俄歇效应，植物光合作用光反应时会有俄歇效应吗有的话影不影响光反应速率

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1，植物光合作用光反应时会有俄歇效应吗有的话影不影响光反应速率

俄歇效应是原子发射的一个电子导致另一个电子被发射出来的物理现象。当一个处于内层电子被移除后，留下一个空位，高能级的电子就会填补这个空位，同时释放能量。通常能量以发射光子的形式释放，但也可以通过发射原子中的一个电子来释放。第二个被发射的电子叫做俄歇电子。被发射时，俄歇电子的动能等于第一次电子跃迁的能量与俄歇电子的离子能之间的能差。这些能级的大小取决于原子类型和原子所处的化学环境。俄歇电子谱，是用X射线或高能电子束来产生俄歇电子，测量其强度和能量的关系而得到的谱线。其结果可以用来识别原子及其原子周围的环境。俄歇复合是半导体中一个类似的俄歇现象：一个电子和空穴（电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作碰撞电离。按照定义，应该不会有的。

不用

植物光合作用光反应时会有俄歇效应吗有的话影不影响光反应速率

2，原子从一个能级跃迁到一个较低的能级时有可能不发射光子例如在

由题意可知n=1能级能量为：E1=-A，n=2能级能量为：E2=-A 4 ，从n=2能级跃迁到n=1能级释放的能量为：△E=E2-E1=3A 4 从n=4能级能量为：E4=-A 16 ，电离需要能量为：E=0-E4=A 16 所以从n=4能级电离后的动能为：EK=△E-E=3A 4 -A 16 =11A 16 ，故ABD错误，C正确．故选C． ...展开由题意可知n=1能级能量为：E1=-A，n=2能级能量为：E2=-A 4 ，从n=2能级跃迁到n=1能级释放的能量为：△E=E2-E1=3A 4 从n=4能级能量为：E4=-A 16 ，电离需要能量为：E=0-E4=A 16 所以从n=4能级电离后的动能为：EK=△E-E=3A 4 -A 16 =11A 16 ，故ABD错误，C正确．故选C．收起

原子从一个能级跃迁到一个较低的能级时有可能不发射光子例如在

3，手持式光谱仪的原理

手持式光谱仪是一种基于XRF光谱分析技术的光谱分析仪器，当能量高于原子内层电子结合能的高能X射线与原子发生碰撞时,驱逐一个内层电子从而出现一个空穴,使整个原子体系处于不稳定的状态,当较外层的电子跃迁到空穴时,产生一次光电子，击出的光子可能再次被吸收而逐出较外层的另一个次级光电子，发生俄歇效应,亦称次级光电效应或无辐射效应。所逐出的次级光电子称为俄歇电子。当较外层的电子跃入内层空穴所释放的能量不被原子内吸收,而是以光子形式放出,便产生X 射线荧光，其能量等于两能级之间的能量差。因此，射线荧光的能量或波长是特征性的,与元素有一一对应的关系。由Moseley定律可知，只要测出荧光X射线的波长,就可以知道元素的种类,这就是荧光X射线定性分析的基础。此外,荧光X射线的强度与相应元素的含量有一定的关系,据此,可以进行元素定量分析。X射线探测器将样品元素的X射线的特征谱线的光信号转换成易于测量的电信号来得到待测元素的特征信息。

手持式光谱仪的原理

4，俄歇电子能谱的基本原理

测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程（图1）。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充,由此释放出能量而产生X射线荧光。另一类是电子由外壳层落到内壳层，用所释放出来的能量打出一个其电离势更低的轨道电子（通常为价电子）。后一个过程称为俄歇过程,以发现此过程的法国科学家P.-V.俄歇命名，被打出来的电子称为俄歇电子。用光或电子轰击固体表面，都能产生俄歇效应。　　俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。

5，俄歇效应的发现过程

奥地利科学家Lise Meitner在1920年首先观察到俄歇过程。1925年，Pierre Victor Auger在Wilson云室实验中采用高能X射线来电离气体，并观察到了光电子。对电子的测量分析表明其轨迹与入射光子的频率无关，这表明电子电离的机制是原子内部能量交换或无辐射跃迁；运用基本量子力学计算出跃迁率和跃迁概率，以及进一步的实验和理论研究表明，该效应的机制是无辐射跃迁，而非内部能量交换。

1888年。1905年，j·j·汤姆孙通过实验证实该荷电体与阴极射线一样是电子流。1899—1902年间，勒纳德（p·lenard）对光电效应进行了系统研究，并命名为光电效应。1899年，也就是光能量转换成电能，美国科学家密立根通过精密的定量实验证明了爱因斯坦的理论解释，用光量子理论对光电效应进行了全面的解释。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应（photoelectric effect）光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，德国物理学家霍尔瓦克斯（wilhelm hallwachs)证实是由于在放电间隙内出现荷电体的缘故。这一现象是1887年赫兹在实验研究麦克斯韦电磁理论时偶然发现的。1916年，爱因斯坦在《关于光的产生和转化的一个启发性观点》一文中

6，什么是光电现象

光电现象电磁辐射（可见光、紫外线、X 射线或γ射线）投射到物体（气、液、固）上被物体吸收，使这物体的电性质发生变化的现象。它主要包括光电效应、光电离现象、光电导现象、光生伏打效应、俄歇效应、康普顿效应、光核效应。光电效应[1] 在光辐照下，物体内部的电子获得足够的能量越过表面从物体内逸出，这种现象叫做光电发射效应，逸出的电子称为光电子。每个光量子具有能量hv，其中h是普朗克常数，v是光的频率。光子进入物体后与电子作用，如果电子是自由的，则吸收光子能量的电子，必须克服物体表面势垒的阻挡才能逸出物体表面，电子从金属表面逸出时所须作的功称为材料的逸出功或功函数,用符号W 来表示。因此,电子逸出表面时的最大动能是。 (1) 如果固体中的电子是束缚的，则光子能量还必须大于原子的电离能。纯金属的逸出功都比较高，它不但与材料有关，还与金属表面状态有关。掺杂与表面化学处理是降低材料逸出功的一些具体办法。绝缘体与半导体中电子的能量分布不同于金属的，逸出功也和金属的不同。结果，人们发现不同材料，尽管逸出功相同，其光电产额（光电子数与入射光子数之比）和入射光子的能量关系并不一样。低逸出功与高光电产额是一切近代光电材料所必须具备的指标，吸收光子与发射出光电子之间的时间延迟小于0.1ns。光电离现象当光辐照气体（或液体）时，如果光子能量大于分子（或原子）的电离能，则中性气体（或液体）的分子（或原子）被电离成电子与正离子，这一过程称为光电离现象。光电导现象材料在光的辐照下，其电导发生变化的现象。在光辐照下，材料的电导通常是增大的，但也有少数相反情况。导体的电导很大，在光的辐照下，电导不会发生明显的变化。会发生明显变化的材料是半导体，因此，光电导现象是半导体的主要特征之一。当半导体受到光辐照时，自由载流子（自由电子与空穴）增多、电导变大,直到电流-电压曲线达到饱和为止。光电导中电子的基本过程取决于材料的能带结构以及材料中的杂质等因素。自由载流子的寿命是决定光灵敏度（即每一吸收光子所产生的电导变化）最重要的因素之一。寿命与载流子复合过程的性质有关。半导体的光吸收特性是另一个决定光灵敏度的重要因素。当光子能量大于半导体的禁带能隙时，每个光子可以产生一个自由电荷对，即一个自由电子与一个自由空穴。如果光子能量比禁带能隙大很多倍，吸收一个光子可以产生许多自由电荷对。光生伏打效应是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象。当两种不同材料所形成的结受到光辐照时,结上产生电动势。它的过程先是材料吸收光子的能量，产生数量相等的正、负电荷，随后这些电荷分别迁移到结的两侧，形成偶电层。光生伏打效应虽然不是瞬时产生的，但其响应时间是相当短的。当前，光生伏打效应主要是应用在半导体的PN结上，把辐射能转换成电能。大量研究集中在太阳能的转换效率上。理论预期的效率为24％。实验上已达14％。俄歇效应当X射线或γ射线辐照到物体上时,由于光子能量很高，能穿入物体，使原子内壳层上的束缚电子发射出来，于是，在内壳层上出现空位，而原子外壳层上的电子可能跃迁到这空位上。一定的内原子壳空位可以引起许多个俄歇电子跃迁。跃迁时释放的能量将以辐射的形式向外发射。这种现象是1925年P. -V.俄歇所发现的，因而称为俄歇效应。跃迁的电子名为俄歇电子。俄歇效应是研究核子过程（如捕捉过程与内转换过程）的重要手段，同时从俄歇电子的能量与强度，可以求出原子或分子中的过渡几率。反之，由已知能量的俄歇光谱线，可以校准转换电子的能量。康普顿效应 X射线或γ射线通过物质时,其散射线中有部分改变了原来的波长，波长的改变量与入射线的波长无关，只由散射角决定。这种现象称为康普顿效应。其机制是：当光子和静止电子碰撞时，光子将把一部分能量与动量给予电子，而光子与电子将沿不同方向运动。理论分析结果是入射与散射光子的波长差为 (2) 式中h是普朗克常数,me是静止的电子质量,с是真空中的光速,θ是光子散射角。的值为2.4262×10米，它是长度的基本原子单位，并称为康普顿波长。不同能区的光子与分子、原子、电子、原子核发生相互作用时产生不同的效应。当入射光子的能量较低时(hv<0.5MeV)以产生光电效应为主;入射光子能量很高时(hv>10MeV)，光子可产生正、负电子对；入射光子的能量介于以上能区之间时，其能量的衰减主要取决于康普顿散射。光核效应如果光子的能量特别高，其波长和原子核的直径相当，则可以发生各种核反应。和光电效应极其类似的过程是，在原子核吸收了光子能量后，发射出质子或中子。更复杂的一些相互作用是发射出较重的粒子（α粒子、氘核、氚核）,或许多个粒子，造成核的光裂变。参考书目 A. L. Hughes and L. A. DuBridge, Photoelectric Phenomena,McGraw-Hill, New York, 1932.

那么多废话，简单的说光电现象就是一定频率的光线照在金属上，金属表面可以逸出电子。

光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。

光电效应目录英文名称光电效应概述光电效应说明几种金属材料的极限波长爱因斯坦方程光电效应的分类英文名称光电效应∶photoelectric effect[编辑本段]光电效应概述光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发射出来的电子叫做光电子。光波长小于某一临界值时方能发射电子，即极限波长，对应的光的频率叫做极限频率。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关，这一点无法用光的波动性解释。还有一点与光的波动性相矛盾，即光电效应的瞬时性，按波动性理论，如果入射光较弱，照射的时间要长一些，金属中的电子才能积累住足够的能量，飞出金属表面。可事实是，只要光的频率高于金属的极限频率，光的亮度无论强弱，光子的产生都几乎是瞬时的，不超过十的负九次方秒。正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。这种解释为爱因斯坦所提出。光电效应由德国物理学家赫兹于1887年发现，对发展量子理论起了根本性作用，在光的照射下，使物体中的电子脱出的现象叫做光电效应(photoelectric effect)。光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏打效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关 ,光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子射出方向产生影响.[编辑本段]光电效应说明 ①光电效应的实验规律。 a．阴极(发射光电子的金属材料)发射的光电子束和照射发光强度成正比。 b．光电子脱出物体时的初速度和照射光的频率有关而和发光强度无关。这就是说，光电子的初动能只和照射光的频率有关而和发光强度无关。 c．仅当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应的波长λ。叫做红限波长。不同物质的极限频率”。和相应的红限波长λ。是不同的。[编辑本段]几种金属材料的极限波长一些金属的极限波长(埃)：铯钠锌银铂 6520 5400 3720 2600 1960 d．从实验知道，产生光电流的过程非常快，一般不超过10的-9次方秒；停止用光照射，光电流也就立即停止。这表明，光电效应是瞬时的。 ②解释光电效应的爱因斯坦方程：根据爱因斯坦的理论，当光子照射到物体上时，它的能量可以被物体中的某个电子全部吸收。电子吸收光子的能量hυ后，能量增加，不需要积累能量的过程。如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)i和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)w，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。[编辑本段]爱因斯坦方程 hυ=(1/2)mv^2+i+w 式中(1/2)mv^2是脱出物体的光电子的初动能。金属内部有大量的自由电子，这是金属的特征，因而对于金属来说，i项可以略去，爱因斯坦方程成为 hυ=(1/2)mv^2+w 假如hυ[编辑本段]光电效应的分类光电效应分为：外光电效应和内光电效应。外光电效应在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。 1887年，首先是赫兹（m.hertz）在证明波动理论实验中首次发现的； 1902年，勒纳（lenard)也对其进行了研究，指出光电效应是金属中的电子吸收了入射光的能量而从表面逸出的现象。但无法根据当时的理论加以解释； 1905年，爱因斯坦提出了光子假设。爱因斯坦光电效应方程： 1.光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功a。 2.? 一定时，产生的光电流和光强成正比。 3.逸出的光电子具有动能。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管。内光电效应当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特效应（光伏效应）。 1 光电导效应在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 2．光生伏特效应：在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。 ① 势垒效应（结光电效应）光照射pn结时，若h?≥eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向n区外侧，空穴偏向p区外侧，使p区带正电，n区带负电，形成光生电动势。 ②侧向光电效应当半导体光电器件受光照不均匀时，光照部分产生电子空穴对，载流子浓度比未受光照部分的大，出现了载流子浓度梯度，引起载流子扩散，如果电子比空穴扩散得快，导致光照部分带正电，未照部分带负电，从而产生电动势，即为侧向光电效应。