极紫外，还有比极紫外光更好的光源吗

本文目录一览

1，还有比极紫外光更好的光源吗
2，euv vuv 是什么光谱
3，EUV 是什么含意哪位能给详解下
4，极紫外光刻为什么能提高分辨率
5，高次谐波就是极紫外线么
6，传统光学的曝光技术有哪些

1，还有比极紫外光更好的光源吗

那就是激光了！高速，不损失，

没有

还有比极紫外光更好的光源吗

2，euv vuv 是什么光谱

EUV指的是极紫外，波长在10-14nm。VUV指的是真空紫外

不明白啊 = =！

euv vuv 是什么光谱

3，EUV 是什么含意哪位能给详解下

极紫外辐射 Extreme Ultraviolet

表示了自己对对方的深切情感。。不管对方心里怎样想，都会爱着对方。。

EUV 是什么含意哪位能给详解下

4，极紫外光刻为什么能提高分辨率

波长短EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。

光学显微镜有多种分类方法：智泰按使用目镜的数目可分为三目，双目和单目显微镜；按图像是否有立体感可分为立体视觉和非立体视觉显微镜；按观察对像可分为生物和金相显微镜等；按光学原理可分为偏光，相衬和微分干涉对比显微镜等；按光源类型可分为普通光、荧光、红外光和激光显微镜等；按接收器类型可分为目视、摄影和电视显微镜等。常用的显微镜有双目连续变倍体视显微镜、金相显微镜、偏光显微镜、紫外荧光显微镜等。

5，高次谐波就是极紫外线么

不是。说白了，谐波指的是产生所需波的同时，不可避免地产生不同频率的干扰波，也就是噪声。谐波是高次还是低次，是相对所需的波来说的。具体做法是，将波函数按傅里叶级数展开，比基波次数高的幂级数就称为高次谐波。数学上，一个简单的例子，f(x)=∑cosx+∑(cosx)^2中，∑(cosx)^2就是基波∑cosx的高次谐波。物理上，比如现在要从白光中提取绿光，那么其中的红光就是低次谐波，紫光就是高次谐波。不知道你的谐波是相对什么来说的，如果是无线电波（它的频率比红外线还低），那么频率高于可见光的紫外线就是高次谐波了。

高次谐波的危害与一般无线电电磁干扰一样，变频器产生的高次谐波通过传导、电磁辐射和感应耦合三种方式对电源及邻近用电设备产生谐波污染。

楼主，个人认为。无线电和光线虽然都符合麦克斯韦电磁场理论，但是光波实际上给无线电还是有区别的。根据目前人类所能掌握的无线电收发技术，是没有办法产生频率很高的无线电的。高次谐波当然也是由人类设备产生的。其频率跟光波不在一个数量级上。综上，两者关系：频率不同。。。

6，传统光学的曝光技术有哪些

传统光学曝光是指以紫外光(波长为012～014μm)或者远紫外光来实现的曝光工艺。传统光学曝光有两种基本方式:阴影式曝光(shadowprinting)和投影式曝光(projectionprinting)。阴影式曝光技术中,掩膜直接与晶片接触实现曝光的,叫接触式曝光;掩膜与晶片保持一间隙实现曝光的,叫接近式曝光。接触式曝光技术比较简单,能获得较高分辨率(约1μm),但掩膜与晶片间容易夹入灰尘颗粒,造成掩膜永久性损伤,降低成品率。接近式曝光不会带来灰尘颗粒损伤,但掩膜和晶片间的间隙(一般为10～50μm)能导致光衍射误差,降低分辨率。投影式曝光是利用光学投影成像的原理,通过投影物镜将掩膜版大规模集成电路等的图形的像(1∶1像或缩小像),投影到涂有感光胶的晶片上,完成图形转移。掩膜图形晶片离掩膜有几厘米远,掩膜图形被逐块聚焦成像投影到晶片上,并通过扫描或分步重复完成整个晶片表面的曝光。投影式曝光技术能够得到接触式曝光的分辨力,而且又能避免接触曝光易损伤和玷污掩膜版的弊端。目前光学光刻技术虽然是主流技术,但光学曝光技术还有一定的局限性,首先是光学衍射效应的限制; 光学系统的数值孔径和光学畸变也导致光学曝光的局限;另外光源和抗蚀剂也是光学光刻无法逾越的障碍。光学曝光在微/纳加工技术中的主要应用有: 1、用于大规模集成电路芯片的制作。目前曝光已经达到线宽为0107μm,一个晶体管面积仅仅为百万分之一平方毫米,是当今超大规模集成电路制造生产线上应用最广、技术进步最快、生命力最强的光刻技术。 2、用于大批量生产微机械或微机电系统(MicroElec2troMechanicalSystem,MEMS)器件,尤其是信息MEMS 和生物MEMS。美国采用光学投影光刻工艺已在硅片上加工出纳米级微型静电马达、微流量控制泵、可注入人的血管的医用微型机器人和实验、演示用的微型机器人。 3、用于微光机电系统 (MicroOpticElectroMechanicalSystem,MOEMS)制作,即在芯片上同时集成微光学、微机械和微电子.

你说的应该是光刻机里曝光吧，光刻机里的投影透镜系统由数十片光学透镜组成，光学像差已经基本消除，达到衍射受限系统的要求，拿最高端asml光刻机来说，它的镜头一直都是卡尔蔡司提供的，高端的机器一般用到20多片的镜头来达到要求。但是受限于衍射理论，在不存在像差的情况下，光刻的分辨率（也就是芯片电路布线的宽度，比如现在的16nm，10nm制程）与曝光波长成线性正比，也就是波长越小成像的斑点越小，分辨率越高，学过艾里斑的应该都知道。传统的曝光已经是比较先进的193纳米的arf准分子激光，为了应对未来的升级，艾斯迈尔（asml，荷兰）研发了商用级别的极紫外euv系列光刻机，是利用二氧化碳激光激发锡滴产生的13.5nm的软x射线，单价达数千万美元，那么理论上比193nm的光源，分辨率将提升了10倍以上，但是由于适用于x射线波段的透镜材料比较难找，所以这也是个关键问题，实际得提升并没有这么多。不过三家芯片巨头的投资并没有白费，预计2017年左右可以正式投入产线，极紫外euv扫描投影式光刻机代表了当今世界最高精尖的生产工艺，几乎所有高端芯片将来都会由它莱生产！