施主杂质，半导体什么是施主效应

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1，半导体什么是施主效应
2，目前在gaas工艺中用得最多的施主杂质是什么为什么
3，迁移率为什么要考虑施主杂质和受主杂质
4，施主杂质什么意思
5，什么是供体
6，什么是半导体说清楚点

1，半导体什么是施主效应

施主是在半导体中提供导电电子的杂质，如Si中的P、As、Sb等五族元素。所谓施主效应也就是在半导体中能够增加导电电子的那种作用。有的深能级杂质也能够产生出一些导电电子，这就说它具有一定的施主效应。

化学元素周期表中3主族元素为受主杂质，5主族为施主杂质。半导体中受主杂质占主导地位为p型，施主杂质占主导地位为n型

半导体什么是施主效应

2，目前在gaas工艺中用得最多的施主杂质是什么为什么

一个As原子占据了Ge原子的位置， As 原子有五个价电子，其中四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个价电子，同时As 原子所在处也多余一个正电荷+q，称为正电中心As+ 原子。这个多余的价电子束缚在正电中心As+的周围，但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很少的能量就可以使它挣脱束缚，成为导电电子，这种能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质，上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为施主杂质电离。通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为n型半导体。

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目前在gaas工艺中用得最多的施主杂质是什么为什么

3，迁移率为什么要考虑施主杂质和受主杂质

化学元素周期表中3主族元素为受主杂质，5主族为施主杂质。半导体中受主杂质占主导地位为P型，施主杂质占主导地位为N型

在硅中掺入v族元素杂质（如磷p，砷as，锑sb等）后，这些v族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子，这样一个v族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，把这种杂质称为施主杂质；若在硅中掺入iii族元素杂质，（如硼b，铝al，镓ga，铟in等），这些iii族杂质原子在晶体中替代了一部分硅原子的位置，由于它们的最外层只有3个价电子，在与硅原子形成共价键时产生一个空穴，这样一个iii族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，把这种杂质称为受主杂质。

迁移率为什么要考虑施主杂质和受主杂质

4，施主杂质什么意思

这问题无关宗教.是电子半导体学. 半导体材料半导体材料的电性是位于导体和绝缘体的中间。可区分为元素半导体及化合物半导体两大类,其中元素半导体材料以矽和锗为代表;化合物半导体材料则以砷化镓为代表。这些材料的电特性对于存在的少量杂质元素的浓度非常敏感,影响其电性甚钜。常见的杂质元素有磷、硼、砷等元素。为了改变电导率，特意向半导体掺入杂质。最常用的半导体是元素矽与锗，它们的晶体点阵都由每个原子与它最邻近的4个原子共享1个电子而构成。如果这种点阵中有少部分原子为有5个可成价电子的磷、砷等原子所取代，那么每个杂质原子的多余电子就用于导电。这种半导体就叫掺磷或掺砷半导体。其中磷或砷的原子就称为施主 .能提供电子载流子的杂质称为 " 施主杂质 ".

梵语da^na-pati。即是指施与僧众衣食，或出资举行法会等之信众。音译檀越、陀那钵底、陀那婆。又作布施家。又梵汉兼举而称檀越施主、檀那主、檀主。依长阿含卷十一善生经（大一·七二上）：檀越当以五事供奉沙门、婆罗门。（中略）一者身行慈，二者口行慈，三者意行慈，四者以时施，五者门不制止。善生！若檀越以此五事供奉沙门、婆罗门，沙门、婆罗门当复以六事而教授之。（中略）一者防护不令为恶，二者指授善处，三者教怀善心，四者使未闻者闻，五者已闻能使善解，六者开示天路。又增一阿含经卷二十四谓，施主惠施有五功德：(一)名闻四远，众人叹誉。(二)若至众中，不怀惭愧，亦无所畏。(三)受众人敬仰，见者欢悦。(四)命终之后，或生天上，为天所敬；或生人中，为人尊贵。(五)智慧远出众人之上，现身漏尽，不经后世。今施主泛指一切布施者，或举行丧葬仪式之丧家，亦称施主。［增一阿含经卷三清信士品、北本大般涅盘经卷十一、梵网经卷下、大智度论卷三］施主泛指一切布施者，或举行丧葬仪式之丧家，亦称施主。

5，什么是供体

三种意思：(一)指在化学反应过程中，能提供某一化学基团的物质(化合物)。例如：L-氨基酸与α-酮酸之间的氨基转移反应，L-氨基酸是氨基的供体。 (二)提供基因DNA片段、器官、组织或其他细胞输送给另一个个体的生物。 (三)在半导体中，若杂质或缺陷能级上有电子占据时，杂质原子或缺陷是电中性的，这种杂质或缺陷叫做施主，其能级叫做施主能级。施主能级上的电子，如获得一定能量可进入导带；这个能量叫做施主的电离能，也就是施主能级在导带底下方的能量距离。电离能小的施主能级是浅施主能级，电离能大的是深施主能级。磷、砷、锑是锗、硅半导体中的浅能级施主杂质。浅能级施主杂质叫n型杂质。深能级施主杂质可能成为空穴的陷阱或复合中心。

中文名称：供体英文名称：donor 其他名称：授体定义1：能把一个或一个以上的电子、原子或基团提供给另一化合物的化合物。所属学科：生物化学与分子生物学（一级学科）；总论（二级学科）定义2：胚胎移植时提供卵子的母体。所属学科：水产学（一级学科）；水产生物育种学（二级学科） donor (一)指在化学反应过程中，能提供某一化学基团的物质(化合物)。例如：L-氨基酸与α-酮酸之间的氨基转移反应，L-氨基酸是氨基的供体。 (二)提供基因DNA片段、器官、组织或其他细胞输送给另一个个体的生物。 (三)在半导体中，若杂质或缺陷能级上有电子占据时，杂质原子或缺陷是电中性的，这种杂质或缺陷叫做施主，其能级叫做施主能级。施主能级上的电子，如获得一定能量可进入导带；这个能量叫做施主的电离能，也就是施主能级在导带底下方的能量距离。电离能小的施主能级是浅施主能级，电离能大的是深施主能级。磷、砷、锑是锗、硅半导体中的浅能级施主杂质。浅能级施主杂质叫n型杂质。深能级施主杂质可能成为空穴的陷阱或复合中心。

供体就是提供的一方，无论什么情况下都是这个意思啦，就是看提供什么了，它对应的是受体了，就是接受的一方了，具体是什么东西还要看是什么情况下啦

6，什么是半导体说清楚点

半导体三个字基本完全失去字面的意义，即半导体并非是介于导体与绝缘体之间的简单意义了，因为：1、导体、半导体、绝缘体三者无清晰的界限；2、半导体应用意义早已使其字面意义失去“光泽”材料。所以半导体不是导体、绝缘体之间的材料，而是人工人为产生的一种具有单向导电等一些特殊的材料。比如在硅、锗内掺杂少量的其它元素，在电动势作用下就会使内部空穴的朝向产生一致，这种一致就使电子类似客流，只能朝一个方向流动，所以PN结，即半导体的意义被单向导电的意义取替。

【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中，施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。如果在硅单晶中掺入五价元素砷、磷。则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后，磷外层的五个电子中，四个电子组成共价键，多出的一个电子受原子核束缚很小，因此很容易成为自由电子。所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子，产生同数量的空穴，从而改变了半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中，受主杂质的数量占多数，则这半导体是p型半导体。如果在单晶硅上掺入三价硼原子，则硼原子与硅原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多，因此整个晶体结构基本不变，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三价元素，外层只有三个价电子，所以当它与硅原子组成共价键时，就自然形成了一个空穴。这样，掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴，从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子，主要kao空穴导电，所以叫做空穴半导体，简称p型半导体。【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质，使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体，当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时，这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄，结中电子和和空穴都很少，但在kao近n型一边有带正电荷的离子，kao近p型一边有带负电荷的离子。这是因为，在p型区中空穴的浓度大，在n型区中电子的浓度大，所以把它们结合在一起时，在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴，n区几乎没有空穴，空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子，p区几乎没有电子，所以电子就要由n区向p区扩散。随着扩散的进行，p区空穴减少，出现了一层带负电的粒子区；n区电子减少，出现了一层带正电的粒子区。结果在p－n结的边界附近形成了一个空间电荷区，p型区一边带负电荷的离子，n型区一边带正电荷的离子，因而在结中形成了很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即p区加电源正极，n区加电源负极）时，这电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压相反时，则这电场增强，只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过，因而电流很小。因此p－n结具有整流作用。当具有p－n结的半导体受到光照时，其中电子和空穴的数目增多，在结的局部电场作用下，p区的电子移到n区，n区的空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷积累，形成电势差。这现象称为p－n结的光生伏特效应。由于这些特性，用p－n结可制成半导体二极管和光电池等器件。如果在p－n结上加以反向电压（n区加在电源正极，p区加在电源负极），电压在一定范围内，p－n结几乎不通过电流，但当加在p－n结上的反向电压越过某一数值时，发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p－n结被击穿后便失去其单向导电的性能，但结并不一定损坏，此时将反向电压降低，它的性能还可以恢复。根据其内在的物理过程，p－n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。

介于导体与绝缘体之间

指拥有传导能力，但传导能力并不强的物体

半导体是一种具有专向导电性的材料

http://baike.baidu.com/view/19928.htm