dmos，CMOSDMOS可控硅线圈继电器固态继电器这些都可以控制

来源：整理时间：2023-08-24 06:37:03 编辑：智能门户手机版

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1，CMOSDMOS可控硅线圈继电器固态继电器这些都可以控制
2，highside dmos 是什么意思
3，按Del没显示DMOS设置怎么解决
4，驱动芯片推大管音质好吗
5，DMOS与CMOS的区别
6，请问有谁知道DOMS晶体管中DMOS的全称呢能不能再介绍一下DMOS晶体管的
7，如何清除dmos
8，DMOS与CMOS的区别
9，什么是IGBT单管
10，IGBT是什么

1，CMOSDMOS可控硅线圈继电器固态继电器这些都可以控制

从负载使用上来说有很大区别。MOS一般作为直流负载开关可控硅、固态继电器作为交流负载开关线圈继电器因为是触点式，一般理解为交直流通用。然电子类的开关又有共通性，如MOS配合整流桥也可用交流开关，固态继电器配合整流桥能做直流开关。

支持一下感觉挺不错的

CMOSDMOS可控硅线圈继电器固态继电器这些都可以控制

2，highside dmos 是什么意思

DMOS(双扩散MOS)晶体管hige-side 高端高端DMOS晶体管

highside dmos 是什么意思

3，按Del没显示DMOS设置怎么解决

我想问一下，你的电脑是什么牌子？还有开机的时候你可以换 Tab键，会显示进入DMOS界面提示。如果你的电脑不是按Del键的。你可以试一下。这四个按键一个是F1 F2 F10 F12 你都试一下。应该有一个可以进。因为主板不能同，引起进入DMOS按键不一样。

不同的主板，不同的bios，有不同的介面和选项。通常起动顺序的设置都是在bios的第二页，你可找到hdd，cdrom，等字样，偿试改变它们的顺序（如果你对e很懂的话就跳过吧）。部分主板开机时按f11，f12或f3等会进入单独的起动顺序设置页面！

按Del没显示DMOS设置怎么解决

4，驱动芯片推大管音质好吗

好。驱动芯片是集成有CMOS控制电路和DMOS功率器件的芯片。由于该芯片经过精心的制作和反复的调试，使其推大管的音质非常好。音质是指经传输、处理后音频信号的保真度。

5，DMOS与CMOS的区别

DMOS与CMOS的区别为：装的内容不同、材料不同、优点不同。一、装的内容不同1、DMOS：DMOS里面装有系统的重要信息和设置系统参数的设置程序。2、CMOS：CMOS里面装的是关于系统配置的具体参数，其内容可通过设置程序进行读写。二、材料不同1、DMOS：DMOS是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的半导体场效应管。2、CMOS：CMOS是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。三、优点不同1、DMOS：DMOS有高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。2、CMOS：CMOS允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计；逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强；静态功耗低。参考资料来源：百度百科——dmos百度百科——CMOS

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double-dif fused MOSFET）。DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用R ds（on）表示。导通电阻是指在器件工作时，从漏到源的电阻。对于 LDMOS器件应尽可能减小导通电阻，就是BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体)工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时，器件就会提供一个很好的开关特性，因为漏源之间小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。在功率应用中，由于DMOS技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管)，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。

同问。。。

6，请问有谁知道DOMS晶体管中DMOS的全称呢能不能再介绍一下DMOS晶体管的

DOMS的全称是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor.DMOS工艺：DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。为了提高击穿电压而将这类元件设计成长沟道结构。将几个单元并联来实现大电流(低的导通电阻)和高能量密度。DMOS工艺比逻辑工艺具有更厚的栅极氧化层，这样可以制造出更坚固的器件。如果这些基本的工艺以逻辑方式组合起来，可以得到下列不同的组合工艺，根据它们的专有特性可以适用于特定的应用领域。

7，如何清除dmos

"万能"密码法有些BIOS可以使用"万能"密码，如果BIOS支持，此法可奏效： (1) AMI BIOS"万能"密码为：你可以试一试下面的几个单词：AMI，BIOS，PASSWORD，HEWITT RAND，AMI？SW，AMI_SW， LKWPETER，A.M.I。 (2) AWARD BIOS"万能"密码：你可以试一试下面的几个单词：AWARD_SW，j262，HLT，SER，SKY_FOX，BIOSTAR，ALFAROME， lkwpeter，j256，AWARD?SW，LKWPPETER，Syxz，aLLy，589589，589721，awkard（注意大小写）。（按：万用密码，就是BIOS程式上面的Back Door，通常厂商用来方便自己的工程人员使用，所以万用密码可以无论你设什麽密码，都能进入BIOS重新设定。各家各时期的万用密码皆不同，所以有时候此法并不能奏效，当然下面还有很多方法，可以分别试用） CMOS放电法打开机箱，找到主板上的电池，将其与主板的连接断开（就是取下电池喽），此时CMOS将因断电而失去内部储存的一切信息。再将电池接通，合上机箱开机，由于CMOS已是一片空白，它将不再要求你输入密码，此时进入BIOS设置程序，选择主菜单中的"LOAD BIOS DEFAULT"（装入BIOS缺省值）或"LOAD SETUP DEFAULT"（装入设置程序缺省值）即可，前者以最安全的方式启动计算机，后者能使你的计算机发挥出较高的性能。跳线短接法如果电池被焊死在主板上（别因为不可能，我就看到过好几个！），也就是说不能进行上面的操作，那又该怎么办？不要紧，我们还可以使用"跳线短接法"的方法对CMOS放电（建议一般用户使用此法），具体操作如下：在电池附近有一个跳线开关（可参考主板说明书），一般情况下，在跳线旁边注有RESET CMOS、CLEAN CMOS、CMOS CLOSE或CMOS RAM RESET等字样，跳线开关一般为四脚，有的在1、 2两脚上有一个跳接器，此时将其拔下接到2、4脚上即可放电；有的所有脚上都没有跳接器，此时将2脚于充电电容短接即可放电。另外应该注意，几乎所有的主板都有清除CMOS的跳线和相关设置，但应厂商不能而各有所异，例如有的主板的CMOS清除设备并不是我们长见的跳线，而是很小的焊接锡点，一般都要用镊子，小心地将其短路，就可成功清除CMOS密码！（版主点评：此法关键之处在于找到相应的跳线（如果没有主板说明书，则难度就更大了），其后操作就没有什么了，根据版主的经验，此法应该为最能奏效的方法了。（就是每此打开机箱太麻烦了:D) 改变硬件配置法关闭计算机，打开机箱，将硬盘或软盘数据线从主板上拔下，重启计算机， BIOS自检时出错，系统会要求重新设置BIOS，此时COMS中的密码已被清除。手工放电法对于早期的BIOS如386型计算机，主板上没有COMS放电跳线，那么可以用一根瘰疬的金属线来回划过COMS芯片（COMS芯片在主板的位置可参考主板说明书），可达到给CMOS芯片放电的效果，从而清除密码。应注意：此法比较危险，建议一般用户不要用此法，以免造成硬伤害。打开机箱，找到主板上的电池，将其与主板的连接断开（就是取下电池喽），此时CMOS将因断电而失去内部储存的一切信息。再将电池接通，合上机箱开机，由于CMOS已是一片空白，它将不再要求你输入密码，此时进入BIOS设置程序，选择主菜单中的"LOAD BIOS DEFAULT"（装入BIOS缺省值）或"LOAD SETUP DEFAULT"（装入设置程序缺省值）即可，前者以最安全的方式启动计算机，后者能使你的计算机发挥出较高的性能。妙用DEBUG清除CMOS密码如果你忘记了进入CMOS设置程序的密码，除了可以在主板上使用跳线短接清除的方法外，还可以使用软件清除的方法，下面就来介绍如何在DOS下清除CMOS密码的方法。在DOS中提供了一个编辑器，就是DEBUG，这是一个非常实用的工具，启动方法是，在DOS命令提示符状态下输入命令：DEBUG、此时即可进入DEBUG编辑界面。在命令符状态下输入命令后，重新启动电脑即可清除CMOS密码，下面给出五个清除CMOS密码的命令行。方法一 -o 70 16 -o 71 16 -q 方法二 -o 70 11 -o 71 ff -q 方法三 -o 70 10 -o 71 10 -q 方法四 -o 70 23 -o 71 34 -q 方法五 -o 70 10 -o 71 ff -q 方法六 -o 70 90 -o 71 91 -q

8，DMOS与CMOS的区别

9，什么是IGBT单管

10，IGBT是什么

(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体

是场效应功率管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。定义 IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 [编辑本段]工作特性静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。通态电流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。 [编辑本段]发展历史 1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。 [编辑本段]输出特性与转移特性 IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。 [编辑本段]模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。 [编辑本段]等效电路 IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。保管时的注意事项一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。