mosfet的dibl效应2,漏至势垒降低效应是啥3,举例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理论相对于量子描述4,半导体器件物理5,凝聚态物理专业中的半导体器件与器件物理就业问题6,终极MACD选股公式求高手修改1,mosfet的dibl效应漏极导致势垒下降(drain-inducedbarrierlowering,DIBL)当短沟道MOSFET的漏极电压由线性区增至饱和区时,其阈值电压下跃将更严重此效应称为漏极导致势垒下降2,漏至势垒降低效应是啥漏致势垒降低(DIBL)效应是超大规模MOSFET器...
更新时间:2023-09-07标签: diblmosfet的dibl效应 全文阅读