异质结电池，太阳能光伏 hit 是什么东西

本文目录一览

1，太阳能光伏 hit 是什么东西
2，南为股份异质结电池降本增效如何
3，杂质带上下转换器异质结偶极子天线热载流子及有机光化
4，hlt电池是什么电池
5，电工问题为什么说PN结具有单向导电性
6，异质结电池是什么意思什么叫异质结电池
7，ovc的产品如何
8，异质结电池是什么意思
9，HIT电池生产流程
10，有机太阳能电池的介绍

1，太阳能光伏 hit 是什么东西

异质结（Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm（HIT））太阳能电池，HIT电池与传统电池最大的区别就是非晶硅与晶体硅构成的异质结结构。通过设计异质结界面的势垒高度获得合适的能带结构,以提高电池的转换效率。

太阳能光伏 hit 是什么东西

2，南为股份异质结电池降本增效如何

1、异质结电池全称晶体硅异质结太阳电池，又称HIT、HJT、HDT、SHJ。是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅材料形成，该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。2、在政策和技术的推动下，行业的迭代犹如“后浪推前浪”，光伏行业也不例外。在不断追求“降本提效”的光伏行业，电池片的迭代需求尤显重要。异质结电池（HJT）以其“增效降本”的巨大潜力，成为光伏行业的“后浪”，推动光伏产业技术变革。

南为股份异质结电池降本增效如何

3，杂质带上下转换器异质结偶极子天线热载流子及有机光化

太多了，我试着给你解释一下啦量子：一个物理量如果有最小的单元而不可连续的分割，我们就说这个物理量是量子化的，并把最小的单元称为量子，举个例子：人只能一个一个的，没有一半，这是量子化；叠层：简单的说就是两层或多层一次压在一起吧，比如叠层电池就是双结或多结的电池；中间带：直接点，就是出于中间级别的能带啦上下转化器：我的理解，难道是激光器里的粒子数反转？异质结：两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。偶极子天线：就是天线啦，发射原理就是电偶极子；有机、光化学电池：应该及时燃料敏化电池吧胡诌的，请参考

这个要上好几门课才能学的全。再看看别人怎么说的。

杂质带上下转换器异质结偶极子天线热载流子及有机光化

4，hlt电池是什么电池

HIT电池中文名为异质结电池，全称为“晶体硅异质结太阳能电池”，是未来电池发展的趋势，具备高效率转换光能到太阳能的能力，电池的制作工业流程也是比较短的。电池充电效率是指电池在一定放电条件下放至某一截止电压时放出的容量与输入的电池容量的比值，输入的能量部分用来将活性物质转换为充电态，部分消耗在副反应上来产生氧气，充电效率受到充电速率和环境温度的影响，充电时充电电流必须在一定范围内，电流太小或太大充电效率都很低，由于电池还存在自放电，致使电池无法充满电。电池的性能参数主要有电动势、容量、比能量和电阻。电动势等于单位正电荷由负极通过电池内部移到正极时，电池非静电力（化学力）所做的功。电动势取决于电极材料的化学性质，与电池的大小无关。

5，电工问题为什么说PN结具有单向导电性

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 PN结：一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。

6，异质结电池是什么意思什么叫异质结电池

品牌型号：lenovo ThinkPad X250 系统：Windows 11异质结电池是一种高效晶硅太阳能电池结构，利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池，基于光生伏特效应的一种新型电池，它由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等优势，同时其制造工艺流程较短，在未来普及程度较高。在光伏领域中应用异质结电池技术后，光伏电池片的转换效率从22．3％提升至24％，即同等占地面积的电站，年发电量约增加7．6％，同时异质结技术不仅具备优异的转换效率，而且生产工艺步骤相对简单。

7，ovc的产品如何

OVC　　1、OVC，Ordered Vacancy Compound的缩写。 OVC是一种高分子半导体材料。其分子式为CuIn3Se5或CuIn 2Se3.5，掺Ga时为Cu(In1-xGax)3Se5或Cu(In1-xGax)2Se3.5。 OVC在CIS/CIGS薄膜太阳电池中起着很重要的作用。在CIS/CIGS薄膜电池中形成OVC后，CIS/CIGS与CdS之间的异质结变为两个异质结的串联：一个是p-CIS/CIGS与n-OVC构成的反型异质结；另一个是n-OVC与n-CdS构成的同型异质结。异质结的p-n结被做在窄带吸收层CIS/CIGS里，大大减少了结界面处的缺陷。同时，在CIS/CIGS与CdS两个禁带宽度之间形成一个过渡，减小了彼此之间的禁带宽度台阶，从而减小了晶格失配，减小界面态密度，也减小了带边失调值，由原来的－0.298eV减小为－0.276eV，大大改善了异质结的结特性。从而大大改善了电池的性能。 2、OVC，奥凯华科的英文标识。 ■ 品牌简介： OVC 依凭集团优势，在研发上，坚持以最好的音质让声音完美再现，不断的对产品进行改进，以确保每一项产品设计充分满足客户的需求；在制造上，拥有尖端的耳机单元设计能力，掌握包括最核心的振膜制造技术在内的全套耳机生产技术；在外观设计上，OVC拥有独立的产品造型工作室，致力推出符合中国人审美情趣的独有外观，彻底改变国产产品只能模仿、抄袭国外产品的局面。 OVC以倾听赢世界为独特价值主张，倡导倾听的文化精神和生活态度。品牌以科技与人性化为基础，以满足客户需求为终极目标，以为国人提供高性能产品为己任，不断开发出适合国人的电声产品。 OVC站在世界耳机开发制造前沿，大力推动的“金属耳塞音质革命运动”，开行业之先河，从材质、造型到音质，打破了耳塞制造工艺的局限，拓展了耳塞的声音质感，使大众能充分享受到高品质的金属质感音乐，并一跃成为世界上拥有最多金属系列耳塞的品牌。展望未来，OVC仍将立足国内中高端耳机市场，致力于拓展民族耳机工业，用更优质的产品、更周全的服务、更专注的态度回报消费者。倾听赢得朋友，倾听赢得世界。 ■ 倾听理念：大海之所以成为大海，是因为他取位置低下的谦虚态度，能接纳万千河川之水，所以才变得博大。今天，市场已经从 4P 时代发展到了 4C 时代，只有善于倾听消费者的声音才能赢得市场。生活与工作离不开沟通和交流，而善于倾听则是成功沟通与交流的第一步，倾听赢得朋友、倾听赢得世界。倾听赢世界 —— 是奥凯华科集团、奥凯华科品牌提出的独特价值主张( 倡导倾听的文化精神和生活态度 ) 更是奥凯华科的核心文化价值观。

耳机吗？感觉还不错，用过OVC的C100、X50、X100，

8，异质结电池是什么意思

异质结是太阳能电池的一种。太阳能电池是利用光伏效应将太阳能转化为电能的器件，其核心是半导体PN结。(太阳能是怎么发电的？PN结是什么？百度搜索“光伏混合论”)根据基体材料的不同，可分为晶体硅电池和薄膜电池。其中晶体硅电池比较成熟，是目前市场的主流。太阳能电池最关键的指标是转换效率。在2015年之前，市场由铝背场(BSF)电池主导，效率为19%。2015年开始使用PERC(钝化发射极和后电池)电池，效率达到21.5%。目前光伏行业多采用PERC电池或各种plus版本的PERC。随着PERC电池各种plus版本的发展，无论怎么做都无法突破22%的效率。大家开始关注下一代技术——异质结电池。异质结是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅组成。它是一种N型电池，其中非晶硅薄膜沉积在晶体硅上。HIT(具有本征薄膜的异质结)电池由日本三洋公司于1990年首先研制成功。因为HIT已被三洋注册为商标，所以也被称为HJT、HDT或SHJ。看到这几个字不要晕，都是一个意思。

9，HIT电池生产流程

HIT电池简介 HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结. HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜（膜厚5～10nm）和背面侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的. 图一. 电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙 (Energy band gap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。图二. HIT电池在技术上的优势由于HIT太阳能电池使用a-Si构成pn结，所以能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度（～900℃）相比较，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征，减少了因热量或者膜形成时产生的Si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界领先的高转换效率（研究室水平为23％，量产水平为20％），即使在高温下，转换效率也极少降低，利用双面单元来提高发电量。 HIT电池的伏安曲线分析: HIT电池里p/n 异质结中所发现的正向电流特性（0.4V 附近）的变化是由于a-Si 顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si 膜（i 型a-Si 膜），通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT 构造。通过导入约5nm 左右的薄膜i 型a-Si 层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i 型a-Si 层，能够大幅度提高Voc,见下图. 图三化学钝化和HIT 构造的寿命关系采用μ-PCD 法测定HIT电池的少子寿命。μ-PCD 法得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合速度两方面，但由于是在同一批（LOT）里抽出相邻的芯片，所以可认为体（BULK）的影响基本相同，所不同的是表面的差异。根据下图可以发现，HIT 构造的钝化性能要比化学钝化（CP 法）更优异。图四化学钝化 HIT 太阳能电池的Voc 和寿命之间的依存性发现通过形成低损伤的a-Si膜和提高表面的清净度等可以提高寿命和Voc，Voc 和寿命之间是一种正的线性关系。即HIT构造中的a-Si 钝化性能的好坏和HIT 太阳电池的Voc 大小相关。所以，通过提高a-Si 的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT 太阳电池的输出电压是有效的。图五 HIT电池单晶体硅的表面清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。 HIT 太阳电池优异的温度特性 HIT电池Voc越高输出特性的温度依存性越小。也就是说，在HIT 太阳电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发（即高Voc 化）带来了温度特性的提高.由于新电池在温度上升时发电量的损失降低，预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。图六 HIT电池的制造工艺 HIT电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求说沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积发（HWCVD）制备a-Si:H法也被认为很有前景。 PECVD法制备a-Si:H薄膜利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的重要方法。在真空状态下给气体施加电场，气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体，与普通气体相比，主要性质发生了本质的变化，是一种新物质聚集态。等离子体中放置其中的衬底可以保持在室温，而电子在电厂的激发下会得到足够多的能量（2-5eV），通过与分子的碰撞将其电离，激发。PECVD的缺点表现在两个方面，一是它的不稳定性，二是电子和离子的辐射会对所沉积的薄膜构成化学结构上的损伤。等离子体作为准中性气体，它的状态容易被外部条件的改变而发生变化。衬底表面的带电状态，反应器壁的薄膜附着，电源的波动，气体的流速都会改变活性粒子的种类和数量，并且等离子体的均匀性也难以控制，这样都会改变衬底的状态。等离子体中的离子轰击和光子辐照，除了会影响沉积膜的质量，还会影响下面的硅衬底。光谱相应的研究结果表明对于蓝光区，HIT电池的光谱相应提高，而在红光区，光谱相应变低。这说明对于本征层的钝化效果提高了蓝光光谱响应的结果，而对于硅片内部的损伤，则对红光部分，光谱相应降低，量子效率下降。对于这种情况，可以下调等离子体的功率，但是同时也会降低等离子体的稳定性。 HWCVD制备a-Si:H薄膜热丝化学气相沉积HWCVD是利用热丝对气体进行催化和分解的软性过程，不会产生高能粒子轰击，对衬底的损伤较小，可以容易的移入或者移出沉积室，能够方便从实验室转换到生产线上。在HIT电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。在制备中将温度控制在200度以下能够抑制非晶硅的外延。 HIT电池工艺的改良方向提高界面钝化效果当非晶硅和晶体硅的界面陷阱密度由10^11每平方厘米上升到10^12每平方厘米时，电池效率会降低20%。本征非晶硅的钝化效果由于a-Si:H薄膜的存在而变差，这可能是衬底中的少子波函数穿过本征非晶硅而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后使用使用浓度为1%的氢氟酸进行60到180秒的腐蚀，这样可以去除缺陷层来使粗糙度降低，接近抛光硅的效果。栅电极的优化设计如果可以去除栅线的延展部分，纵横比提高1.0以后，效率可以在提高1.6%。这取决于对于银浆的流变学研究和丝网印刷的改进。

10，有机太阳能电池的介绍

有机这个概念貌似很新，但其实它的历史也不短——跟硅基太阳能电池的历史差不多。第一个硅基太阳能电池是贝尔实验室在1954年制造出来的，它的太阳光电转化效率接近6%；而第一个有机光电转化器件是由Kearns和Calvin在1958年制备的，其主要材料为镁酞菁（MgPc）染料，染料层夹在两个功函数不同的电极之间。在那个器件上，他们观测到了200 mV的开路电压，光电转化效率低得让人都不好意思提。起步之初就高下立判哪。此后二十多年间，有机太阳能电池领域内创新不多，所有报道的器件之结构都类似于1958年版，只不过是在两个功函数不同的电极之间换用各种有机半导体材料。此类器件的原理如图1所示：有机半导体内的电子在光照下被从HOMO能级激发到LUMO能级，产生一对电子和空穴。电子被低功函数的电极提取，空穴则被来自高功函数电极的电子填充，由此在光照下形成光电流。理论上，有机半导体膜与两个不同功函数的电极接触时，会形成不同的肖特基势垒。这是光致电荷能定向传递的基础。因而此种结构的电池通常被称为“肖特基型有机太阳能电池”。1986年，行业内出现了一个里程碑式的突破。实现这个突破的是位华人，柯达公司的邓青云博士。这个时代的有机太阳能电池所采用的有机材料，主要还是具有高可见光吸收效率的有机染料。这些染料通常也被用作感光材料，这自然是柯达的强项。邓青云的器件之核心结构是由四羧基苝的一种衍生物（邓老管它叫PV）和铜酞菁（CuPc）组成的双层膜。双层膜的本质是一个异质结，邓老的思路是用两种有机半导体材料来模仿无机异质结太阳能电池。他制备的太阳能电池，光电转化效率达到1%左右。虽然还是跟硅电池差得很远，但相对于以往的肖特基型电池却是一个很大的提高。这是一个成功的思路，为有机太阳能电池研究开拓了一个新的方向，时至今日这种双层膜异质结的结构仍然是有机太阳能电池研究的重点之一。双层膜异质结型有机太阳能电池的结构如图2所示。作为给体的有机半导体材料吸收光子之后产生空穴－电子对，电子注入到作为受体的有机半导体材料后，空穴和电子得到分离。在这种体系中，电子给体为p型，电子受体则为n型，从而空穴和电子分别传输到两个电极上，形成光电流。与前述“肖特基型”电池相比，此种结构的特点在于引入了电荷分离的机制。与硅半导体相比，有机分子之间的相互作用要弱得多，不同分子之间的LUMO和HOMO并不能通过组合在整个体相中形成连续的导带和价带。载流子在有机半导体中的传输，需要经由电荷在不同分子之间的“跳跃”机理来实现，宏观的表现就是其载流子迁移率要比无机半导体低得多。同时，有机小分子吸收光子而被激发时，不能像硅半导体那样在导带中产生自由电子并在价带中留下空穴。光激发的有机小分子，产生的是通过静电作用结合在一起的空穴－电子对，也就是通常所说的“激子（Exciton）”。激子的存在时间有限，通常在毫秒量级以下，未经彻底分离的电子和空穴会复合（Recombination），释放出其吸收的能量。显然，未能分离出自由电子和空穴的激子，对光电流是没有贡献的。以故有机半导体中激子分离的效率对电池的光电转化效率有关键的影响。对于肖特基型电池来说，激子的分离效率却很成问题。光激发形成的激子，只有在肖特基结的扩散层内，依靠节区的电场作用才能得到分离。其它位置上形成的激子，必须先移动到扩散层内才可能形成对光电流的贡献。但是有机染料内激子的迁移距离相当有限，通常小于10纳米。所以大多数激子在分离成电子和空穴之前就复合掉了。在有机电池中引入异质结的结果，则是明显的提高了激子分离的效率。电子从受激分子的LUMO能级注入到电子受体的LUMO能级，此过程本质上就是激子的分离。两层有机膜之间的界面不是平整的。在制备过程（热蒸发－沉积，或者溶液旋涂法）两层膜总会形成一种互穿的结构，从而界面有较大的面积。在给体材料的体相中产生的激子，通过扩散可以较容易地到达两种材料的界面，将电子注入受体材料的LUMO能级以实现电荷分离。同时，许多研究表明，受体材料亦可以吸收相应频率的光子形成激子，再将其HOMO能级上的空穴反向注入到给体材料的HOMO能级中。因此，激子可以同时在双层膜的界面两侧形成，再通过扩散在界面上得到分离。总之，相对于肖特基型电池，采用给体－受体双层膜结构可以显著地提高激子的分离效率。到了1992年，土耳其人Sariciftci（读作萨利奇夫奇）在美国发现，激发态的电子能极快地从有机半导体分子注入到C60分子（其结构如图3）中，而反向的过程却要慢得多。也就是说，在有机半导体材料与C60的界面上，激子可以以很高的速率实现电荷分离，而且分离之后的电荷不容易在界面上复合。这是由于C60的表面是一个很大的共轭结构，电子在由60个碳原子轨道组成的分子轨道上离域，可以对外来的电子起到稳定作用。因此C60是一种良好的电子受体材料。1993年，Sariciftci在此发现的基础上制成PPV/C60双层膜异质结太阳能电池。PPV通常叫作“聚对苯乙烯撑”，是一种导电聚合物（关于导电聚合物将另文详述），也是一种典型的P型有机半导体材料。此后，以C60为电子受体的双层膜异质结型太阳能电池层出不穷。随后，研究人员在此类太阳能电池的基础上又提出了一个重要的概念：混合异质结（体异质结）。“混合异质结（体异质结）”的英文写作“Bulk Heterojunction”，这里是我自己的译法，感觉意思上还算准确。“混合异质结（体异质结）”概念主要针对光电转化过程中激子分离和载流子传输这两方面的限制。双层膜太阳能电池中，虽然两层膜的界面有较大的面积，但激子仍只能在界面区域分离，离界面较远处产生的激子往往还没移动到界面上就复合了。而且有机材料的载流子迁移率通常很低，在界面上分离出来的载流子在向电极运动的过程中大量损失。这两点限制了双层膜电池的光电转化效率。而所谓“混合异质结”，就是将给体材料和受体材料混合起来，通过共蒸或者旋涂的方法制成一种混合薄膜。给体和受体在混合膜里形成一个个单一组成的区域，在任何位置产生的激子，都可以通过很短的路径到达给体与受体的界面（即结面），从而电荷分离的效率得到了提高。同时，在界面上形成的正负载流子亦可通过较短的途径到达电极，从而弥补载流子迁移率的不足。符合要求的电极应当是选择性的电极。也就是说，当给体与负极接触时，给体不能把空穴传输给负极。在混合异质结中，像这样的接触事实上是避免不了的。此种结构最理想状态自然是所有的给体相都能与正极接触，同时所有的受体相都能与负极接触。在非理想状态下，未能与正极接触的给体相上出现的正电荷是不能传输到电池的正极上的，因而这种结构亦非尽善尽美。不过相对于双层膜电池，此种结构的效率提高亦相当明显，目前有机太阳能电池中的最高效率纪录仍由混合异质结型电池保持。

异质结电池，太阳能光伏 hit 是什么东西

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