沟道长度调制效应，短沟道效应的简介

本文目录一览

1，短沟道效应的简介
2，CMOS书中基本电流镜的一个问题模拟集成电路
3，mosfet漏电流不饱和原因
4，如何制备出单层的MoS2
5，关于半导体场效应管
6，饱和状态的问题

1，短沟道效应的简介

英文名称：Short-channel effects解释一：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。解释二：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。包括：

短沟道效应的简介

2，CMOS书中基本电流镜的一个问题模拟集成电路

你图中的参考电流源应该是个限流电阻吧？BJT电路中是个电阻。BJT电路中短接为了BE间有压降，CE可以导通。这里也是产生通道用的。原理就是：两个一样的MOS管，GS电压相等，流过的电流相等。至于是可变电阻区还是放大区，你分析下？

很简单，是保证m1工作在饱和区，这样才可以用饱和区的公式，Iout才能得到精确的电流比值

CMOS书中基本电流镜的一个问题模拟集成电路

3，mosfet漏电流不饱和原因

VDS<=VGS,处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。简单说就是随着VDS增大，沟道长度变短，沟道电阻将减小，而在有效沟道上的压降仍保持VDsat不变，所以沟道电流就会增大。这就是在饱和区中，漏电流随VDS增大而略有增大的原因。MOS器件还有很多二阶效应，如果楼主真的想全搞懂，还是借本半导体物理和器件的教材，推倒比较多。

mosfet漏电流不饱和原因

4，如何制备出单层的MoS2

在SPICEⅡ中，MOS晶体管的模型有几种，例如： MOS1：一级平方律模型。—— 只考虑了MOSFET的基本性能；适用于长沟道、低精度的情况。 MOS2：二级分析模型。—— 考虑了MOSFET的二级效应：沟道长度调制效应，短沟道效应，窄沟道效应，DIBL效应，表面电天然法二硫化钼具有优异的性能和广阔的应用前景，所以国内外对纳米MoS2制备及应用都进行了大量的研究。MoS2可以由天然法，即辉钼精矿提纯法制备，该法是将高品质的钼精矿经过一定的物理和化学作用，除去辉钼精矿中的酸不溶物、SiO2、Fe、Cu、Ca、Pb 等杂质，再进一步细化，获得纳米 MoS2。美国 Climax 钼公司就是采用了这种方法生产 MoS2。这种方法制成的纳米MoS2，能够保持天然的 MoS2晶形，润滑性能较好，适合制成润滑剂。

在spiceⅱ中，mos晶体管的模型有几种，例如： mos1：一级平方律模型。—— 只考虑了mosfet的基本性能；适用于长沟道、低精度的情况。 mos2：二级分析模型。—— 考虑了mosfet的二级效应：沟道长度调制效应，短沟道效应，窄沟道效应，dibl效应，表面电

5，关于半导体场效应管

砷化镓（GaAs）是由化学元素周期表中Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一种新型半导体材料。它的特性与周期表中Ⅳ族元素硅类似，但重要的差别之一是，GaAs的电子迁移率比硅约大5~10倍。用GaAs制造有源器件时，具有比硅器件快得多的转换速度（例如在截止、饱和导通间变化）。高速砷化镓三极管正被用于微波电路、高频放大和高速数字逻辑电路中。一种由砷化镓制造的N沟道FET叫做金属-半导体场效应管（MES-FET①），它具有高速特性等优点，应用广泛。 (a) (b) 图XX_01 N沟道MESFET的物理结构和电路符号分别如图XX_01(a)、(b)所示②。图(a)表明，在GaAs衬底上面形成N沟道，然后在N沟道两端利用光刻、扩散等工艺掺杂成高浓度N+区，分别组成漏极d和源极s。当MESFET的栅区金属（例如铝）与N沟道表面接触，将在金属-半导体接触处形成肖特基势垒区，它和硅JFET中栅极、沟道间的PN结相似。MESFET的肖特基势垒区也要求外加反偏电压，vGS愈负，肖特基势垒区愈宽，N沟道有效截面愈小，因此，漏极电流iD将随vGS变化。这样，MESFET的输出特性与硅JFET相似，属于耗尽型器件，有一夹断电压Vp。由于砷化镓的电导率很低，用作衬底时对相邻器件能起良好的隔离作用。为了减少管子的开关时间，通常MESFET的导电沟道做得短，这样由于vDS产生的沟道长度调制效应就变得明显，即使在恒流区ID也随vDS而变，这是与硅JFET不同之一。 ① 此系Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写。 ② P沟道MESFET，因为空穴迁移率很低，不具有N沟道器件的高速特性，几乎不用。返回主页下一页上一页

6，饱和状态的问题

饱和状态是说溶液。一般把一定温度，一定量的溶剂里，不能再溶解某种溶质的溶液教做这种溶质的饱和溶液。当溶液达到饱和时不再放热获吸热。

一. 在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.对于bjt(双极型晶体管)和对于fet(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来.　　(1)对于bjt:　　因为bjt是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.bjt在饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流ic只决定于外电路的参量(ic=vcc/rl,式中的vcc是电源电压,rl是负载电阻),而与输入电流无关(即这时已离开了放大状态);该状态是输出电流大、输出电压低的工作模式,故相应于开关的开态.　　在bjt的输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内.bjt在饱和状态工作时,总是希望该饱和范围越小越好,即要求输出电压——饱和压降越低越好.因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻,故为了降低饱和压降,就需要提高集电区掺杂浓度;但为了提高提高击穿电压,又需要减小集电区掺杂浓度,这是一个矛盾.为解决此矛盾,就发展出了外延片的技术,即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层,然后在外延层上制作bjt;对于集成电路中的bjt来说,因为所有的电极都需要从芯片表面引出,因此在外延的基础上,还需要通过在器件有源区下面加设低阻埋层来减小集电极串联电阻.总之,在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的,都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降.　　(2)对于fet（包括jfet和mosfet等）:　　因为fet是电压驱动的器件,则其饱和状态就是指电压较大、而电流饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.fet在饱和状态工作时,栅极电压大于阈值电压(对于增强型fet),存在有沟道,但是沟道在靠近漏极处是夹断了的(这时,源漏电压vds≥栅源电压vgs-阈值电压vt),输出电流基本上由未被夹断的沟道部分的电阻来决定,在不考虑沟道长度调制效应时,则输出电流与源漏电压无关,即输出电流饱和;但是此饱和的输出电流要受到栅极电压控制(饱和时的栅极跨导最大).在输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在电流饱和的区域(即特性曲线是水平的区域).实际上,fet的饱和状态也就是其放大工作的状态(这与bjt不同).　　二.在化学和化工技术中，饱和状态是指制冷剂在一定压力和温度下气、液两相处于动态平衡时的一种状态。动态平衡是建立在一定的温度及压力条件下的，如果温度或压力改变时，平衡条件就会受到破坏，经过一段时间后，又会达到新的平衡，出现新的饱和状态。　　不同的压力对应不同的饱和温度才能使制冷剂处于饱和状态。　　饱和状态分为饱和气体状态、饱和液体状态和饱和气液共存状态

不能再溶解某种物质的溶液叫做这种溶质的饱和溶液，但可以再溶解其他的溶质。水达到饱和是什么意思啊？我不知道你什么意思啊，

小弟你还真的是小阿，你问的饱和状态是指哪个方面的？？再补充点资料！别人才能帮你啊！

说到饱和就不得不提起另一个词汇叫做溶解,这个是在化学中关于溶液能溶解溶质的最大量.在别的时候我们说的饱和一般是指在一种物质中能够均匀包含另一种物质的最大状态.所以饱和这种状态是同时发生两种物质之间的,你说的水达到饱和是指什么溶解再水里还是水溶解在什么地方?

饱和啊！就是把糖放在开水里溶化，你就一直加糖，等到糖不能溶化为止，现在开水就成了饱和状态。跟吸热放热没关系，就是一个爹一个娘的区别。