二极管型号，二极管型号大全

本文目录一览

1，二极管型号大全
2，二极管的型号命名
3，怎么区分整流稳压二极管的型号
4，开关二极管型号都有什么
5，各型号的二极管有什么区别
6，二极管型号如何识别

1，二极管型号大全

想要得到准确的答案，你首先得补充一下提问，你得告诉我，你上述元件是在什么地方看到的，如电视机呀或投影机什么上看到的，如有图片，最好是上传图片了，不然就凭这么零星的几个字或字母，我想，应该是很难准确回答你的。我只知道B0615是个变容二极管，我以前修过东芝的投影机时碰到过。

<p>二极管型号大全</p> <p><a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fwww.china-lt.com%2ferjiguan%2f20100226%2fxbyo5pekgx2wjh-1877922937.html" target="_blank">http://www.china-lt.com/erjiguan/20100226/xbyo5pekgx2wjh-1877922937.html</a></p>

二极管型号大全

2，二极管的型号命名

一般，以二极管的功能命名。例：整流二极管：2*Z**，普通二极管：2*P**，稳压二极管：2*W**等。这是我国的命名规律。其中，第一个数字“2”，说明是“有两个外引出脚”；第二个是A\B\C\D字母中的一个，说明此管所用的半导体材料的类型与导电类型；第三个字母表明此二极管的功能；第四、第五个是数字，表明此二极管的系列。注意系列数字的大小与二极管的功率、电压等参数无关。现在常见的肖特基二极管，往往以“MBR”开头，后面直接就是此管所允许通过的最大电流值和最高反向电压值。例如“MBR10100”，就是一款最大正向导通电流为10A、最高反向电压为100V的肖特基二极管。如果是两个芯片组装在一起，就在后缀上加“CT”表示。

1n4007是你所问二极管的型号1n是日本电子元件命名法：1代表有一个pn节为二极管。2代表有两个pn节为三极管。1n4000系列为硅整流二极管相关参数如下：型号电流a 耐压值v 1n4001 1 50 1n4002 1 100 1n4003 1 200 1n4004 1 400 1n4005 1 600 1n4006 1 800 1n4007 1 1000

二极管的型号命名

3，怎么区分整流稳压二极管的型号

那就要看具体是用什么方式命名的二极管了。国标命名的二极管就比较容易区别：2CZ 系列的是整流二极管。2CW 是稳压二极管。1 国标命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半导体器件有5部分组成第一部分：用数字表示器件的电极数目。2，二极管。 3，三极管第二部分：用汉语拼音表示器件的材料极性。二极管：A,N锗材料，B,P锗材料，C,N硅材料，D,P硅材料，三极管：A,PNP锗材料，B,NPN锗材料，C,PNP硅材料，D,NPN硅材料，E,化合物材料。第三部分：用汉语拼音表示器件的类型。 P普通管，V 微波管，W稳压管，C参量管，Z整流管，L整流堆，S隧道管，N阻尼管，U光电管，X低频小功率，G高频小功率，D低频大功率，A高频大功率，T体效应管，B雪崩管，J 阶跃恢复管，CS场效应管，BT半导体特殊器件，FH复合管，PIN,PIN管，JG激光管。第四部分：用数字表示器件的序号。第五部分：用汉语拼音表示规格号。国外和其他方式命名的二极管型号则没有明确的功能标识如：1NXXX系列。就仅注明了是有一个PN结的半导体器件和它的登记序号，其具体参数和用途就要查询它的资料才知道了。

怎么区分整流稳压二极管的型号

4，开关二极管型号都有什么

二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管种类很多,都有单向导电性能,不能说相互之间都可代替,只有符合开关二极管频率特性和开关损耗小的高频二极管才能代替开关二极管,具体运用时要仔细对照参数比较替用,所列举的二极管中,只有部分检波二极管能代替

首先我觉得如果就是标识1r10d6l的话好像有点不规范，这应该不是一个单纯的二极管这好像是一个小功率晶闸管的整流堆第一部分代表一个pn结，也就是二极管r表示器件的类型及主要特征：a-检波开关混频二极管、b-变容二极管、c-低频小功率三极管、d-低频大功率三极管、e-隧道二极管、 f-高频小功率三极管、g-复合器件及其他器件、h-磁敏二极管、k-开放磁路中的霍尔元件、l-高频大功率三极管、m-封闭磁路中的霍尔元件、p-光敏器件、q-发光器件、r-小功率晶闸管、s-小功率开关管、t-大功率晶闸管、u-大功率开关管、x-倍增二极管、y-整流二极管、z-稳压二极管。10应该是这个器件的登记号d是它的允许误差：字母a、b、c、d、e分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%晶闸管型号的后缀是数字，所以通常是指最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。l应该是表示半导体器件的类型。如：p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、 u-光电器件、k-开关管等。以上是个人理解，对你也许有点帮助

5，各型号的二极管有什么区别

因为几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，同时它也是诞生最早的半导体器件之一。所以市面上有许多型号的二极管就属于正常的了。你可以随意打开一个电子产品，在里面基本上都可以找到它们。一，工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。（1）当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。（2）当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（3）当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流Io。（4）当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值，从而产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二，导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。（1）正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，流过二极管的正向电流十分微弱，二极管任然不能导通。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。（2）反向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，任然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。三，开关特性（1）在正向电压作用下，电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关。（2）在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。（此只能作为理解参考，不能作为学术用途。）四，各型号二极管的区别涉及内容颇多详情可参见：

6，二极管型号如何识别

国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。第一部分：用数字表示器件电极的数目。第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。第四部分：用数字表示器件序号。第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义 2 二极管 A N 型，锗材料 P 普通 X 低频小功率(fa<3MHz ， Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高 B P 型，锗材料 W 稳压管 C N 型，硅材料 Z 整流管 G 高频小功率(fa>3MHz ， Pc<1W) D P 型，硅材料 L 整流堆 3 三极管 A PNP 型，锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率(fa<3MHz ， Pc>1W) B NPN 型，锗材料 K 开关管 C PNP 型，硅材料 F 发光管 A 高频大功率(fa>3MHz ， Pc>1W) D NPN 型，硅材料 S 隧道管 E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅 CS 场效应管 BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三极管。第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 ? 2 所示。表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义 O 光电二极管或三极管 S 已在日本电子工业协会注册登记的半导体器件 A PNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工业协会的注册登记号ABCD 该器件为原型号产品的改进产品 B NP 低频晶体管 C NPN 高频晶体管 1 二极管 D NPN 低频晶体管 2 三极管或有三个电极的其他器件 E P 控制极可控硅 G N 控制极可控硅 H N 基极单结晶管 J P 沟道场效应管 3 四个电极的器件 N 沟道场效应管 M 双向可控硅 3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。第一部分为前缀。第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 ． 3 所示。表 5 ． 3 美国半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的类别用数字表示 PN 结数目美国电子工业协会注册标志美国电子工业协会登记号用字母表示器分挡序号意义序号意义序号意义序号意义序号意义JAN 或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美国电子工业协会注册登记的半导体器件

以直插二极管为例，有记号的一段为负极，另一端为正极