短沟道效应的简介2,CMOS书中基本电流镜的一个问题模拟集成电路3,mosfet漏电流不饱和原因4,如何制备出单层的MoS25,关于半导体场效应管6,饱和状态的问题1,短沟道效应的简介英文名称:Short-channeleffects解释一:短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。解释二:沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。包括:2,CMOS书中基本电流镜的一个问题模拟集成电路你图中的参考电流源应该是个限流电阻吧?BJT电路中是个电阻。BJT电路中短接为了B...
更新时间:2023-08-20标签: 沟道长度调制效应沟道长度调制效应 全文阅读