技术中

(1)GaAs　(2)NH 3 ＞AsH 3 ＞PH 3 　(3)＞　(4)BCD 由晶胞的结构知每一个砷化镓晶胞中含有4个As原子、4个Ga原子，因此砷化镓的化学式为GaAs。(2)N、P、As为同一主族元素，其氢化物结构相似，相对分子质量越大，则分子间作用力越大，沸点越高，但由于NH 3 分子间可形成氢键，沸点反常的高，故其氢化物的沸点高低顺序为NH 3 >AsH 3 >PH 3 。(3)As与Ga位于同一周期，分别为ⅤA与ⅢA族，As的p轨道处于半充满的稳定状态，故第一电离能：As＞Ga。(4)结合题给GaAs的晶胞结构图可知其晶胞结构与NaCl不同；在GaAs的晶胞中，每个Ga原子连接4个As原子，构成正四面体；结合(3)中分析Ga，As在周期表的位置可知其电负性：As＞Ga；在GaAs的晶胞中，每个Ga原子与4个As原子形成4条共价键，由于Ga原子最外层只有3个电子，故其中1条共价键的电子对完全由As原子提供，形成配位键。

额

砷化镓广泛用于雷达电子计算机人造卫星宇宙飞船等尖端技术中

4，什么是砷化镓

GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。

砷化镓（gallium arsenide），化学式 gaas。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。中益兴业砷化镓薄膜太阳能电池即是一种高效的太阳能转电能的新型量产技术。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

5，砷化镓化学式为GaAs是一种重要的半导体材料砷化镓中砷元素显

砷元素显-3价，设镓元素的化合价是x，根据在化合物中正负化合价代数和为零，可得：x+（-3）=0，则x=+3价．故选D．

（1）as是35号元素，属于主族元素，其最外层电子就是其价电子，所以as基态原子的价电子排布式：4s24p3，故答案为：4s24p3；（2）同一周期元素中，元素的电负性随着原子序数的增大而增大，第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第va族元素第一电离能大于相邻元素，ga属于第iva族、as属于第va族，所以as的第一电离能比ga的大，as的电负性比ga的大，故答案为：大；大；（3）氨气分子间形成氢键，氢键的存在导致氨气的沸点最高，砷化氢的相对分子质量大于磷化氢，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢的高，则这几种氢化物的沸点高低顺序是：nh3＞ash3＞ph3，故答案为：nh3＞ash3＞ph3；氨气分子间形成氢键，沸点最高，砷化氢的相对分子质量比磷化氢大，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢高；（4）gaas的晶体结构与单晶硅相似，根据硅晶体结构知，在gaas晶体中，每个ga原子与4个as原子相连，与同一个ga原子相连的as原子构成的空间构型为正四面体，gaas的晶体结构和硅晶体相似，则晶体类型相似，所以gaas属于原子晶体，故答案为：4；正四面体；原子；（5）根据元素守恒知，另外一种生成物是ch4，根据反应物、生成物及反应条件知，其反应方程式为：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4，（ch3）3ga为非极性分子，（ch3）3ga中ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，故答案为：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4；sp2．

6，砷化镓属于哪类化合物

GaAs是原子晶体，共价化合物。其晶体结2113构是闪锌矿结构，它由面心立5261方晶格套构而成。每个Ga原子与它周围四个As原子间靠共价键结合。但是4102砷化镓中的Ga-As原子间的键合，不是纯粹的共1653价键，由于Ga、As的负电性差异产生极性，称为极性键内，具有离子键的特征，因此砷化镓中离子键成分大约37%。容

是的，是晶态化合物半导体，由共价键形成，是原子晶体，类比氯化铝化学式 gaas。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。化学式gaas，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。氯化铝（熔融状态实际以al2cl6分子形式存在，不能导电；简写作alcl3（三氯化铝））是共价化合物。结构为是每一个铝原子分别和三个氯原子形成铝氯单键，两个铝原子之间没有单键连接。因为alcl3为缺电子分子，al倾向于接受电子形成sp3杂化轨道，两个alcl3分子间发生cl->al的电子对授予而配位,形成al2cl6分子.配位键是一种特殊的共价键，所以三氯化铝是共价化合物。不过严格点说应该是形成了氯桥键。两个alcl3分子靠氯桥键（三中心两电子键）结合起来形成al2cl6分子，这种氯桥键与b2h6的氢桥键结构相似。从价键理论的观点（价键理论要求两个原子之间通过各自提供一个满足要求的原子轨道的重叠来形成共价键）看，氯桥键仍然属于共价键范畴。所以al2cl6是共价化合物。其实，学化学不一定非得刨根问底才学得好，有时候，基础性的东西只须记

化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点复 1238℃。它在600℃以下，能制在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸2113侵蚀。跟SiC是等电子5261体，也就是结构性质相似！SiC是原子晶4102体，GaAs也是原子晶体！也可1653以从他的熔点1238进行判断！