俄歇跃迁对应的复合过程可以称为俄歇复合。这种重组不同于带间的直接重组和通过重组中心的间接重组，辐射复合可以是导带电子和价带空穴的直接复合，也叫直接辐射复合，是辐射复合的主要形式，什么是辐射复合和非辐射复合。
波长为2~5um。ⅱ类超晶格因其带隙可调、电子有效质量大、低俄歇复合比值，在长波红外和甚长波红外探测中具有独特的优势。介绍了长波超晶格探测器制备的研究进展，包括能带结构设计、表面缺陷控制、周期结构控制和表面钝化。最后，报道了320×256长波超晶格焦平面阵列及其测试性能。结果表明，该阵列的截止波长为9.6μm，平均峰值探测率D *为7× 1010 cm HZ1/2/w，噪声等效温差(NETD)为34mK，响应不均匀性为7%。
是。俄歇跃迁对应的复合过程可以称为俄歇复合。俄歇效应是一种三粒子效应。在半导体中，当电子和空穴复合时，能量或动量通过碰撞转移到另一个电子或空穴，使原子内壳层上的束缚电子在电子或空穴的X射线或γ射线照射物体时发光。由于光子能量高，它们可以穿透进入物体。
辐射复合是导带电子和价带空穴的直接复合，非辐射复合是其他声子的参与。辐射复合:根据能量守恒原理，电子和空穴复合时要释放一定的能量。如果能量以光子的形式释放，这种复合就叫做辐射复合。辐射复合可以是导带电子和价带空穴的直接复合，也叫直接辐射复合，是辐射复合的主要形式。
在平衡态，载流子的产生率总是等于复合率。辐射复合是等离子体中电子-离子碰撞的主要复合过程之一，是光电离的逆过程，在等离子体电离平衡的建立和维持以及等离子体的辐射输运中起着重要作用。根据复合过程中释放能量的方式不同，非辐射复合可分为辐射复合和非辐射复合。
4、 俄歇复合速率与哪些因素有关与固体中载流子的浓度和半导体的掺杂程度有关。总之，和半导体中的能带结构有关。与固体中载流子的浓度和半导体的掺杂程度有关。总之，和半导体中的能带结构有关。在半导体中，无论是直接复合、间接复合还是激子复合，都会有动量和能量的吸收或释放。根据能量和动量的跃迁释放或吸收的形式，可分为辐射跃迁、声子跃迁和俄歇跃迁。
俄歇效应是一种三粒子效应。在半导体中，当电子和空穴复合时，能量或动量通过碰撞转移到另一个电子或空穴，产生电子或空穴跃迁的复合过程称为俄歇复合，这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。这种重组不同于带间的直接重组和通过重组中心的间接重组，俄歇复合是一种过程，其中电子和空穴直接复合，同时将能量给予另一个自由载流子。
