cmos门电路，ttl门电路和cmos门电路有什么区别

本文目录一览

1，ttl门电路和cmos门电路有什么区别
2，CMOS门电路的最突出的特点是什么
3，CMOS逻辑门电路工作在什么状态
4，为什么要在CMOS逻辑门电路输入和输出端加保护和缓冲电路
5，什么是CMOS电路
6，CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊

1，ttl门电路和cmos门电路有什么区别

TTL是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的TTL信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样.所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平信号来触发它.

ttl门电路和cmos门电路有什么区别

2，CMOS门电路的最突出的特点是什么

与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。 TTL输入端可以开路，相当于输入高电平，而CMOS输入端不允许开路，否则可能会造成电路不稳定甚至损坏，一般需要上拉或下拉电阻。

CMOS门电路的最突出的特点是什么

3，CMOS逻辑门电路工作在什么状态

开关状态

ttl门电路的输入端悬空时相当于高电平输入输入端接有电阻时其电阻阻值大于1.4k时该端也相当于高电平电阻值小于0.8k时该端才是低电平。而cmos逻辑门电路输入端不管是接大电阻还是接小电阻该端都相当于低电平即地电位。按照这个原则判断很清晰了

CMOS逻辑门电路工作在什么状态

4，为什么要在CMOS逻辑门电路输入和输出端加保护和缓冲电路

cmos是绝缘栅，属于“高阻”，只要感应几个正电荷就是高电平，感应几个负电荷就是低电平，所以不能开路。 ttl输入是三极管的pn结，而且是有电流流出来的（你可以把它想象成一个上拉电阻），如果开路，这个电流流不动，滞留在输入口成为高电平。如果不信，可以用电压（电流表）跨接在开路的输入端与地线之间，就会检到这个流出来的电流。

《数字电子技术基础（第2版）学习指导与解题指南》另外，CMOS门电路输出的低电平也受输入端数目的影响。输入端数越多，则串联的NMOS管越多，输出的低电平电压也越高。为了避免经过多次串、并联后带来的电平平移和对输出特性的影响，实际的CMOS门电路常常引入反相器作为每个输入端和输出端的缓冲器，大大改善了CMOS门电路的电气特性（比如电压传输特性、输入特性、输出特性、动态特性等）。

coms逻辑门电路，对静电比较敏感，不容易抗干扰，对驱动电压和功率有一定的要求，在前面增加缓冲电路，和保护电路，可以保证不会有操作，及稳定性

5，什么是CMOS电路

简单的说CMOS电路就是广义的大规模集成电路。

功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。速度通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。谢谢

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互补金属氧化物半导体 mos电路分飞pmos和nmos 但两者都有某种缺陷，于是设计了让两者互补的电路模式，成为COMS

6，CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊

CMOS门电路的高低电平这样定义：小于0.3VDD为低电平，大于0.7VDD为高电平，中间的非法，但有可能被判别为高。CMOS电平标准有5VCMOS，3.3VCMOS即LVCMOS33，2.5VCMOS即LVCMOS25，还有1.8V的。CMOS电路为互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写，由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而为一种单极型晶体管集成电路，其基本结构为一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。一般额定电压10%一下算为低电平，85%以上算为高电平，除此之外还有脉冲宽度的要求，比如一个非常窄的脉冲，虽然电压比较高，但是也不能被判定为高电平的。扩展资料：MCS-51单片机的逻辑部件，包括一个8位CPU及片内振荡器、 80514B掩膜ROM、87514KBEPROM、8031无ROM、特殊功能寄存器SFR128BRAM、定时器/计数器T0及T1、并行I/O接口：P0、P1、P2、P3；串行接口：TXD、RXD；中断系统：INT0，INT1。单片机也被称为单片微控器，属于一种集成式电路芯片。在单片机中主要包含CPU、只读存储器ROM和随机存储器RAM等，多样化数据采集与控制系统能够让单片机完成各项复杂的运算，无论为对运算符号进行控制，还是对系统下达运算指令都能通过单片机完成。参考资料来源：百度百科-CMOS电路参考资料来源：百度百科-单片机

规定如下：CMOS门电路主要参数的定义同TTL电路，下面主要说明CMOS电路主要参数的特点。（1）输出高电平VOH与输出低电平VOL。CMOS门电路VOH的理论值为电源电压VDD，VOH（min）=0.9VDD；VOL的理论值为0V，VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大，接近电源电压VDD值。（2）阈值电压Vth。从CMOS非门电压传输特性曲线中看出，输出高低电平的过渡区很陡，阈值电压Vth约为VDD/2。（3）抗干扰容限。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3VDD，电源电压VDD越大，其抗干扰能力越强。（4）传输延迟与功耗。CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门，但传输延迟较大，一般为几十ns/门，且与电源电压有关，电源电压越高，CMOS电路的传输延迟越小，功耗越大。前面提到74HC高速CMOS系列的工作速度己与TTL系列相当。（5）扇出系数。因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，一般额定扇出系数可达50。但必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低于TTL电路。扩展资料：CMOS允许输入最低电压是-0.5V，超出范围就可能损坏芯片。可以在输入端接一个下拉电阻，输入的-5V串联一个二极管后再接到CMOS输入端，二极管负极接到输入端上，这样，只能加正电压，而加-5V时，二极管截止，这时输入就是0。与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。TTL输入端可以开路，相当于输入高电平，而CMOS输入端不允许开路。参考资料来源：百度百科-CMOS逻辑电路

当然有的啊～具体可以看器件资料，楼上的说的是5V规格的，这种规格用的比较多，也有3.3V，15V等等一些规格的，一般额定电压10%一下算是低电平，85%以上算是高电平（具体以器件资料为准），除此之外还有脉冲宽度的要求，比如一个非常窄的脉冲，虽然电压比较高，但是也不能被判定为高电平的。

与芯片类型有关74hcxx输入高低电平分界在0.3-0.7vdd之间，如果电源电压为5v，分界在1.5v到3.5v都算合格。所以低于1.5v肯定是输入低电平，高于3.5v肯定是输入高电平，而1.5v到3.5v则不能确定。所以ttl芯片不能直接驱动高速cmos，而高速cmos可以直接驱动ttl。74hctxx则另有规定，与ttl电平兼容，与74hcxx不同。各种单片机输入高低电平与此又稍有不同

当然有，就是所谓的CMOS电平，要求高电平在4.5V以上，低电平在0.5V以下。