齐纳，LED 齐纳是什么

本文目录一览

1，LED 齐纳是什么
2，齐纳效应什么意思
3，齐纳二极管是什么
4，齐纳二极管是什么二极管肖特基二极管是什么二极管TVS管是什么
5，什么是齐纳二极管
6，齐纳击穿求解释

1，LED 齐纳是什么

这里的齐纳应该是指齐纳二极管。用于保护LED芯片。

LED 齐纳是什么

2，齐纳效应什么意思

当P-N结上施加了很低的反向电压时，在量子效应下，P-N结将开始导电，这种现象称之为齐纳效应。

同问。。。

齐纳效应什么意思

3，齐纳二极管是什么

稳压二极管（又叫齐纳二极管）,此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的器件。到了反向击穿区，电流变化虽然大，但是电压几乎不变，这就是它稳压的原理。

齐纳二极管是什么

4，齐纳二极管是什么二极管肖特基二极管是什么二极管TVS管是什么

齐纳二极管就是稳压二极管。实际上用于反向击穿的二极管均可称呼为齐纳二极管。TVS管（Transient Voltage Suppression）是一种限压保护器件,是利用器件的非线性特性将过电压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。TVS管的主要参数有：反向击穿电压、最大钳位电压、瞬间功率、结电容、响应时间等。

齐纳二极管是稳压二极管。肖特基二极管是低导通电压快速二极管。TVS管是瞬变电压抑制二极管（属于瞬间大电流稳压二极管）

tvs 高压瞬间保护二极管: 应用於电路保护上例如电话手机防止雨天雷击所以抗压值较高 (数百到数万)肖特基二极管: 属整流二极管但是特点是 vf 较低 0.35-0.56v 但是vr也较小一般较常用著只有20-90v 稳压二极管:主要是稳定电压用用於电路保护用一般非直流电源中(即电源转换器上)都有此器件常用电压值约3.6-36v间

5，什么是齐纳二极管

齐纳二极管就是通常说的稳压二极管。其特点就是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

齐纳二极管(又叫稳压二极管)此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2dw7型管的击穿电压在5．8－6．5v之间，极大电流是30ma。

稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的。

6，齐纳击穿求解释

ZENER BREAKDOWN　　在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。　　齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。隧道击穿　是半导体物理的概念。隧道击穿(齐纳击穿)：隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿。当p-n结加反向偏压时，势垒区能带发生倾斜；反向偏压越大，势垒越高，势垒区的内建电场也越强，势垒区能带也越加倾斜，甚至可以使n区的导带底比p区的价带顶还低。内建电场E使p区的价带电子得到附加势能q|E|x；当内建电场|E|大到某值以后，价带中的部分电子所得到的附加势能q|E|x可以大于禁带宽度；如果p区价带中的A点和n区导带中的B点有相同的能量，则在A点的电子可以过渡到B点。实际上，这只是说明在由A点和B点的一段距离中，电场给予电子的能量等于禁带宽度。因为A和B之间隔着水平距离为的禁带,所以电子从A到B的过渡一般不会发生。随着反向偏压的增大,势垒区的电场增强，能带更加倾斜，将变得更短。当反向偏压达到一定数值，短到一定程度时，量子力学证明，p区价带中的电子将通过隧道效应穿过禁带而到达n区导带中。

半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散,形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。pn结制作成元器件使用就是二极管。pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。正向偏置时，p区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。从尺寸看，集电区最大，基区最小。如果条件不能满足，晶体管将无法工作。