HEMT，hemt器件为什么要加绝缘砷化镓衬底

本文目录一览

1，hemt器件为什么要加绝缘砷化镓衬底
2，hemt可以组什么单词
3，什么叫电子空穴气
4，场效应晶体管的分类
5，特征频率的场效应晶体管
6，什么是金属电子气

1，hemt器件为什么要加绝缘砷化镓衬底

而你正在使用集线器这和相关网络质量也许质量也不是特别好结果的有关信息发生卡纸时，建议更换一个好的开关目前比较主流的中心将60腾达交流再看看别人怎么说的。

如果衬底导电，栅极加电压时会漏电，器件失效。

hemt器件为什么要加绝缘砷化镓衬底

2，hemt可以组什么单词

可以组成thempron.[用作动词或介词的宾语]他们; 她们; 它们; 〈古〉他们(或她们)自己det.〈非正式或方〉那些[例句]I bathed the kids and read them stories我给孩子们洗了澡，然后给他们读故事

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3，什么叫电子空穴气

?说的是二维电子气么？这是在异质结才会出现的现象，由于形成PN的两种材料不同，功函数不会相同，在交界面出的能带不会像同种材料形成的PN结能带那样平滑,而是会出现尖峰，和能谷。在能谷中的电子（活价带中空穴）便被限制在了这个能谷中，并且运动方向只能是二维的（图中只能上下，前后两个方向，不能左右），因此叫二维电子气。在该能谷中，根据深度的不同会聚集不同数量的电子，一般都会很大的。关于应用举个例子吧：HEMT晶体管就是用二维电子气才实现的，高速度。因为二维电子气是形成在交界面附近（几个纳米吧）某一侧的，如果该侧是不参杂的材料，那样就能避免了半导体中最讨厌的杂质散射了。电子多，散射少，当然速度快咯！

什么叫电子空穴气

4，场效应晶体管的分类

1：金属绝缘栅半导体FET（MISFET）：这里栅极通过一绝缘层与沟道分开。是最为广泛应用的类型之一。金属氧化物半导体（MOSFET）属于此类。 2：结型场效应晶体管（JFET）：这种类型依靠一负偏置的PN结把栅极与沟道绝缘。 3：金属半导体FET（MESFET）：如果把负偏置PN结换成肖特基接触，沟道能被控制，正如在JFET中的情况。 4：异质FET（Hetero FET）：异质FET不同于上述三种情况，其结构使用不同半导体层之间的突变过渡。高电子迁移率晶体管（HEMT）属于这类。

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

5，特征频率的场效应晶体管

场效应管（JFET、MESFET、HEMT）的特征频率ft是指共源、输出端短路、电流放大系数为1（即输入电流=输出电流）时的频率，也称为共源组态的增益-带宽乘积；它主要由栅极电容Cg来决定。由简化的小信号高频等效电路可以给出有ft = gm / 2πCg = 1 / 2π τ，即ft决定于栅极下载流子的渡越时间τ。对于长沟道（μ为常数）的器件：τ = L /μEy ≈ L2 /μVds，则ft = μ Vds / 2πL ；对于短沟道（漂移速度饱和为vs) 的器件：τ = L / vsL ，则ft = vs L / 2πL。若再计入寄生电容CL，则截止频率为 ft = gm / [2π（Cg+CL)] = （1 / 2 π τ） [1 + (CL / Cg)]-1。提高场效应晶体管ft的措施：增大跨导gm、减小栅电容Cg、减短沟长L、增大迁移率μ或饱和漂移速度vs。对HEMT（高电子迁移率晶体管），由于HEMT的控制层厚度可以制作得比较小，则Cgs 比较小（即gm 比较大），从而有较高的截止频率和较快的工作速度。⑷三极管的特征频率三极管由于存在节电容，特别是CB节电容，对三级管放大信号的频率影响最大。导致三极管对高频信号放大能力严重下降。某频率通过三极管放大后，放大倍数为1，这个信号频率就是三极管的特征频率。特征频率是个重要参数，三极管生产厂商会告诉这个参数，查手册可以知道。选择三极管时，要选择特征频率高于信号频率的上限值的三极管。比如9018，特征频率为500MHZ，用在电视机预中放38MHZ是可以的

6，什么是金属电子气

维德曼和夫兰兹于1853年由实验确定了金属导热性和导电性之间关系的经验定律；洛伦兹在1905年建立了自由电子的经典统计理论，能够解释上述经验定律，但无法说明常温下金属电子气对比热容贡献甚小的原因；泡利在1927年首先用量子统计成功地计算了自由电子气的顺磁性，索末菲在1928年用量子统计求得电子气的比热容和输运现象，解决了经典理论的困难。——————补充说明：对于突变异质结，由于导带底能量突变量ΔEc的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电子的作用而言，该“尖峰”也就是电子的势垒，“凹口”也就是电子的势阱。因此，实际上“尖峰”中的电场有驱赶电子的作用，即形成耗尽层；“凹口”中的电场有驱赶空穴、积累电子的作用，在条件合适时，即可形成电子积累层（即表面导电沟道）。如果“凹口”势阱的深度足够大，则其中的电子就只能在势阱中沿着平面的各个方向运动（即紧贴着异质结界面运动），即为二维运动的电子；进而，若引入有效质量概念，则可认为这些电子是经典自由电子，从而可把异质结势阱中的电子看作为具有一定有效质量的所谓“二维电子气”（2-DEG）。实际上，其他半导体表面沟道（例如MOSFET的沟道）中的电子也与这些电子一样，都是二维电子气。若控制突变异质结两边的掺杂状况，即在窄能隙一边的半导体中不掺杂（即为本征半导体），而在宽异能隙一边的半导体中掺入施主，则在异质结界面附近的本征半导体一侧有电子势阱，而在掺杂半导体一侧有电子势垒；其中势阱中积累有二维电子气（都由另一边的掺杂半导体所提供）。这种异质结就称为调制掺杂异质结（MODHJ）。这种调制掺杂异质结中的二维电子气具有许多重要的性质。由于势阱中的二维电子气是处在本征半导体一边，而该处不存在电离杂质中心的散射作用，因此，这些二维电子气沿着平面方向运动的迁移率将非常高（特别是在较低温度下、晶格振动减弱时），故又称这些电子为高迁移率二维电子气。性能优良的超高频、超高速场效应晶体管——HEMT（又称为MODFET），就是利用调制掺杂异质结势阱（沟道）中的高迁移率二维电子气来工作的。调制掺杂异质结中的二维电子气除了具有非常高的迁移率以外，还具有一种独特的性质就是，即使在极低温度下都不会“冻结”——不会复合消失。因为提供这些二维电子气的电离杂质中心都是处在异质结的另一侧的，这就是说，在空间上自由电子与电离杂质中心是分离开来的，所以，当温度降低时，这些电子也无法回到杂质中心上去，从而在极低温度下它们也不会消失，能够正常工作。这就为低温电子学的研究与发展提供了器件基础。二维电子气还具有许多奇特的性质。例如，在低温下利用MOSFET来测量沟道中二维电子气的Hall效应时，发现器件的Hall电导是一系列量子化的数值（称为整数量子Hall效应）。又如，在更低温度下利用HEMT来测量异质结沟道中二维电子气的Hall效应时，发现Hall电导是一系列更为特殊的量子化数值（称为分数量子Hall效应）。这些量子效应都是二维电子气在低温下所呈现出来的一些奇特的性质。