肖特基结，肖特基二极管的工作结温是多少

本文目录一览

1，肖特基二极管的工作结温是多少
2，什么是肖特基势垒
3，肖特基势垒的优点
4，肖特基二极管的结构
5，肖特基三极管结构和是什么工作原理
6，肖特基二极管和快恢复二极管的区别

1，肖特基二极管的工作结温是多少

110左右

肖特基二极管的工作结温是多少

2，什么是肖特基势垒

金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致.

什么是肖特基势垒

3，肖特基势垒的优点

由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体结，适合用于二极管。肖特基势垒与pn结最大的区别是其典型的低结电压，减小金属的(几乎不存在)耗尽区宽度。但并不是所有的有整流特性的金属-半导体结都是肖特基势垒. 金属-半导体结没有整流特性的叫做欧姆接触.。整流属性取决于金属的功函、固有半导体的带隙，以及类型和半导体的掺杂浓度。

肖特基势垒的优点

4，肖特基二极管的结构

新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。　大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，最终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。

5，肖特基三极管结构和是什么工作原理

肖特基三极管是由肖特基二极管和一个普通三极管组合而成的。一般是将肖特基二极管接在三极管的 B---C 极之间用以改善三极管的一些高频性能。肖特基二极管的原理和结构你可以到下面这个网站去看看是百度文库的一个网站http://wenku.baidu.com/view/f83dfb563c1ec5da50e27032.html

肖特基二极管是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode）的简称，发明人姓肖特基。普通二极管是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结，而肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成金属－半导体结。肖特基二极管整流电流大、速度高、反向恢复时间短、正向导通压降低，常用于开关电源中。现在肖特基二极管的反向耐压已经远超过100V。如MBR20200、MSRD620、MR852的反向耐压是200V，MR854的反向耐压是400V，而MR856、MSR860、MSR1560的反向耐压达到600V。

可以肯定的是，atx电源里没有肖特基三极管，只有肖特基二极管，你见到是to-220或其它类似三极管封装的肖特基二极管，作用就是整流，它们是由两个二极管接成共阴或共阳结构，一般中间引脚是共接点，可以从电路板中看出来，它的检测与普通二极管一样，只是它的导通电压更低，高频时反向恢复时间更短，这样在低压、大电流时整流效率更高。在开关电源中，因为有完善的过流保护，所以肖特基二极管极少见到有烧坏的。

首先是要纠正一下，您可能说的是肖特基二极管，没有肖特基三极管！在这里只能简单描述一下：肖特基二极管是以金属基为主要成分做成的半导体器件。优点是导通内阻小、死区电压低、开关速度快。缺点是耐压值低，一般不超过100V。

关于三极管你不需要从微观原理去探究它，对于使用者这完全没必要。你只要知道，当三极管的工作状态是处于放大区内时，三极管的集电极电流和基极电流基本上成固定的比例关系，三极管的所谓放大功能，实际就是依靠这种固定的比例关系通过一个小的电流（基极电流去控制一个较大的电流（集电极电流）。

6，肖特基二极管和快恢复二极管的区别

反向耐压：快恢复二极管反向耐压比肖特基二极管高。通态压降：肖特基二极管通态压降比快恢复二极管小。反向恢复时间：肖特基二极管反向恢复时间比快恢复二极管小。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间

快恢复二极管是高压管，肖特基二极管是低压管。肖特基二极管压降低，恢复时间3纳秒。快恢复二极管压降高，500纳秒。不同的参数有不同的性能。向左转|向右转

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.这两种管子通常用于开关电源。快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

从原理上说，肖特基二极管并不是利用pn结原理制作的，而是一种金属——半导体结的结构。而快恢复二极管也不完全是纯粹的pn结，有些中间插入了一个基区。所以两者呈现的特点是不太一样的：肖特基的反向耐压值比较小，一般是几十v，而正向额定电流可以比较大。开关速度比普通的快恢复二极管小100倍左右。快恢复二极管指它的最高工作频率比普通整流二极管更高一点（肖特基管也有这个特点），正向导通电压与普通二极管略高，反向耐压也与普通二极管相当，比如fr107，与1n4007一样可以实现反向耐压1000v，导通电压最高是1.2v，而肖特基管比如1n5819，反向耐压只有40v的样子，导通电压比普通二极管稍小一点，一般是0.4-0.5v。