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半导体指数,美国三种主要指数有何分别

来源:整理 时间:2024-12-04 05:34:43 编辑:智能门户 手机版

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1,美国三种主要指数有何分别

很简单的帮你介绍一下道琼: 是属于工业指数纳兹达克 : 是属于高科技产业指数费城 : 是属于半导体产业指数台湾应该是要观察费城指数,可是大多数人都看道琼指数。希望有解答到你的问题~~~

美国三种主要指数有何分别

2,什么是费城半导体指数

费城半导体指数由美国费城证券交易所编制,取样标准涵盖半导体的设计、制造与销售,以1993年12月1日为基期,采价格加权方式计算。该指数可协助投资人研判半导体类股和非电子类股的股价走势,是目前最受重视的科技类股指数。 费城半导体指数有19檔成分股,依序为超微、Altera、应用材料(Applied Materials)、博通、Freescale半导体、英飞凌(美国存托凭证ADR)、英特尔、科磊、Linear 科技、Marvell科技集团、Maxim Inte-grated、美光、国家半导体、诺维乐斯系统、意法半导体、台积电(ADR)、德州仪器、泰瑞达与智霖等公司。

什么是费城半导体指数

3,国联安中证全指半导体产品与设备ETF联接基金投资价值怎么样 搜

就行业来说,我国虽然是全球第一大电子生产和消费的国家,但之前国内企业大部分处于产品和技术跟随阶段,在半导体领域的话语权并不高。近几年,国家重点扶持半导体企业,企业也纷纷加大研发投入,企业一旦研发成功,就能拥有话语权,投资价值凸显。从国际经验来看,创立于1993年的费城半导体指数(Philadelphia Semiconductor Index),现已成为全球半导体业景气主要指标之一。数据显示,截至3月26日,该指数与中证全指半导体一样具有30只成分股,过去十年其增长率高达469.71%,超出标普500指数同期238.41%的增长率近一倍,具有显著的赚钱效应。而这只基金跟踪的就是中证全指半导体指数。其实,选择主题基金最重要的就是选择一个好的行业,综合看来,国联安中证半导体产品与设备ETF联接基金门槛低,适合普通的基民。

国联安中证全指半导体产品与设备ETF联接基金投资价值怎么样  搜

4,国联安中证全指半导体产品与设备ETF联接基金和国联安中证半导体指

两个基金不是同一只基金,前者基金代码为007300,后者代码为512480。前者的主要投资标的是后者,也就是国联安中证半导体指数ETF基金,投资的是基金;而后者主要的投资标的是中证半导体指数的相关成分股。具体007300的投资范围如下图:512480的投资范围如下图:
狐仙驯悍记2再看看别人怎么说的。
不是一只基金的。至于两者的区别,简单来说,ETF基金可在交易所上市交易,投资的是指数成分股,申购赎回成本都比较高。而为了降低投资门槛逐渐衍生出ETF联接基金,联接基金虽与ETF基金一样跟踪同一指数,不过这类基金不像ETF基金一样可直接上市交易,而是通过投资ETF基金来实现投资,但其实两者之间的业绩表现一般不会相差太多。ETF联接基金很适合那些没有股票账户的投资者,我这么说,你懂了吗?

5,什么是BID指数

  是BDI指数吧   波罗的海干散货指数(Baltic Dry Index,缩写BDI),是航运业的经济指标,它包含了航运业的干散货交易量的转变。   BDI为海岬型,巴拿马型及灵便型(Handysize)各占权重三分之一的综合指数。虽然这个指数以波罗的海作名字,但负责管理这个指数的波罗的海交易所却在英国的伦敦。   BDI波罗的海指数是由几条主要航线的即期运费(Spot Rate)加权计算而成,反映的是即期市场的行情,因此,运费价格的高低会影响到指数的涨跌,所以,假设现在的原物料需求增加,表示各国对货轮运输的需求也跟着提高,在此情况下,运费的涨幅如果可以大过油价成本的涨幅,当然其获利就可维持。在这种前提下,BDI波罗的海指数会上涨,运输股的股价也会上涨;假设现在原物料需求依旧增加,但货轮供给增加而打坏运费市场,此时BDI波罗的海指数会下跌,当然运输股的股价也会跟着下跌,所以,运费高低的影响远比原物料的涨跌更是影响航运股获利的关键。   BDI指数一向是散装原物料的运费指数,散装船运以运输钢材、纸浆、谷物、煤、矿砂、磷矿石、铝矾土等民生物资及工业原料为主。因此,散装航运业营运状况与全球经济景气荣枯、原物料行情高低息息相关。故波罗的海指数可视为经济领先指标。

6,半导体中的STI是什么意思

shallow trench isolation浅沟道隔离特点:能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。一般在器件制作之前进行,热预算小。STI技术工艺步骤:首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽。最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化。工艺复杂,需要回刻或者CMP
semiconductor.名词.(英文)半导体 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5~107欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括ⅲ-ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴(图 1 )。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对,均能自由移动,即载流子,它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子 - 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多。 半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时,杂质原子作为晶格的一分子,其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅)原子形成共价结合,多余的一个电子被束缚于杂质原子附近,产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主,相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多(图2)。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗(或硅)原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是杂质能级,通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位,使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子(图3)。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时,在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小,半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是导带中的电子,属电子型导电,称n型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电,称p型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对,故n型半导体中可存在少量导电空穴,p型半导体中可存在少量导电电子,它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中,少数载流子常扮演重要角色。 pn结 p型半导体与n型半导体相互接触时,其交界区域称为pn结。p区中的自由空穴和n区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在 pn 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时,p区和n区之间形成一定的电势差,称为接触电势差。由于p 区中的空穴向n区扩散后与n区中的电子复合,而n区中的电子向p区扩散后与p 区中的空穴复合,这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层,故电偶极层也叫阻挡层,阻挡层的电阻值往往是组成pn结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。 pn结具有单向导电性,半导体整流管就是利用pn结的这一特性制成的。pn结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势,称光生伏打效应,可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、pn结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了pn结的特性。 什么是半导体呢? 顾名思义:导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料,叫做半导体(semiconductor). 物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料,如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等,称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。
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