mos，mos是谁啊给个资料

本文目录一览

1，mos是谁啊给个资料
2，MOS是什么
3，什么是MOS场效应管
4，MOS什么意思
5，Mos是谁
6，MOS晶体管的概念和特性分别是什么

1，mos是谁啊给个资料

MOS不是一个人 ~是一个技术的名称

mos是谁啊给个资料

2，MOS是什么

Metal-Oxide-Semiconductor

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片。MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negative)。由于正负离子的作用，在MOS内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然。 MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS。

MOS是什么

3，什么是MOS场效应管

金融-氧化物-半导体

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。　　MOS场效应管主要特点：　　在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

什么是MOS场效应管

4，MOS什么意思

生态种群 =Metal-oxide semiconductor金属氧化物半导体 =Military occupational specialty军职专长

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片．MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negative).由于正负离子的作用，在MOS内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然． MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.

5，Mos是谁

姓名：巴迪潘·巴塔卫刚小名：MOS 祖籍：泰国曼谷出生日期：1973年3月23日身高：175公分体重：65公斤家庭：两姐弟，还有一个姐姐教育情况大学毕业于电子科技大学（具体大学名称不确定）教学系，主修土木工程获得Musicians Institute in Hollywood, California Web Design音乐学校颁发的结业证书。经历： 16岁时由泼（译音）带入娱乐圈，1990年年售出推出个人专辑“呃呵”（译音）获得成功，共销售出150万张，目前共计出过8张个人专辑，还有10张特别专辑。首次与“EXCART”合作，出演电视剧“三个男人，三个角度”，此后再次“曼谷2485”舞台剧演出时合作，也是MOS首次出演舞台剧。此后，还多次与“EXCART”合作演出多部电视剧，比如《巧克力甜心》《心生故障》等。最近，MOS再次在系列幽默喜剧《警长情圣》中演出警察，并与多位主持人联合主持谈话节目。 [/font][/color]

MOS是你的英文名吧.

6，MOS晶体管的概念和特性分别是什么

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置。 2.功率MOSFET 的结构和工作原理功率MOSFET 的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。

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