非晶硅太阳能电池，民用太阳能电池非晶硅和多晶硅的区别是什么

来源：整理时间：2024-10-06 22:06:01 编辑：智能门户手机版

本文目录一览

1，民用太阳能电池非晶硅和多晶硅的区别是什么
2，晶硅电池和非晶硅电池有什么不同
3，非晶硅太阳能电池的介绍
4，非晶硅薄膜太阳能电池的简介
5，非晶硅太阳能电池功率受哪些因素的影响
6，非晶硅太阳能电池板特性

1，民用太阳能电池非晶硅和多晶硅的区别是什么

太阳能发电板分单晶硅、多晶硅、非晶硅。单晶硅对能量转化较高，但对方向性要求较高，造价也高。非晶硅能量妆化率低，对方向性要求不高，造价低廉。多晶硅的性能介于这两者之间

民用太阳能电池非晶硅和多晶硅的区别是什么

2，晶硅电池和非晶硅电池有什么不同

晶硅电池表示使用的硅材料为多晶硅或者单晶硅，多晶硅相对于单晶硅电池来说，价格要便宜的多，但是其光电转换效率要低。晶硅太阳能电池是依靠PN结产生电的。非晶硅电池表示使用的硅材料是非晶硅。其价格要稍高一点，且转换效率也较高，但是其光电转换的机制与晶硅电池是不一样的。不是靠PN结，而是靠电对

单晶硅电池由高纯硅棒切片后制成，成本最高，效率也最高，性能长期稳定。非晶硅由高纯硅烷气体沉积在玻璃、陶瓷等材料上的薄膜制成，成本最低，效率最低并且随时间下降。同样功率面积较单晶硅大约1倍。从转换效率和长期稳定性而言，单晶硅＞多晶硅＞非晶硅。从相同功率的价格成本上比较，非晶硅 ≤ 多晶硅＜单晶硅。

晶硅电池和非晶硅电池有什么不同

3，非晶硅太阳能电池的介绍

光伏产业的太阳能电池分为晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。全球光伏产业的迅猛发展，非晶硅太阳能电池市场前景看好，技术日臻成熟，光电转换效率和稳定性不断提高。集成型非晶硅太阳能电池的激光切割的使用有效面积达90%以上，目前大面积大量生产的硅薄膜太阳能电池的光电转换效率为5%-10.2%。实验室目前最高可达19.1%。

非晶硅电池一般采用pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition——等离子增强型化学气相沉积)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。此种制作工艺，可以在生产中连续在多个真空沉积室完成，以实现大批量生产。由于沉积分解温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。在玻璃衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为：glass/tco/p-a-sic：h/i-a-si：h/n-a-si：h/al，在不锈钢衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为：ss/zno/n-a-si：h/i-a-si(ge)：h/p-na-si：h/ito/al。

非晶硅太阳能电池的介绍

4，非晶硅薄膜太阳能电池的简介

我们就是做非晶硅太阳能电池的, 我也来回答一下这个问题.非晶硅太阳能电池的优势:1. 非晶硅对可见光的吸收比晶体硅的要强,也就是说以阴雨天或者说月光较强的晚上,非晶硅电池也可以产生较少量的电流. 甚至有测得,同样功率的非晶硅和晶体硅太阳能电池, 按一年的发电量计算, 非晶硅要比晶体硅发的电多.2. 非晶硅价格便宜, 因为非晶硅不受硅材料价格的限制, 在生产过程中, 用硅烷气体通过辉光放电法,在玻璃等衬底上沉积成一层薄膜. 因其材料较便宜, 可以大规模生产和推广.3. 高温性能好：当太阳能电池工作温度高于标准测试温度25℃时，其最佳输出功率会有所下降；非晶硅太阳能电池受温度的影响比晶体硅太阳能电池要小得多。4. 能量回收周期短, 在生产过程中的每瓦用电能耗较小,1.5-2年即可返回.由于上述这些优势,令薄膜硅电池在民用领域具有广阔的应用前景，如光伏建筑一体化、大规模低成本发电站、太阳能照明光源。由于非晶硅薄膜电池的良好前景，包括sharp、q-cells、无锡尚德等在内的诸多企业正大规模进入非晶硅薄膜太阳能电池领域，整个行业的统计数字不断翻新。

非晶硅薄膜太阳能电池是一种以非晶硅化合物为基本组成的薄膜太阳能电池。按照材料的不同，当前硅太阳能电池可分为三类：单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。

5，非晶硅太阳能电池功率受哪些因素的影响

我们就是做非晶硅太阳能电池的, 我也来回答一下这个问题.非晶硅太阳能电池的优势:1. 非晶硅对可见光的吸收比晶体硅的要强,也就是说以阴雨天或者说月光较强的晚上,非晶硅电池也可以产生较少量的电流. 甚至有测得,同样功率的非晶硅和晶体硅太阳能电池, 按一年的发电量计算, 非晶硅要比晶体硅发的电多.2. 非晶硅价格便宜, 因为非晶硅不受硅材料价格的限制, 在生产过程中, 用硅烷气体通过辉光放电法,在玻璃等衬底上沉积成一层薄膜. 因其材料较便宜, 可以大规模生产和推广.3. 高温性能好：当太阳能电池工作温度高于标准测试温度25℃时，其最佳输出功率会有所下降；非晶硅太阳能电池受温度的影响比晶体硅太阳能电池要小得多。4. 能量回收周期短, 在生产过程中的每瓦用电能耗较小,1.5-2年即可返回.由于上述这些优势,令薄膜硅电池在民用领域具有广阔的应用前景，如光伏建筑一体化、大规模低成本发电站、太阳能照明光源。由于非晶硅薄膜电池的良好前景，包括Sharp、Q-Cells、无锡尚德等在内的诸多企业正大规模进入非晶硅薄膜太阳能电池领域，整个行业的统计数字不断翻新。

非晶硅太阳能电池生产线主要用于生产大型光电玻璃模板，以普通玻璃为基底经过常压CVD制备氧化锡,，PECVD制备各类非晶硅膜层，磁控溅射制备铝膜电极，中间利用激光对膜系进行刻槽，再经过检测和封装，完成大面积电池组件的制造过程，整个工艺流程不超过十道。比晶体硅电池制作工艺更简单，硅材料利用率提高了几十倍，制造成本大约只有晶体硅电池的1/3。

6，非晶硅太阳能电池板特性

1、更低的成本目前，主流的光伏组件产品仍以硅为主要原材料，仅以硅原材料的的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10-12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产薄膜非晶硅太阳电池可以产出超过200兆瓦。从能源消耗的角度看，非晶硅太阳电池仅1-1.5年的能源回收期，更体现了其在制造过程中对节约能源的贡献。组件成本在光伏系统中的占有很高的比例，组件价格直接影响系统造价，进而影响到光伏发电的成本。按目前的组件售价计算，同样的资金，购买非晶硅产品，您可以多获得接近30%的组件功率。2、更多的电力对于同样功率的太阳电池阵列，非晶硅太阳电池比单晶硅、多晶硅电池发电要多约10%。这已经被美国的Uni-Solar System LLC、Energy Photovoltaic Corp.、日本的Kaneka Corp.、荷兰能源研究所以及其他的光伏界组织和专家证实了。在阳光充足的月份，也就是说在较高的环境温度下，非晶硅太阳电池组件能表现出更优异的发电性能。3、更好的弱光响应由于非晶硅材料原子排列无序的特点，它的电子跃迁不再遵守传统的“选择定则”限制，因此，它的光吸收特性与单晶硅材料存在着较大的差别。非晶硅和单晶硅材料的吸收曲线如图所示? 非晶硅的吸收曲线具有明显的三段（A、B、C）特征。A区对应电子在定域态间的跃迁，如费米能及附近的隙态向带尾态的跃迁，该区的吸收系数较小，约1-10cm-1，为非本正吸收；B区的吸收系数随光子能量的增加指数上升，它对应于电子从价带边扩展态到导带定域态的跃迁，以及电子从价带尾定域态向导带边扩展态的跃迁，该区的能量范围通常只有半个电子伏特左右，但吸收系数通常跨越两三个数量级，达到104cm-1；C区对应于电子从价带内部到导带内部的跃迁，该区的吸收系数较大，通常在104cm-1以上。后两个吸收区是非晶硅材料的本征吸收区。? 从图中可以看到，两条曲线的交点约在1.8ev左右。值得注意的是，在整个可见光范围内（1.7-3.0ev），非晶硅材料的吸收系数几乎都比单晶硅大一个数量级。也就是说，在阳光不太强的上午前半部、下午后半部、以及多云等低光强、长波比重较大的情况下，非晶硅材料仍有较大的吸收系数。再考虑到非晶硅材料的带隙较大，反向饱和电流I0较小。以及如前所述的非晶硅电池I-V特性曲线方面的特点，使得非晶硅太阳电池无论在理论上和实际使用中都对低光强有较好的适应。? 非晶硅电池的I-V特性在超过Vm以后随电压下降缓慢为了比较方便，我们把两种电池的I-V特性画在同一张图上。晶硅电池和非晶硅电池的I-V特性一般形状如图所示? 从图中我们看到，两种电池在超过最大输出功率点后曲线变化差距较大。晶硅电池的输出电流在超过最大输出功率点后会很快下降到零，曲线陡直；而非晶硅电池的输出电流经过一段较长的距离后才下降到零，曲线较为平缓。两种电池的Vm分别大约相当于其开路电压的83%和74%。? 当光强逐渐变小时，太阳电池的短路电流和开路电压都会随之强降低。当然，短路电流减小得比较快，开路电压降低得比较慢。? 在蓄电池做太阳电池阵列负载的情况下，当太阳电池阵列的有效输出电压小于蓄电池的端电压时，蓄电池就不能够被充电。当光强逐渐变小时，晶硅电池先不满足充电条件，而非晶硅电池由于较大的电压差，到光线很暗时才不充电，有效的增加了利用太阳光的时间。所以，非晶硅电池会比晶硅电池多产生一些电力。4、更优异的高温性能在户外较高的环境温度下，非晶硅太阳电池性能会发生变化，取决于当时的温度，光谱以及其他相关因素。但可以肯定的是：非晶硅较之单晶硅或多晶硅更不易受温度影响。非晶硅太阳电池比单晶硅、多晶硅电池具有相对小的温度系数非晶硅太阳电池最佳输出功率Pm的温度系数约为-0.19%,而单晶硅、多晶硅电池最佳输出功率Pm的温度系数约为-0.5%,当电池的工作温度升高时，两种电池都会出现Pm下降的情况，但下降幅度是不同的。它们都可以用下面公式进行计算。 Pmeffec. = Pm×[1+a（T -25℃）] 其中：Pmeffec.--为电池组件在T温度工作时(AM1.5，1000瓦/平方米)的最大输出功率Pm--为电池组件在25℃，标准测试条件下(AM1.5，1000瓦/平方米)的最大输出功率a ---- 为电池组件的功率温度系数举例来说，如果两种电池组件都在60℃的温度下工作，将它们的温度系数代入上式，则晶硅电池与非晶硅电池的最大功率衰退情况分别为：晶硅电池： Pmefeic. / Pm = 82.5%非晶硅电池： Pmefeic. / Pm = 93.35%也就是说，如果两种电池的Pm都是1000瓦，它们都在60℃下工作，这时晶硅电池的Pm降到825瓦，非晶硅电池的Pm降到933.5瓦。非晶硅电池多发电108.5瓦，相当于多发电13.2%。