高频管，高频管主要功能是什么

1，高频管主要功能是什么

高频管主要功能高频信号放大

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2，高频管哪里的好

高频管啊？河北华洋的挺不错的。phone：一、三、七、三、一、七3、4、9、9、6。

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3，他和高频管开关管有什么区别能互换使用吗

彩行管指的是彩电行管吗？如果是，彩电行管的工作频率最高才31KHZ --- 最高不超过 100 KHZ，不可以用彩电行管来代替高频管 --- 高频管要求能工作在 3MHZ 以上。

彩行管也是高频管，开关管,主要是电流大(一般3安以上),耐压高(1200伏以上)再看看别人怎么说的。

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4，高频三极管3DG100特性越多越好

3DG100是NPN型硅平面高频小功率三极管，主要用于高频放大和振荡电路。基本参数如下：Iceo≤0.01uAVce(sat)≤1VfT≥150MHz(后缀A、B档) ≥300MHz（后缀C、D档）Cob≤4pFGp≥7dBVceo≥20V（A、C档）≥30V（B、D档）Icm=20mAPcm=100mWhfe分档：30-60（红）50-110（绿）90-160（蓝）＞150（白）

5，如何判别晶体管是高频管还是低频管

可通过用万用表测量晶体管发射结的反向电阻来进行判别。对于NPN型管，红表笔接基极，黑表笔接发射极。对于PNP型管，表笔的接法相反。测量时先用R×1KΩ档，然后再用R×10KΩ档。若两次测量万用表的读数没有很大变化，且读数都很大，则证实此晶体管为低频管。如果两次测量时万用表的读数变化很大，且第二次万用表的读数显著变小，则说明此晶体管是高频管。

可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。对于一般小功率管，判断时一般只宜用rx1k档.步骤如下：　　1. 正测与反测将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻，再红黑表笔互换仍测这两脚电阻，两次测量电阻读数不同，我们把电阻读数较小的那次测量叫正测，我们把电阻读数较大的那次测量叫反测。　　2. 确定基极将晶体管三只管脚编上号1.2.3. 万用表作三种测量,即1-2， 2-3，3-1，每种又分正测和反测。这六次测量中, 有三次属正测，且电阻读数个不相同。找出正测电阻最大的那只管脚，例如1-2，另一支管脚3便是基极。这是由于不论管或管，都为两个二极管反向连接而成。发射极，集电极与基极间的正测电阻即一般二极管正向电阻，很小。当两表笔接集电极和发射极时，其阻值远大于一般二极管正向电阻。　　3. 判别极性黑表笔接已确定的基极，红表笔接另一任意极，若为正测，则为npn管，若为反测，则为pnp管。这是因为黑表笔接万用表内电池正端，如为正测，黑表笔接的是p端，晶体管属npn型。如为反测，黑表笔接的是n端，晶体管属pnp型。　　4. 确定集电极和发射极对集电极和发射极作正测。在正测时，对npn管黑表笔接的是集电极，对pnp管，黑表笔接的是发射极。这是因为不论正测或反测，都有一个pn结处于反向，电池电压大部分降落在反向的pn结上。发射结正偏，集电路反偏时流过的电流较大，呈现的电阻较小。所以对npn管，当集,射间电阻较小时，集电极接的是电池正极，即接的是黑表笔。对pnp管，当集，射间的电阻较小时，发射极接的是黑表笔。　　5. 判别是硅管还是锗管对发射极基极做正测，若指针偏转了1/2--3/5，是硅管。若指针偏转了4/5以上，是锗管。这是因为电阻挡对基——射极作正测时, 加在基射间的电压是ube=(1-n/n)e， e=1.5v是电池电压，n是有线性刻度的某一直流电压的总分格数，n是表针在该刻度线上偏转的分格数。通常硅管u=0.6~0.7v，锗管ube=0.2~0.3v。因此在测试时，对硅管， n/n约为1/2-3/5；对锗管， n/n约为4/5以上。另外，对于一般小功率的判别，万用表不宜采用rx10或rx1挡。以500型万用表测硅管来说明，该表内阻在rx10挡是100欧，对硅管b.e极作正测是，电流达ibe=(1.5v-0.7v)/100欧=8ma，? 测锗管时电流还要大，用rx1挡电流更大，有可能损坏晶体管。至于rx1k挡，该挡电池电压较高，常见的有1v,12v,15v,22.5v等几种，反测时有可能造成pn结击穿，故此挡也应慎用。

6，什么叫高频三极管

三极管的频率响应特性不一样，具有高频信号放大作用的三极管叫高频三极管，一般频率响应特性在3MHZ 以上的是高频三极管，它主要用于高频放大电路里，如无线电设备的前置放大（高频）、混频电路、振荡电路电路等等，大功率高频三极管则主要用于无线电功率发射电路。

高频大功率三极管一般是指特征频率大于4mhz,耗散功率大于1w的三极管。

1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

高频三极管一般应用在VHF、UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上，这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下，其功率最大2.25瓦，集电极电流最大500毫安，其在使用过程中的选用原则为：(1)当三极管使用的环境温度高于30℃时，耗散功率Pcm应降额60-80%使用。(2)三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。(3)在三极管的参数中，有一些参数容易受温度的影响如iceo、ubeo和β值。其中iceo和ubeo随温度变化而变化的情况如下:①　温度每升高6℃，硅管的iceo将增加一倍;②温度每升高l0℃，锗管的iceo将增加一倍;③硅管ubeo随温度的变化量约为1·7mv/℃。⑷如果使用在3V、5V的低电压的情况下，击穿电压不要选择的太大，击穿电压过大（高于15V），其在低压时的线性就不好，反而影响使用。⑸输入信号较弱时，建议在初级放大使用插入增益小一些的2SC3356，次级放大选用增益大些的BFQ591或者2SC3357。⑹选用的高频三极管的截止频率fT应为实际使用频率的八分之一到十分之一，以减小使用时的插入噪声以及提高增益。(7)在高频或微波电路中使用的三极管，为了减小寄生效应，引出线应尽量短，最好使用表面贴封装形式。(9)为防止功率三极管出现二次击穿，应尽量避免采用电抗成分过大的负载。(10)在能满足整机要求放大参数的前提下，选用插入增益与直流放大系数hfe合适的三极管，以防产生自激。一般的，初级放大要求插入增益较小，其直流放大系数hfe要选择较大的，次级放大要求插入增益较大，其直流放大系数hfe不宜过大。(11)高频三极管在接人电路时，应先接通基极。在集电极和发射极有电压时，不要断开基极电路。(12)高频三极管的种类很多，因此应根据具体电路的要求来确定三极管的类型，然后根据三极管的主要参数进行选用。

高频大功率三极管一般是指特征频率大于4mhz,耗散功率大于1w的三极管。