mos管符号，mos管在电路板上是什么符号

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1，mos管在电路板上是什么符号
2，请问图中是个什么类型的mos管符号
3，mos管上的数字是什么意思啊p75nf75 ccou6 2 MAR 811 还一个是
4，射频二极管在电路中的符号是什么样
5，线路板上的mos管是什么
6，电力场效应管的场效应管

1，mos管在电路板上是什么符号

有的人用Q,也有人用T来表示。

mos管在电路板上是什么符号

2，请问图中是个什么类型的mos管符号

带保护二极管结型场效应管！不是MOS。

你说呢...

请问图中是个什么类型的mos管符号

3，mos管上的数字是什么意思啊p75nf75 ccou6 2 MAR 811 还一个是

耐压75V最大电流75A

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

mos管上的数字是什么意思啊p75nf75 ccou6 2 MAR 811 还一个是

4，射频二极管在电路中的符号是什么样

符号与普通二极管在电路中的符号一样，目前没有强制规定射频二极管与普通二极管它们的电路符号一定要不一样。

是一条导线，再加一个灯的符号，灯的符号是一个圆圈中间。加上一个叉叉。

5，线路板上的mos管是什么

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。　　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

防热作用，避免点和点之间的热，会引起燃烧

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。　　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。　　首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。　　当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。　　MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反转（VBG＝3V），（C）积累（VBG＝-3V）。　　中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。　　MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。　　MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对soure和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。　　Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。　　晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”，实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

6，电力场效应管的场效应管

电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的mos型（metal oxide semiconductor fet），简称电力mosfet（power mosfet）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（static induction transistor——sit）。特点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于gtr。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kw的电力电子装置。电力mosfet的种类按导电沟道可分为p沟道和n沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于n（p）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力mosfet主要是n沟道增强型。电力mosfet的结构小功率mos管是横向导电器件。电力mosfet大都采用垂直导电结构，又称为vmosfet（vertical mosfet）。按垂直导电结构的差异，分为利用v型槽实现垂直导电的vvmosfet和具有垂直导电双扩散mos结构的vdmosfet（vertical double-diffused mosfet）。这里主要以vdmos器件为例进行讨论。电力mosfet的工作原理（n沟道增强型vdmos）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 p基区与n漂移区之间形成的pn结j1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压ugs 当ugs大于ut时，p型半导体反型成n型而成为反型层，该反型层形成n沟道而使pn结j1消失，漏极和源极导电。电力mosfet的基本特性 (1)静态特性漏极电流id和栅源间电压ugs的关系称为mosfet的转移特性。 id较大时，id与ugs的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导gfs。 (2)mosfet的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于gtr的截止区）饱和区（对应于gtr的放大区）非饱和区（对应gtr的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 (3)动态特性开通过程开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 mosfet的开关速度 mosfet的开关速度和cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100khz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。电力mosfet的主要参数除跨导gfs、开启电压ut以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有： (1)漏极电压uds——电力mosfet电压定额 (2)漏极直流电流id和漏极脉冲电流幅值idm——电力mosfet电流定额 (3)栅源电压ugs—— ugs>20v将导致绝缘层击穿。 (4)极间电容——极间电容cgs、cgd和cds 另一种介绍说明：场效应管（fjeld effect transistor简称fet ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管jfet和绝缘栅型场效应管igfet，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图z0121 为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图 z0122为n沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块n型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的p型区（用p 表示），形成两个对称的pn结，将两个p区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在n型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成pn结过程中，由于p 区是重掺杂区，所以n一区侧的空间电荷层宽度远大二、工作原理 n沟道和p沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以n沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧pn结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使n型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流id。 1．栅源电压ugs对导电沟道的影响（设uds＝0）在图z0123所示电路中，ugs ＜0，两个pn结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，id=0。若|ugs| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|ugs| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明ugs控制着漏源之间的导电沟道。当ugs负值增加到某一数值vp时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（vp称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，id＝0。 2．漏源电压ugs对漏极电流id的影响（设ugs＝0）当ugs＝0时，显然id＝0；当uds＞0且尚小对，p n结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压uds沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端pn结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在uds较小时，沟道呈现一定电阻，id随uds成线性规律变化（如图z0124曲线oa段）；若ugs再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。由于沟道电阻的增大，id增长变慢了（如图曲线ab段），当uds增大到等于|vp|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流idss （这种情况如曲线b点）：当uds＞|vp|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区。由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|vp|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线bc段）。但是，如果再增加uds达到buds时（buds称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使id急剧增加而出现击穿现象（如曲线cd段）。由此可见，结型场效应管的漏极电流id受ugs和uds的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。三、特性曲线 1．输出特性曲线输出特性曲线是栅源电压ugs取不同定值时，漏极电流id 随漏源电压uds 变化的一簇关系曲线，如图z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。ugs越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的uds，ugs越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，id越小。由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。 ◆可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0＜uds＜|vp|时，id几乎与uds呈线性关系增长，ugs愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受ugs控制的可变电阻。 ◆恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当uds＞|vp|时，id几乎不随uds变化，保持某一恒定值。id的大小只受ugs的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。 ◆击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内uds＞buds，管子被击穿，id随uds的增加而急剧增加。 2．转移特性曲线当uds一定时，id与ugs之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当uds＞|vp|后，即恒流区内，id 受uds影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：id=idss(1-ugs/vp)(1-ugs/vp) 式gs0127中vp≤ugs≤0，idss是ugs＝0时的漏极饱和电流。图为输出特性曲线

（Field Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成PN结过程中，由于P 区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。1．栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS=0）在图Z0123所示电路中，UGS <0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID=0。2．漏源电压UGS对漏极电流ID的影响（设UGS=0）当UGS=0时，显然ID=0；当UDS>0且尚小对，P N结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS成线性规律变化（如图Z0124曲线OA段）；若UGS再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了（如图曲线AB段），当UDS增大到等于|VP|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS （这种情况如曲线B点）：当UDS>|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区。由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线BC段）。但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象（如曲线CD段）。由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。三、特性曲线1．输出特性曲线输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，如图Z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。◆可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0<|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。 ◆恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当UDS>|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。 ◆击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDS>BUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。 2．转移特性曲线当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS>|VP|后，即恒流区内，ID 受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp) 式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS=0时的漏极饱和电流。图为输出特性曲线 N沟道MOS场效管的转移特性曲线 N沟道MOS场效应管的输出特性曲线