什么是半导体，seml是什么意思

本文目录一览

1，seml是什么意思
2，半导体在工作上有什么应用
3，半导体具有三性是哪三性
4，红外加热器是半导体吗
5，nPn PnP 是什么意思
6，半导体的性质作用具有什么性

1，seml是什么意思

seml 半导体设备和材料协会；国际半导体设备与材料协会；半导体设备和材料国际协会　　国际半导体设备与材料协会(SEMl)已批准了EtherCAT的SEMI应用，并接受曰帕EtherCAT成为一个SEMl标准。　　应美国半导体设备和材料国际协会(SEMl)的邀请，2003年中国电子专用设备工业协会第一次组团赴美参加2003年美国西部半导体设备和 …

smell [smel] n. 味道, 嗅觉, 气味

seml是什么意思

2，半导体在工作上有什么应用

控制作用

一般来说物质按其导电性分为导体，绝缘体，半导体。顾名思义，就是说物质在一种情况为导电，而另一种情况不导电。有的对温度敏感就做成热敏原件，有的对光照敏感就做成光敏原件。

半导体一般指硅晶体,它的导电性介于导体和绝缘体之间。半导体是指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料。按内部电子结构区分，半导体与绝缘体相似，它们所含的价电子数恰好能填满价带，并由禁带和上面的导带隔开。半导体与绝缘体的区别是禁带较窄，在2～3电子伏以下。典型的半导体是以共价键结合为主的，比如晶体硅和锗。半导体靠导带中的电子或价带中的空穴导电。它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制。掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子，则产生电子导电；如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子，则产生空穴导电。半导体的应用十分广泛，主要是制成有特殊功能的元器件，如晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、微波器件等。

半导体在工作上有什么应用

3，半导体具有三性是哪三性

1.热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。2.光敏特性半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小;无光照时相反。3.掺杂特性在纯净的半导体中，掺人极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化。几乎所有的半导体器件，都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。望采纳

直接禁带半导体材料就是导带最小值（导带底）和价带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量，动量保持不变。直接带隙半导体（direct gap semiconductor）的例子：gaas、inp半导体。相反，si、ge是间接带隙半导体。直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因）。

半导体具有三性是哪三性

4，红外加热器是半导体吗

这两个概念不搭边。红外线加热器是指依靠辐射红外线对物体进行加热的一种加热器；分为三种，短波红外线加热器、中波红外线加热器和长波红外线加热器，如卤素加热管，碳素加热器和陶瓷加热器等。半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。

是否是指半导体制冷器（tec thermo electri cooler）？它是以帕尔帖效应为基础的一种制冷技术。它的简单工作原理是:当把n型和p型半导体元件联结成电偶对并在两块半导体上通上直流电时，电偶对的一端就会吸热逐渐变冷，这一半导体端叫做冷端;另一端会放热变热，称为热端。是致冷还是加热，以及致冷、加热的速率，由通过它的电流方向和大小来决定。机理主要是电荷载体在不同的材料中处于不同的能量级，在外电场的作用下，电荷载体从高能级的材料向低能级的材料运动时，便会释放出多余的能量。反之，电荷载体从低能级的材料向高能级的材料运动时，需从外界吸收能量。

5，nPn PnP 是什么意思

原发布者:heng329 PNP与NPN型传感器（开关型）分为六类： 1、NPN-NO（常开型） 2、NPN-NC（常闭型） 3、NPN-NC+NO（常开、常闭共有型） 4、PNP-NO（常开型） 5、PNP-NC（常闭型） 6、PNP-NC+NO（常开、常闭共有型） PNP与NPN型传感器一般有三条引出线，即电源线VCC、0V线，out信号输出线。 1、PNP类 PNP是指当有信号触发时，信号输出线out和电源线VCC连接，相当于输出高电平的电源线。对于PNP-NO型，在没有信号触发时，输出线是悬空的，就是VCC电源线和out线断开。有信号触发时，发出与VCC电源线相同的电压，也就是out线和电源线VCC连接，输出高电平VCC。对于PNP-NC型，在没有信号触发时，发出与VCC电源线相同的电压，也就是out线和电源线VCC连接，输出高电平VCC。当有信号触发后，输出线是悬空的，就是VCC电源线和out线断开。对于PNP-NC+NO型，其实就是多出一个输出线OUT，根据需要取舍。 2、NPN类 NPN是指当有信号触发时，信号输出线out和0v线连接，相当于输出低电平，ov。对于NPN-NO型，在没有信号触发时，输出

1.npn和pnp的区别--简介　　晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。pnp型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，称为PNP型三极管。npn型三极管，是由2块n型半导体中间夹着1块p型半导体所组成的三极管，称为npn型三极管。我国生产的锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型，它们的结构原理是相同的。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里，NPN型管发射极箭头向外，表示电流方向。2.npn和pnp的区别--三极管　　2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极;电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反。3.npn和pnp的区别--传感器　　PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。NPN输出是低电平0，PNP输出的是高电平1。PNP与NPN型传感器一般有三条引出线，即电源线VCC、0V线，out信号输出线。　　1、PNP类　　PNP是指当有信号触发时，信号输出线out和电源线VCC连接，相当于输出高电平的电源线。　　对于PNP-NO型，在没有信号触发时，输出线是悬空的，就是VCC电源线和out线断开。有信号触发时，发出与VCC电源线相同的电压，也就是out线和电源线VCC连接，输出高电平VCC。　　对于PNP-NC型，在没有信号触发时，发出与VCC电源线相同的电压，也就是out线和电源线VCC连接，输出高电平VCC。当有信号触发后，输出线是悬空的，就是VCC电源线和out线断开。　　对于PNP-NC+NO型，其实就是多出一个输出线OUT，根据需要取舍。　　2、NPN类　　NPN是指当有信号触发时，信号输出线out和0v线连接，相当于输出低电平，ov。　　对于NPN-NO型，在没有信号触发时，输出线是悬空的，就是0v线和out线断开。有信号触发时，发出与OV相同的电压，也就是out线和0V线连接，输出输出低电平OV。　　对于NPN-NC型，在没有信号触发时，发出与0V线相同的电压，也就是out线和0V线连接，输出低电平0V。当有信号触发后，输出线是悬空的，就是0V线和out线断开。　　对于NPN-NC+NO型，和NPN-NC+NO型类似，多出一个输出线OUT，及两条信号反相的输出线，根据需要取舍。

光电传感器有npn型输出型(电流流入)和pnp输出型(电流流出)两种，当电流流出的传感器(pnp输出型)在接通时，电流是从电源经传感器的输出端（output）流到负载（load）上，进入负载, 然后流到接地端。而电流流入(npn输出型)的传感器接通时，电流是从电源经负载流到传感器的输出端(output)，然后流到接地端(gnd)，最后进入系统的地（gnd）。1、npn类 npn是指当有信号触发时，信号输出线out和gnd连接，相当于out输出低电平。2、pnp类 pnp是指当有信号触发时，信号输出线out和vcc连接，相当于out输出高电平的电源线。

晶体三极管PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。 NPN则相反。

6，半导体的性质作用具有什么性

以锗硅合金为例。1、性质：高频特性良好，材料安全性佳，导热性好，而且制程成熟、整合度高，具成本较低之优势。2、作用：不但可以直接利用半导体现有200mm 晶圆制程，达到高集成度，据以创造经济规模，还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM 大厂的投入，SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用。SiGe既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势，又具备第3 到第5 类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感，就可以采用SiGe 半导体技术集成高质量无源部件。扩展资料：半导体的导电特性介绍：导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。因而导体的电阻率很小，只有金属一般为导体，如铜、铝、银等。绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。在这类材料中，几乎没有自由电子，即使受外电场作用也不会形成电流，所以，绝缘体的电阻率很大，在以上。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为，若按百万分之一的比例掺入少量杂质(如磷)后，其电阻率急剧下降为，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。参考资料来源：搜狗百科-半导体搜狗百科-锗硅合金

性质光敏性,热敏性,掺杂性作用半导体最基本的是二极管和MOS管，原理都是基于N型和P型半导体构成的PN结。二极管是单向导电器件，可以实现整流控制等。MOS管是栅控器件，是目前集成电路中最基本的单元。半导体是微电子产业的基础。控制是它的核心。回答的简洁，具体知识参见http://baike.baidu.com/view/19928.htm

半导体是介于像铜那样易于电流通过的导体和像橡胶那样的不导通电流的绝缘体之间的物质。性质:光敏性,热敏性,掺杂性作用：半导体的作用与价值：目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。用半导体材料制成的部件、集成电路等是电子工业的重要基础产品，在电子技术的各个方面已大量使用。半导体材料、器件、集成电路的生产和科研已成为电子工业的重要组成部分。在新产品研制及新技术发展方面，比较重要的领域有：（1）集成电路它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗，并使信息处理速度达到微微秒级。（2）微波器件半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段，发射器件的功率已达到数瓦，人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。（3）光电子器件半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是：光通信、数码显示、图象接收、光集成等。

什么是半导体呢？顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。本征半导体不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（图 1 ）。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。半导体中杂质半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称n型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称p型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故n型半导体中可存在少量导电空穴，p型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。 pn结 p型半导体与n型半导体相互接触时，其交界区域称为pn结。p区中的自由空穴和n区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 pn 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，p区和n区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于p 区中的空穴向n区扩散后与n区中的电子复合，而n区中的电子向p区扩散后与p 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成pn结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。 pn结具有单向导电性，半导体整流管就是利用pn结的这一特性制成的。pn结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、pn结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了pn结的特性。