巨磁电阻效应，什么是巨磁电阻

本文目录一览

1，什么是巨磁电阻
2，巨磁电阻效应
3，什么是巨磁电阻效应
4，什么是巨磁电阻
5，什么是巨磁电阻效应
6，什么是巨磁电阻效应GMR效应产生的条件机理及应用问

1，什么是巨磁电阻

巨磁电阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，也就是说，非常弱小的磁性变化就能导致巨大电阻变化的特殊效应。

什么是巨磁电阻

2，巨磁电阻效应

磁性金属和合金的电阻随磁场大小而改变的现象称为磁电阻效应. 把磁电阻效应大于20%的效应称作"巨磁效应". 在发现巨磁效应之后,由于磁头的敏感度有了很大的提升,从而使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少,磁盘的储存能力也就得到了很大幅度提高.

我对这也挺好奇,07年noble prize获得者

巨磁电阻效应

3，什么是巨磁电阻效应

所谓巨磁电阻效应是指材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象。一般将其定义为GMR＝其中（H）为在磁场H作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。由外加磁场引起的一些磁性材料的电阻巨大变化(称为巨磁电阻效应)便是磁电子学中一项重要内容。在室温下具有巨磁电阻效应的巨磁电阻材料目前已有许多种类，例如，多层膜巨磁电阻材料，颗粒型巨磁电阻材料，氧化物型巨磁电阻材料，隧道结型磁电阻材料等。

什么是巨磁电阻效应

4，什么是巨磁电阻

巨磁电阻即物体在外加磁场作用下自身的电阻发生显著变化的现象 1986年德国科学家Grunberg小组、1988年法国科学家Fert小组首先发现了巨磁电阻效应的存在。然而，巨磁电阻效应又与一般的磁电阻效应有着本质的区别：由铁磁金属/非磁性金属/铁磁金属构成的多层纳米薄膜(即巨磁电阻材料，如Fe/Cr)，在有外加磁场和无外加磁场下电阻率的变化，在室温下为可达5%，在低温(4 2K)下可以达到110%，远远大于一般铁磁金属1%—3%的磁电阻变化。由于其磁电阻效应如此明显，因此把这种只在磁性多层膜中才能发生的量子力学效应称为巨磁电阻效应。1994年，IBM首先将GMR应用在硬磁盘中，并在1995年宣布制成每平方英寸3Gb硬盘面密度所用的读出头，创世界记录。 GMR对计算机存储领域的应用带来莫大的影响

5，什么是巨磁电阻效应

指很小的磁场变化可以引起该种电阻值的巨大变化的一种效应

形容磁电阻效应大小的具有显著磁电阻效应的磁性材料。强磁性材料在受到外加磁场作用时引起的电阻变化，称为磁电阻效应。不论磁场与电流方向平行还是垂直，都将产生磁电阻效应。前者（平行）称为纵磁场效应，后者（垂直）称为横磁场效应。一般强磁性材料的磁电阻率（磁场引起的电阻变化与未加磁场时电阻之比）在室温下小于8％，在低温下可增加到10％以上。已实用的磁电阻材料主要有镍铁系和镍钴系磁性合金。室温下镍铁系坡莫合金的磁电阻率约1％～3％，若合金中加入铜、铬或锰元素，可使电阻率增加；镍钴系合金的电阻率较高，可达6％。与利用其他磁效应相比，利用磁电阻效应制成的换能器和传感器，其装置简单，对速度和频率不敏感。磁电阻材料已用于制造磁记录磁头、磁泡检测器和磁膜存储器的读出器等。

做题时曾了解到，巨磁电阻效应与磁场方向无关

6，什么是巨磁电阻效应GMR效应产生的条件机理及应用问

所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（Read Head）。这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少，从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高。第一个商业化生产的数据读取探头是由IBM公司于1997年投放市场的，到目前为止，巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。来自剑桥大学的一位物理学家Tony Bland介绍说：“这些材料一开始看起来非常玄妙，但是最后发现它们有非常巨大的应用价值。它们为生产商业化的大容量信息存储器铺平了道路。同时它们也为进一步探索新物理——比如隧穿磁阻效应（TMR: Tunneling Magnetoresistance）、自旋电子学（Spintronics）以及新的传感器技术——奠定了基础。但是大家应该注意到的是：巨磁阻效应已经是一种非常成熟的旧技术了，目前人们感兴趣的问题是如何将隧穿磁阻效应开发为未来的新技术宠儿。http://baike.baidu.com/view/1193389.htm